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云南锗业:控股子公司实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”,计划总投资1.89亿元

滚动播报 04.03 19:00

云南锗业公告,2026年4月3日,公司第九届董事会第二次会议审议通过《关于实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”的议案》,同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”。项目计划总投资1.89亿元,由云南鑫耀在现有产能基础上扩建产能,最终达到年产45万片(折合4英寸)高品质磷化铟单晶片的产能。

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