厦门海洋职业技术学院集成电路布图设计获国家知识产权局公告

近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，厦门海洋职业技术学院提交的“60A 1200V SIC MOS”集成电路布图设计正式获得国家知识产权局发布的布图设计专有权公告，标志着该校在宽禁带半导体功率器件布图设计领域的自主研发成果得到官方知识产权层面的正式确认。本次公告的发布，是国内职业院校在集成电路核心设计领域自主创新能力提升的典型体现，将为该校后续相关技术的成果转化、产学研对接及行业应用推广筑牢知识产权保护屏障。

本次公告的发布时间为2026年11月13日，与该布图设计的公告日期保持一致，相关专有权信息同步向社会公开可查。该布图设计的登记号为BS.265546702，是国家知识产权局为该专属设计分配的唯一法定身份标识，可用于后续知识产权维权、成果备案等各类官方场景。该设计的申请提交于2026年4月2日，经过知识产权部门的合规性、原创性核查后，于2026年11月13日正式完成公告流程，对应的公告号为99327，纳入全国集成电路布图设计公开名录。本次获得公告的布图设计全称为“60A 1200V SIC MOS”，属于碳化硅功率半导体器件类核心布图设计，具备60安培额定电流、1200伏特耐压等级的性能参数，在新能源汽车、工业变频、光伏逆变等场景具备较高的应用潜力。该布图设计的权利人为厦门海洋职业技术学院，是本次研发成果的法定所有权主体，依法享有对应的集成电路布图设计专有权。本次公示信息中未披露布图设计创作人相关内容，相关创作主体信息以权利人内部备案记录为准。该布图设计的创作完成日为2025年9月20日，从研发落地到提交申请再到最终获得公告，完整呈现了该款碳化硅MOS器件布图设计从自主研发到获得官方知识产权认可的全流程时间线。

综合点评
本次厦门海洋职业技术学院的碳化硅MOS器件布图设计获国家知识产权局专有权公告，是其在宽禁带半导体功率器件领域自主研发能力获官方确权的核心标志。该成果为后续技术转化、产学研对接筑牢知识产权屏障，也成为国内职业院校在集成电路核心设计领域创新能力升级的典型样本。