三星电子在2026年闪存峰会（FMS 2026）上展示了多款面向AI数据中心的新一代存储产品，其中最受关注的是采用晶圆键合（wafer bonding）技术的zHBM、zNAND-O，以及第十代垂直堆叠NAND——V10 BV-NAND。
zHBM是三星将晶圆键合工艺引入HBM的产品。传统HBM依赖微凸块互连，层数堆叠与互连密度受限于凸块间距；zHBM通过裸片间的直接键合，将互连间距大幅压缩，在同等功耗下实现约8倍于HBM5的性能与约10倍的容量密度，同时热阻下降50%以上。zNAND-O则将晶圆键合思路延伸到NAND，目标是为AI负载下的大容量近存提供更优的时延与能效。V10 BV-NAND是三星第十代3D NAND，堆叠层数站上400层以上，单颗密度较上代V9提升约58%，继续沿垂直堆叠路线拉升容量天花板。
从产业角度看，三星此次展示的产品线传递出一个明确信号：AI数据中心的存储竞争正在从"堆叠层数"和"带宽参数"转向"互连与键合工艺"这一更底层的制造能力。晶圆键合能够同时改善带宽、密度和散热，意味着先进封装与器件工艺的边界正在进一步融合。对EEPW读者而言，这类变化直接影响PCB级电源完整性、热设计与信号完整性的工程约束——当HBM热阻下降、密度上升，近存供电与散热方案的选型逻辑也会随之改变。
