三星电子（005930）成为全球首家单季度营业利润突破100万亿韩元的科技企业。该公司表示，将推进以下一代高带宽内存（HBM）为核心的中长期增长战略，巩固其在AI存储芯片领域的领先地位。公司布局三大主线：在HBM市场夺回榜首位置（当前该龙头为SK海力士，HBM已经取代通用DRAM，成为存储芯片核心产品）；通过长期供货协议（LTA）与基建投资锁定远期需求；加快缩小晶圆代工业务的亏损。
三星电子设备解决方案事业部存储业务副总裁Kim Jae-joon于29日三季度业绩电话会上称：“我们原本定下的目标——下半年HBM市场份额看齐自身DRAM市场份额，在三季度似乎已经达成。”他补充道：“尤其是HBM4营收环比增长两倍，在全部HBM营收中的占比提升至约60%。明年产能已经售罄，新增订单仍在持续流入，预示自四季度起营收将继续走高。”
行业数据显示，三星三季度HBM市场份额升至30%中段高位。今年一季度其份额仅约20%；三星率先实现HBM4量产交付后，二季度份额提升至33%；单季度再度提升约5个百分点，逼近40%，距离SK海力士约50%的份额差距显著收窄。
随着HBM接替通用DRAM，成为本轮存储上行周期的核心产品，行业分析师认为，提前扩大份额将助力三星自明年起在整个存储赛道建立更强的主导优势。 Eugene Investment & Securities预测，HBM明年均价将从今年的1.65美元/吉比特，增至3.48美元/吉比特，涨幅超一倍；通用DRAM今年价格大幅上涨至1.71美元，明年预计仅到2.34美元，HBM价格优势会持续拉开。搭载于英伟达Vera Rubin等最新AI芯片的HBM4需求尤为火爆。
三星同时快速拓展最长可达五年的长期供货协议、加码晶圆厂投资，承接激增的市场需求。Kim表示：“我们已经和10家大客户签署长期供货协议，另外还在和10家主要客户谈判。我们设定的目标——到2030年，长期协议供货量占到总产能60%，落地前景已经非常清晰。”长期协议客户数量较7月末披露的5家，一个季度内实现翻倍。按当前节奏，谈判有望在今年年底或明年初落地，长期协议客户总数将达到20家。
今年以晶圆厂投入为主的资本开支高于最初预期，达到84.4万亿韩元，同比提升60%。三星年初规划资本开支+研发合计投入110万亿韩元，当时资本开支预期区间仅为60–70万亿韩元。随着龙仁、全罗南道光州以及美国得州泰勒的新晶圆厂加速建设，公司决定在原有计划基础上，追加超10万亿韩元投入。
依托存储业务已经和大型科技企业建立的合作关系，三星同时推动晶圆代工业务扭亏。三星电子晶圆代工业务副总裁Kang Seok-chae表示：“8纳米及以下先进制程的需求远超产能，下半年产能利用率有望突破100%。2纳米制程方面，我们计划订单获取数量较去年翻一倍以上，夯实中长期增长底盘。”
业内人士称：“先进制程成本高于成熟制程，此前需求一直受限；但如果大型科技企业需求向先进制程集中、产能满负荷运转，盈利修复节奏有望提前。”市场估算三星晶圆代工部门三季度营业亏损在1万亿–2万亿韩元区间，部分券商预测该业务最快明年下半年即可实现单季度盈利。
三星计划在四季度之后持续推进这三项战略。HBM产品线方面，继HBM4之后，HBM4E将于明年上半年量产，下半年产能爬坡、出货规模大幅提升。公司还在和长期协议客户洽谈，希望在现有的最长五年合约基础上续约，部分客户谈判已接近收尾。
晶圆代工板块，继泰勒第一座工厂之后，三星将于今年启动泰勒二厂建设；同时在推进1.4纳米制程（目标2029年落地）建设之前，已经提前和客户洽谈订单。
