（来源：超能网）
早在今年5月，三星就宣布开始向全球范围内的主要客户交付业界首批12层堆叠HBM4E样品，进一步巩固自身在下一代HBM市场的领导地位。三星希望通过先进的制造能力和抢先基础设施投资，持续推动全球AI存储器市场的增长。
据TECHPOWERUP报道，三星的HBM4E已通过了英伟达的测试，将用于下一代Rubin Ultra平台。对于三星来说在HBM领域又一次取得重大进展，特别是考虑到过去三星HBM3E曾长时间未能满足英伟达的验证要求，显然经过努力后，HBM4和HBM4E情况要好很多。
三星的HBM4E速率为14Gbps，而且能继续提高至16Gbps。其每堆栈最高可达3.6TB/s的带宽，比起HBM4提高了20%以上，可以更好地助力LLM和下一代AI系统。12层堆叠HBM4E提供了48GB容量，比起上一代产品也提高了30%以上，计划根据客户的需求，未来三星还将提供32GB（8层堆叠）和64GB（16层堆叠）配置。
目前三星的HBM4是通过自家代工厂生产4nm基础裸片（Base Die），传闻下一代HBM4E情况有可能发生变化。随着定制HBM时代来临，三星打算采取双轨并行策略，根据客户的需求，提供自家代工厂和台积电制造的基础裸片。
