国泰君安证券发布研报认为，先进封装是大算力时代崛起的必经之路，是其突破“存储墙”“面积墙”“功耗墙”和“功能墙”的关键路径之一。台积电COWOS封装已经成为当前高性能计算的主流路线，持续供不应求。HBM作为实现“近存计算”的必经之路，也成为存储厂必争之地，而如何实现极薄尺寸、极小间距下wafer的堆叠与连接是HBM公司核心竞争力。供应链受益环节主要在代工厂、封测厂、先进封装及测试设备及材料领域，维持半导体行业“增持”评级。
先进封装助力“超越摩尔”，聚焦2.5D/3D封装，HBM快速迭代打破“存储墙”。根据Yole，2028年，先进封装市场规模将达到786亿美元，占总封装市场的58%。其中，在人工智能、5G通信和高性能计算等产业的推动下，2.5D/3D封装成为行业黑马，预计到2028年，将一跃成为第二大先进封装形式。台积电先进封装主要基于3D Fabric技术平台，包括基于前端的SoIC技术、基于后端的CoWoS和InFO技术。三星先进异构封装，提供从HBM到2.5D/3D的交钥匙解决方案，包括了2.5D i-Cube和3D X-Cube。Intel 2.5D/3D封装则主要通过EMIB和Foveros两个技术方案实现。台积电COWOS封装已经成为当前高性能计算的主流路线，持续供不应求，预计到2024年底，台积电CoWoS封装月产能有望达到3.6-4万片。HBM作为实现“近存计算”的必经之路，也成为海力士、三星、美光三大存储厂必争之地，而如何实现极薄尺寸、极小间距下wafer的堆叠与连接是HBM公司核心竞争力。
聚焦先进封装，关注设备及材料新机会。从工艺路线角度，COWOS带来设备的主要变动包括：基于晶圆减薄要求及数量提升的研磨切割+CMP减薄设备、基于精准度、洁净度提升的固晶机、热压键合设备。HBM带来的设备变动则是从热压键合向混合键合的发展。材料端，包括CMP步骤提升带动下的相关耗材(抛光液、抛光垫等)、先进封装需求提升的电镀液等功能性湿电子化学品、基于高集成、高功耗、轻薄化下的散热、应力释放需求底部填充胶、TIM热界面材料等。
风险提示：下游需求复苏不及预期、技术进步不及预期、国际局势不稳定。
