开源证券发布研报认为， Q2储存芯片部分产品线市场流速减缓，持续库存去化;展望 Q3，上游原厂和部分终端对于 Q3 已有初步的涨价预期，市场仍需耐心等待低价库存消耗以及 Q3 传统需求的回暖。海外方面，FY2024Q3 美光业绩超预期，三星预计持续调涨 DRAM 价格。国内随着原厂加速退出 DDR3 等市场、市场库存逐步去化，下半年利基存储板块供需格局将明显改善，助力产品价格上涨与相关厂商业绩复苏
本周复盘：价格指数继续下探，静待 Q3 需求回暖
指数方面：据闪存市场，2024 年第 27 周 DRAM 指数跌势放缓，NAND 指数则继续下探，单周分别-0.17%/-0.82%。价格方面：Flash wafer 价格持平不变，DDR 价格小幅下跌(环比-0.1%);渠道市场方面，整体需求承压且抢单情况激烈，渠道 SSD 和内存价格均小幅下跌;行业市场方面，存储行业 SSD 和内存条价格持平，上游资源保有一定库存且供应端成本普遍偏高，行业存储厂商备货意愿低;嵌入式方面，价格趋稳，现货市场出现少量询单，但市场成交偏少，整体市场观望情绪浓重，部分手机厂商新机将出，或将带来需求回暖。回顾 Q2，部分产品线市场流速减缓，持续库存去化;展望 Q3，上游原厂和部分终端对于 Q3 已有初步的涨价预期，市场仍需耐心等待低价库存消耗以及 Q3 传统需求的回暖。
海外：FY2024Q3 美光业绩超预期，三星预计持续调涨 DRAM 价格
据闪存市场，FY2024Q3 美光实现营收 68.11 亿美元，环比+17%，营业利润率13.8%，环比+10.3 pcts;净利润 7 亿元，环比+47%。公司业绩表现超预期主要系行业供需持续改善导致的产品价格提升、以及产品组合优化，特别是 AI 相关产品利润最为可观。美光预计 2024 年全年价格将继续上涨，公司将持续向高利润产品组合转变从而提高盈利能力。据闪德资讯，三星将在 2024Q3 把服务器DRAM 和企业级 NAND 价格提高 15-20%。此外，由于 AI 需求激增，对存储芯片的竞争随之加剧，公司预计 H2 业绩将有所改善。业界认为，当前原厂盈利诉求强烈，对产品价格将有强烈支撑，此外，由于原厂正全力发展 HBM，挤占DDR3、4 产能，有助于该领域供需格局改善，维持产业健康发展态势。
国内：多环节景气提升，看好下半年利基板块厂商业绩复苏
随着产品价格持续修复，国内存储各板块景气度明显提升。芯片厂方面，普冉股份公告显示，公司 2024 年 4-5 月实现营收约 3.38 亿元，同比增长约 131%，公司1-5 月累计出货约 35 亿颗，同比翻倍，目前在手订单充足(1.7 亿元左右，含税)，后续有望助力业绩持续增长。模组厂方面：佰维存储公告显示，公司2024H1 预计实现营收 31-37 亿元，同比增长 169.97%-222.22%，表现亮眼。开源证券认为，随着原厂加速退出 DDR3 等市场、市场库存逐步去化，下半年利基存储板块供需格局将明显改善，助力产品价格上涨与相关厂商业绩复苏，受益标的：
(1)芯片：兆易创新、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、北京君正等;
(2)接口：澜起科技、聚辰股份等;
(3)模组：江波龙、佰维存储、德明利、香农芯创、协创数据、朗科科技等;
风险提示：需求复苏不及预期，行业竞争加剧，公司新品研发进度不及预期。
