美国存储芯片企业美光科技正式放弃导入被视为下一代DRAM微缩技术关键关卡的4F²（4F平方）单元结构。外界解读，美光不再强行推进4F²路线，转而延续现有6F²结构，并全力押注晶圆键合、3D堆叠技术路线，试图扭转与韩国竞争对手之间的技术差距，是一次豪赌式战略抉择。
美光于当地时间21日举办技术线上研讨会，公布包含未来十年存储研发方向的多代技术路线图，对外释放上述方针。本次发布会最具冲击性的内容，就是美光对下一代DRAM单元结构做出的判断。
目前三星电子、SK海力士正在研发基于垂直沟道晶体管（VCT）的4F²结构，目标突破10纳米以下（0a、0b纳米级）工艺的物理极限。该路线的思路是将原有6F²结构换成4F²，缩小芯片面积、提升集成度。
美光在发布会资料中写明：“我们对4F²的研究已经超过20年，但不存在具备可量产性的微缩路径。”出席发布会的美光总裁兼首席技术与产品负责人（CTPO）Scott DeBoer进一步表示：“4F²微缩存在根本性问题，相比6F²的密度优势，很大程度上近乎一个神话。”
美光果断跳过4F²，将晶圆键合与3DDRAM放在路线图核心位置。继当前主力的1伽马（1γ）节点之后，计划2027年下半年在美国爱达荷州博伊西工厂启动下一代1德尔塔（1δ）DRAM量产。随后，在研发推进中的6F²衍生后续节点1艾普西隆（1ε）上正式大规模采用晶圆键合技术。
尤其在更远期的前沿节点，美光在1泽塔（1ζ）与1伊塔（1η）之间正式规划了两代3DDRAM（3D1、3D2）。配套策略是同步探索高数值孔径（High-NA）EUV光刻机与新材料，待到经济性达标之时，立刻将3DDRAM导入量产产线。
在封装以及高带宽内存（HBM）领域，美光还全新公布最大化利用3D堆叠技术的Vertical HBM（垂直HBM）。传统HBM是放置在中介层上、与处理器（XPU）并排摆放；而Vertical HBM是将内存直接堆叠在处理器上方，依靠细间距混合键合完成互连。
业内评价认为，本次发布是美光为改写和三星电子、SK海力士之间的技术竞争格局打出的一记重手。这相当于对外宣告：不再选择在被视作2D微缩最后跳板的4F²赛道正面硬刚，而是想用键合、3D堆叠技术重新改写行业竞争规则。
