安特半导体集成电路布图设计获国家知识产权局公告

近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，安特（苏州）半导体有限公司提交的名为“SGT MOS功率芯片 CB01”的集成电路布图设计正式通过审核，获得国家知识产权局发布的布图设计专有权公告，标志着该企业在功率半导体芯片领域的自主研发成果得到官方知识产权层面的正式确认。本次公告的发布，将为安特半导体的相关芯片产品市场化落地筑牢知识产权保护屏障，进一步强化其在功率器件赛道的核心技术竞争力。

本次国家知识产权局相关公告的发布时间为2026年11月，对应布图设计的登记号为BS.265551471，该布图设计于2026年4月9日正式提交申请，最终在2026年11月13日完成公告流程，对应的公告号为99355。本次获得专有权公告的布图设计全称为SGT MOS功率芯片 CB01，权利人为安特（苏州）半导体有限公司，相关创作人信息未对外公示，该布图设计的实际创作完成日为2026年1月5日，从研发落地到提交申请再到获得官方确权的全流程衔接顺畅，体现了企业在功率半导体领域高效的技术转化与知识产权布局能力。

天眼查数据显示，安特（苏州）半导体有限公司成立日期2019年1月22日，法定代表人苏育华，所属行业为研究和试验发展，企业类型为有限责任公司(自然人投资或控股)，企业规模为小型，参保人数11人，注册资本1000万人民币，实缴资本95万人民币，注册地址为中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区扬富路11号南岸新地一期商务楼5号楼702室。股东信息如下：

点评分析
安特半导体此次SGT MOS功率芯片布图设计获国家知识产权局专有权公告，其自主研发成果得到官方确权，既为后续相关产品市场化落地筑牢知识产权保护屏障，也直观体现了企业高效的技术转化与知识产权布局能力，进一步强化其在功率器件赛道的核心技术竞争力，为小型科创企业的技术突围打下扎实基础。