三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能 滚动播报 02.27 15:02 三星电子正集中精力提高1c DRAM的良率，同时抢占HBM4市场份额。具体而言，三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸，从而同时提升DRAM和HBM4的稳定性。 (ZDNet)
