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奕斯伟材料申请半导体晶圆相关专利，特定厚度氧化层约束多晶硅晶粒成核生长

新浪证券-红岸工作室

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11月15日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“半导体晶圆及其制备方法、射频绝缘体上硅结构”的专利。申请公布号为CN123099069A，申请号为CN202611235664.5，申请公布日期为2026年11月13日，申请日期为2026年8月14日，发明人张博、车宇航、王文娟、刘贵浩、兰洵，专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师侯丽丽、宋东阳，分类号H10P14/60、H10P14/692、H10P14/24、H10P14/20、H10W10/10、H10P90/00、C23C16/24、C23C16/455。

专利摘要显示，本申请提供了半导体晶圆及其制备方法、射频绝缘体上硅结构。该半导体晶圆包括单晶硅衬底；设置于单晶硅衬底的一侧的氧化基底层，氧化基底层包含氧化硅，且氧化基底层的厚度在40Å至60Å的范围内；以及多晶硅层，多晶硅层设置于氧化基底层远离单晶硅衬底的一侧，多晶硅层的晶粒尺寸的中位值介于400nm至580nm之间。本申请实施例通过在单晶硅衬底与多晶硅层之间设置特定厚度的氧化基底层，对多晶硅的晶粒成核和生长过程产生约束作用。

西安奕材是国内12英寸硅片领域核心供应商，凭借全产业链布局优势深耕半导体材料赛道，公司成立于2016年3月16日，于2025年10月28日登陆上海证券交易所，注册及办公所在地均为陕西省西安市。

西安奕材主营业务专注于12英寸硅片的研发、生产和销售，所属申万行业为电子-半导体-半导体材料，同时覆盖26三季报业绩反转、芯片概念、存储概念三大概念板块。

2026年三季度，西安奕材实现营业收入26.51亿元，在行业30家可比企业中排名第7，高于17.95亿元的行业平均水平及9.67亿元的行业中位数，仅次于行业排名第一的有研新材（84.62亿元）、第二的雅克科技（67.21亿元）；同期实现净利润1.51亿元，行业排名第11，高于1.44亿元的行业平均数及8828.74万元的行业中位数，行业排名前两位的企业分别为雅克科技（9.34亿元）、江丰电子（7.09亿元）。

指标类型 当期数值 行业排名/总家数 行业头部企业数值 行业平均数 行业中位数
营业收入 26.51亿元 7/30 有研新材84.62亿元、雅克科技67.21亿元 17.95亿元 9.67亿元
净利润 1.51亿元 11/30 雅克科技9.34亿元、江丰电子7.09亿元 1.44亿元 8828.74万元

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1绝缘体上硅晶圆的制造方法、系统及绝缘体上硅晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611571645.X2026-10-12CN123039934A2026-11-06全承英、兰洵
2晶圆键合方法、系统及键合晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611563776.32026-10-10CN123056591A2026-11-06李娟、兰洵
3晶圆键合方法及绝缘体上硅衬底发明专利发明专利申请公布、公布CN202611547797.62026-10-08CN123035866A2026-11-03李娟、兰洵
4一种绝缘体上硅晶圆的制备方法及绝缘体上硅晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611547661.52026-10-08CN123035935A2026-11-03岳中、兰洵、蒋治国
5一种键合晶圆的制备方法及键合晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611547527.52026-10-08CN123035865A2026-11-03李娟、兰洵、蒋治国
6键合晶圆的制备方法及键合晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611547425.32026-10-08CN123056590A2026-11-06李娟、兰洵
7一种绝缘体上硅的加工方法及晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611530753.22026-09-30CN123035934A2026-11-03蒋治国、兰洵、岳中、李娟
8一种裂片方法及绝缘体上硅晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611511289.22026-09-28CN123035933A2026-11-03蒋治国、兰洵、岳中、李娟
9绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611478742.42026-09-22CN122995628A2026-10-27蒋治国、兰洵、岳中、李娟
10一种具有厚氧化层的硅晶圆及其制备方法发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611478724.62026-09-22CN122995534A2026-10-27段智方、兰洵
11双面研磨方法和双面研磨设备发明专利发明专利申请公布、公布CN202611482471.X2026-09-22CN123080581A2026-11-13张宁轩、唐玉明、黄兆皓
12离子注入方法、绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611473454.X2026-09-21CN122995627A2026-10-27蒋治国、兰洵、岳中、李娟
13柔性片状工件的对位方法及系统、抛光机发明专利发明专利申请公布、公布CN202611454274.72026-09-18CN123080578A2026-11-13柴朝军、王俊夫
14冷却水流量的调节方法、装置、设备及存储介质发明专利发明专利申请公布、公布CN202611448764.62026-09-17CN123025213A2026-11-03张宁轩、唐玉明、邢开化
15一种硅片边缘倒角加工方法和系统发明专利发明专利申请公布、公布CN202611436439.82026-09-16CN123080514A2026-11-13刘玉乾、孟敏、雷欣雨
16氢离子注入方法、氢离子注入系统及绝缘体上硅晶圆发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611359045.72026-09-03CN122872096A2026-10-02蒋治国、兰洵、岳中、李娟
17晶圆及其键合方法、以及键合设备发明专利CN202611359102.12026-09-03CN122872097A2026-10-02蒋治国、兰洵、岳中、李娟
18离子注入方法、绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611359012.22026-09-03CN122872095A2026-10-02蒋治国、兰洵、岳中、李娟
19一种键合晶圆的分离装置、方法以及绝缘体上硅衬底发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611359822.82026-09-03CN122892481A2026-10-09蒋治国、兰洵、岳中、李娟
20含硅基薄膜层的衬底的制备方法、衬底及射频前端芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202611235694.62026-08-14CN122803599A2026-09-22车宇航、王文娟、张博、兰洵
21抛光垫的处理方法、装置及抛光设备发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611233998.92026-08-14CN122938730A2026-10-20张申申
22半导体晶圆及其制备方法、射频前端芯片发明专利发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布CN202611235696.52026-08-14CN122784317B2026-10-23张博、王文娟、车宇航、刘贵浩、兰洵
23电荷捕获层的制备方法、衬底结构及射频器件发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611235673.42026-08-14CN122971185A2026-10-23刘贵浩、王文娟、车宇航、张博、兰洵
24半导体晶圆及其制备方法发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611235665.X2026-08-14CN122995633A2026-10-27王文娟、刘贵浩、兰洵、车宇航、张博
25多晶硅层的制备方法、衬底结构及射频前端芯片发明专利发明专利申请公布、公布CN202611235679.12026-08-14CN123022130A2026-10-30刘贵浩、车宇航、王文娟、张博、兰洵
26半导体晶圆及其制备方法、射频绝缘体上硅结构发明专利发明专利申请公布、公布CN202611235664.52026-08-14CN123099069A2026-11-13张博、车宇航、王文娟、刘贵浩、兰洵
27一种COP缺陷检测方法及装置发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611188680.32026-08-06CN122922097A2026-10-16万珣、苗小明、张泽坤
28一种机械损伤缺陷检测方法及装置发明专利发明专利申请公布、公布CN202611187591.72026-08-06CN123032633A2026-11-03万珣、苗小明、张泽坤、贾聪、赵李鑫
29硅片线切割质量评估方法、装置、电子设备和可读存储介质发明专利CN202611155807.12026-07-31CN122866151A2026-10-02任林
30晶圆容器条码识别方法、系统、设备及计算机存储介质发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611145363.32026-07-30CN122947789A2026-10-20叶力文
31一种辊轮形变监测装置及方法、蚀刻设备发明专利发明专利申请公布、公布CN202611144187.12026-07-30CN123028526A2026-11-03李坚毅、贺鑫、叶柯柯、刘坤
32分类方法、加工控制方法、设备及介质发明专利发明专利申请公布、公布CN202611142735.72026-07-30CN123056607A2026-11-06李乾康
33二次倒角工序参数确定方法、装置、电子设备及存储介质发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611135292.92026-07-29CN122984572A2026-10-27程瑜
34预热环及外延设备发明专利发明专利申请公布、公布CN202611129248.72026-07-28CN123005509A2026-10-30王迪、何斌斌、俎世琦、金柱炫
35一种晶圆分选设备的控制方法、装置、设备及介质发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611067198.42026-07-17CN122984597A2026-10-27张皓然、王贺、同嘉锡、林山峰
36定盘、双面研磨设备和研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611057074.82026-07-16CN122683611A2026-09-04秦文龙
37晶圆中金属污染类型的检测方法及系统发明专利发明专利申请公布、公布CN202611061651.02026-07-16CN123008829A2026-10-30庞鲁、郭宏雁、史铁柱
38硅片边缘检测方法、硅片加工方法及硅片加工设备发明专利发明专利申请公布、公布CN202611051141.52026-07-15CN123022215A2026-10-30马强强、仝临杰
39半导体基底的处理方法及处理装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610914299.42026-06-24CN122679840A2026-09-01张申申
40一种单晶生长设备的控制方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610916445.72026-06-24CN122687338A2026-09-04潘浩、张鹏举
41分区冷却系统、冷却控制方法、晶棒、晶圆及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610919944.12026-06-24CN122687334A2026-09-04潘浩、崔源进、张鹏举
42对齐度测量装置和对齐度测量方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610826726.32026-06-09CN122505132A2026-08-04陈文洁
43一种硅片分离设备及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610828346.32026-06-09CN122747192A2026-09-15白皓、范明亮、张伟
44抛光垫清洁装置及方法、抛光设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610815519.82026-06-08CN122559886A2026-08-14马科宁
45基于多智能体的工艺监控系统、方法及晶圆制造系统发明专利公布CN202610816825.32026-06-08CN122732505A2026-09-11袁力军、兰洵、张婉婉、李安杰、李彤
46一种热补偿方法和热补偿装置发明专利公布CN202610810772.42026-06-05CN122425806A2026-07-21齐凌博、王刚、吴志刚
47一种晶圆表面缺陷检测方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610807347.X2026-06-05CN122602836A2026-08-18仝临杰、郭宏雁、马强强
48一种防溅射装置、杯体组件以及单片清洗机发明专利实质审查的生效、公布CN202610810286.22026-06-05CN122679843A2026-09-01左斌、夏新超、陈海龙、王颖、张树星
49晶圆全生命周期追踪管理系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610809606.22026-06-05CN122693691A2026-09-04张进宝
50一种控制晶圆生产的方法、装置、设备及介质发明专利公布CN202610810841.12026-06-05CN122719391A2026-09-08郑文腾

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