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大反弹!英伟达、台积电盘前大涨,得州数据中心利空缓和,机构看多存储至2028年

市场资讯 11.06 21:14

(来源:财闻)

11月6日,美股AI硬件产业链盘前强劲反弹,英伟达(NVDA.US)涨超4%,闪迪(SNDK.US)涨超10%,阿斯麦(ASML.US)、台积电(TSM.US)涨超6%。

消息面上,知名科技投资人、Atreides Management创始人加文·贝克周四在社交平台上发帖称,得州州长当选人吉娜·伊诺霍萨已经明确表示,所有目前已获许可的得州数据中心都将被允许完成建设;他认为,这基本覆盖了2027年全部、并很可能覆盖到2028年的大部分产能。此外,市场分析机构Counterpint最新报告显示,随着新一代HBM产品推出及价格持续上涨,主要存储供应商有望在第四季度创下新的营收纪录。2026年第三季度,三星以38%的市场份额位居DRAM市场首位。

英伟达提出AI内存全栈协同设计方案,Vera Rubin平台每GPU内存容量仅增约3%,推理吞吐量提升最高30倍。英伟达希望将部分老旧电信机房改成小型AI数据中心,组成一张最多可覆盖美国20个州的推理网络。

马斯克称特斯拉(TSLA.US)将于明年年中左右在得州超级工厂逐步停止Cybertruck生产,为增加Cybercab产量腾出空间。谷歌三季度13F持仓规模达883亿美元,SpaceX(SPCX.US)为第一大持仓,新增高通(QCOM.US)、Lime等仓位。苹果(AAPL.US)和三星电子计划在2028年前推出采用蚀刻超薄玻璃的可折叠显示屏。前富达投资基金经理诺布尔警告英伟达正重走互联网泡沫时期思科(CSCO.US)老路。

在预测市场Kalshi上,Anthropic在11月30日前完成IPO挂牌概率从84%骤降至60%,在12月31日前完成IPO概率从90%下滑至74%。

摩根大通研报指出,主要存储股较2026年高点平均回撤约45%,费城半导体指数较近期高点回撤约29%。该行认为,尽管市场担忧AI融资、电力瓶颈及投资回报,但DRAM和NAND供需仍然紧张,长期供货协议不断扩大覆盖范围,行业基本面有望保持强劲至2028年。未来六个月,存储企业盈利预测遭到下调的可能性较低。

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