来源：活报告
根据彭博社报道，存储芯片大厂SK海力士已向美国证券交易委员会（SEC）秘密提交美国存托凭证（ADR）上市申请，计划通过发行ADR在美上市，筹集10万亿至15万亿韩元（约合100亿美元）。
SK海力士目前已在韩国交易所（KRX）上市。据报道，SK海力士此次IPO募集资金主要用于建设AI基础设施，具体包括在韩国龙仁市建设半导体产业集群，以及扩大存储芯片产能。
全球HBM霸主，股价表现强势
SK海力士是全球第二大DRAM制造商，仅次于三星。公司的核心产品是HBM（高带宽内存），主要用于AI芯片，主要客户包括英伟达、AMD等。
在HBM市场，SK海力士以57%的营收市占率位居全球第一（Counterpoint 2025年第三季度数据），三星电子和美光分别为22%和21%。在整体DRAM市场，SK海力士2025年第三季度以34%的份额位居第二，仅次于三星的33%。
SK海力士是过去一年亚洲市场表现最亮眼的半导体公司之一。2025年全年涨幅达275%，今年以来延续强势，累计涨幅超52%，成为韩国综合股价指数（Kospi）同期上涨的核心推动力。
股价上涨背后是扎实的业绩支撑。公司2025年全年营收达97.15万亿韩元，同比增长47%；营业利润47.21万亿韩元，同比增长101%，创历史新高。其中，HBM业务成为增长核心引擎——2025年HBM销售额同比增长逾一倍，占总营收比重提升至42%。
有市场分析认为，赴美上市有望帮助公司对接全球科技股定价中心。尤金资产管理公司首席投资官河硕根指出：“一旦美国资本能通过ADR直接参与AI基础设施投资，SK海力士在HBM领域的技术壁垒优势，将更充分地反映在其估值溢价中。”
业内观察人士进一步分析，若成功纳入费城半导体指数，海量被动投资基金与ETF的流入将为其股价提供长期支撑——台积电通过ADR赴美上市后，其美股与台股的估值差曾一度超过30%。
3月23日，野村证券发布研究报告，将SK海力士目标价从156万韩元上调24%至193万韩元，重申“买入”评级。该机构预计，2026年第二季度商品DRAM和NAND价格环比涨幅将分别达到51%和50%，较此前预测的6%和20%出现“量级式”跳升。
百亿融资投向何方
EUV机器对于先进DRAM和HBM的生产至关重要。
2026年3月24日，SK海力士宣布，将在2027年12月31日前向荷兰ASML采购价值11.95万亿韩元（约79.7亿美元）的极紫外光（EUV）光刻机，旨在应对日益增长的内存芯片需求。
该交易已作为正式披露文件提交给韩国监管机构，使成为近年来ASML客户公开的最大一笔EUV光刻机采购订单。
SK海力士本次美股上市所募集的资金，将主要用于建设AI基础设施，包括在韩国龙仁市建设半导体产业集群（总投资规模达600万亿韩元），以及扩大存储芯片产能。
据多家媒体报道，SK海力士此次发行新股约占公司总已发行股份的2.4%。
不过，今年SK海力士注销了约1530万股库存股，价值约12.2万亿韩元。此次ADR发行的新股规模，与注销的库存股数量大致相当，公司一边通过注销股份提升股东价值，一边通过发行新股为扩产募资，整体保持了流通股规模的相对稳定。
公司层面释放信号
此前，SK集团会长崔泰源在英伟达GTC 2026大会上表示，全球存储芯片短缺现象可能持续至2030年，预计短缺比例将超过20%。他指出，要提升存储芯片产能至少需要四到五年，SK海力士将为稳定价格竭尽全力。
对于市场关注的产能转移问题，崔泰源明确表示，公司将重点放在韩国，而非将生产线转移至美国。
赴美上市也意味着公司将面对更高的信息披露标准。虽然短期内韩国本土股价可能受到一定联动影响，但从中长期看，ADR发行或有助于增强SK海力士在全球科技股中的定价话语权。
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