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AI内存芯片短缺问题浮现,科技支出目标2026年达6500亿美元

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AI驱动的内存需求激增速度超过了全球芯片生产能力的扩张速度。

人工智能热潮正开始揭示半导体行业的一个关键压力点:内存芯片。市场研究公司IDC将当前的短缺描述为“前所未有的危机”,因为AI开发加速,科技公司准备在2026年花费约6500亿美元用于计算基础设施,较上年创纪录的水平高出约80%。整个行业的高管已开始指出这一问题。包括苹果、Alphabet和特斯拉在内的公司领导人都讨论过内存供应紧张可能如何影响盈利能力和AI发展时间表,而特斯拉首席执行官埃隆·马斯克在1月下旬的财报电话会议上提出了公司可能探索生产自己的内存芯片的可能性。

这种压力反映了内存对现代AI系统的重要性。内存芯片本身不执行计算,但存储数据并将其提供给处理器,因此从智能手机到大规模数据中心,一切都需要它。AI服务器越来越依赖高带宽内存(HBM),这种技术将多层内存垂直堆叠,并将它们放置在离处理器更近的位置以加速数据移动。与传统DDR5内存相比,HBM3芯片的数据传输速度大约快十倍,随着AI模型变得越来越大,需要处理海量数据而不出现瓶颈,这种速度优势可能变得至关重要。

需求增长远快于供应调整的速度。根据公开数据,2025年数据中心使用量已占全球DRAM消耗量的约50%,高于五年前的32%,预测表明到2030年AI服务器可能占消耗量的60%以上。然而,全球内存行业仅由三家制造商主导——三星电子、SK海力士和美光科技——扩大生产既昂贵又耗时。高带宽内存的制造尤其具有挑战性,因为它需要堆叠极薄的硅片并精确地钻出数千个微孔,这意味着增加产能可能需要数年时间才能带来有意义的供应。

责任编辑:张俊 SF065

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