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奕斯伟材料西安欣芯申请缺陷检测方法相关专利，该方法提升半导体晶圆机械损伤检测准确性

新浪证券-红岸工作室

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11月4日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司、西安欣芯材料科技有限公司申请一项名为“一种机械损伤缺陷检测方法及装置”的专利。申请公布号为CN123032633A，申请号为CN202611187591.7，申请公布日期为2026年11月3日，申请日期为2026年8月6日，发明人万珣、苗小明、张泽坤、贾聪、赵李鑫，专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司，专利代理师丁文蕴，分类号G06T7/00、G06T7/62、G06V10/762。

专利摘要显示，本发明提供了一种机械损伤缺陷检测方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括：基于待测晶圆的第一缺陷分布图以及样本晶圆的第二缺陷分布图，确定待测晶圆中缺陷点的目标聚集区域；基于目标聚类半径对目标聚集区域中的缺陷点进行团簇分析，得到多个缺陷聚类簇；基于缺陷聚类簇的分布形态确定待测晶圆的机械损伤缺陷检测结果。以样本晶圆的第二缺陷分布图作为参考基准确定待测晶圆中缺陷点的目标聚集区域，缩小了后续分析范围；并根据动态确定的目标聚类半径，进行团簇分析，可以适配不同的检测场景，兼顾抑制过检与避免漏检，提升团簇分析结果的准确性，从而提高了机械损伤缺陷检测的准确性。

西安奕材是国内半导体大硅片领域领先企业，专注12英寸硅片研发生产，具备突出的大尺寸硅片量产技术壁垒。公司成立于2016年3月16日，于2025年10月28日登陆上海证券交易所，注册及办公地点均位于陕西省西安市。

公司主营业务为专注于12英寸硅片的研发、生产和销售，申万行业分类隶属于电子-半导体-半导体材料，同时覆盖三季报业绩反转、大硅片、大基金概念三大概念板块。

2026年三季度，西安奕材实现营业收入26.51亿元，在行业30家可比企业中排名第7，高于17.95亿元的行业平均水平与9.67亿元的行业中位数，仅次于行业排名第一的有研新材（84.62亿元）与排名第二的雅克科技（67.21亿元）；同期实现净利润1.51亿元，行业排名第11，高于1.44亿元的行业平均数与8828.74万元的行业中位数，行业头部企业中雅克科技、江丰电子分别以9.34亿元、7.09亿元位列净利润前两位。

指标类型 统计周期 公司数值 行业排名/总家数 行业头部企业数值 行业平均数 行业中位数
营业收入 2026年三季度 26.51亿元 7/30 第一名有研新材84.62亿元、第二名雅克科技67.21亿元 17.95亿元 9.67亿元
净利润 2026年三季度 1.51亿元 11/30 第一名雅克科技9.34亿元、第二名江丰电子7.09亿元 1.44亿元 8828.74万元

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1晶圆键合方法及绝缘体上硅衬底发明专利发明专利申请公布、公布CN202611547797.62026-10-08CN123035866A2026-11-03李娟、兰洵
2一种绝缘体上硅晶圆的制备方法及绝缘体上硅晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611547661.52026-10-08CN123035935A2026-11-03岳中、兰洵、蒋治国
3一种键合晶圆的制备方法及键合晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611547527.52026-10-08CN123035865A2026-11-03李娟、兰洵、蒋治国
4一种绝缘体上硅的加工方法及晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611530753.22026-09-30CN123035934A2026-11-03蒋治国、兰洵、岳中、李娟
5一种裂片方法及绝缘体上硅晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611511289.22026-09-28CN123035933A2026-11-03蒋治国、兰洵、岳中、李娟
6绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611478742.42026-09-22CN122995628A2026-10-27蒋治国、兰洵、岳中、李娟
7一种具有厚氧化层的硅晶圆及其制备方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611478724.62026-09-22CN122995534A2026-10-27段智方、兰洵
8离子注入方法、绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利CN202611473454.X2026-09-21CN122995627A2026-10-27蒋治国、兰洵、岳中、李娟
9冷却水流量的调节方法、装置、设备及存储介质发明专利发明专利申请公布、公布CN202611448764.62026-09-17CN123025213A2026-11-03张宁轩、唐玉明、邢开化
10氢离子注入方法、氢离子注入系统及绝缘体上硅晶圆发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611359045.72026-09-03CN122872096A2026-10-02蒋治国、兰洵、岳中、李娟
11晶圆及其键合方法、以及键合设备发明专利CN202611359102.12026-09-03CN122872097A2026-10-02蒋治国、兰洵、岳中、李娟
12离子注入方法、绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611359012.22026-09-03CN122872095A2026-10-02蒋治国、兰洵、岳中、李娟
13一种键合晶圆的分离装置、方法以及绝缘体上硅衬底发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611359822.82026-09-03CN122892481A2026-10-09蒋治国、兰洵、岳中、李娟
14含硅基薄膜层的衬底的制备方法、衬底及射频前端芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202611235694.62026-08-14CN122803599A2026-09-22车宇航、王文娟、张博、兰洵
15抛光垫的处理方法、装置及抛光设备发明专利发明专利申请公布、公布CN202611233998.92026-08-14CN122938730A2026-10-20张申申
16半导体晶圆及其制备方法、射频前端芯片发明专利发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布CN202611235696.52026-08-14CN122784317B2026-10-23张博、王文娟、车宇航、刘贵浩、兰洵
17电荷捕获层的制备方法、衬底结构及射频器件发明专利发明专利申请公布、公布CN202611235673.42026-08-14CN122971185A2026-10-23刘贵浩、王文娟、车宇航、张博、兰洵
18半导体晶圆及其制备方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611235665.X2026-08-14CN122995633A2026-10-27王文娟、刘贵浩、兰洵、车宇航、张博
19多晶硅层的制备方法、衬底结构及射频前端芯片发明专利发明专利申请公布、公布CN202611235679.12026-08-14CN123022130A2026-10-30刘贵浩、车宇航、王文娟、张博、兰洵
20一种COP缺陷检测方法及装置发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611188680.32026-08-06CN122922097A2026-10-16万珣、苗小明、张泽坤
21一种机械损伤缺陷检测方法及装置发明专利发明专利申请公布、公布CN202611187591.72026-08-06CN123032633A2026-11-03万珣、苗小明、张泽坤、贾聪、赵李鑫
22硅片线切割质量评估方法、装置、电子设备和可读存储介质发明专利CN202611155807.12026-07-31CN122866151A2026-10-02任林
23晶圆容器条码识别方法、系统、设备及计算机存储介质发明专利发明专利申请公布、公布CN202611145363.32026-07-30CN122947789A2026-10-20叶力文
24一种辊轮形变监测装置及方法、蚀刻设备发明专利发明专利申请公布、公布CN202611144187.12026-07-30CN123028526A2026-11-03李坚毅、贺鑫、叶柯柯、刘坤
25二次倒角工序参数确定方法、装置、电子设备及存储介质发明专利发明专利申请公布、公布CN202611135292.92026-07-29CN122984572A2026-10-27程瑜
26预热环及外延设备发明专利发明专利申请公布、公布CN202611129248.72026-07-28CN123005509A2026-10-30王迪、何斌斌、俎世琦、金柱炫
27一种晶圆分选设备的控制方法、装置、设备及介质发明专利发明专利申请公布、公布CN202611067198.42026-07-17CN122984597A2026-10-27张皓然、王贺、同嘉锡、林山峰
28定盘、双面研磨设备和研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611057074.82026-07-16CN122683611A2026-09-04秦文龙
29晶圆中金属污染类型的检测方法及系统发明专利发明专利申请公布、公布CN202611061651.02026-07-16CN123008829A2026-10-30庞鲁、郭宏雁、史铁柱
30硅片边缘检测方法、硅片加工方法及硅片加工设备发明专利发明专利申请公布、公布CN202611051141.52026-07-15CN123022215A2026-10-30马强强、仝临杰
31半导体基底的处理方法及处理装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610914299.42026-06-24CN122679840A2026-09-01张申申
32一种单晶生长设备的控制方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610916445.72026-06-24CN122687338A2026-09-04潘浩、张鹏举
33分区冷却系统、冷却控制方法、晶棒、晶圆及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610919944.12026-06-24CN122687334A2026-09-04潘浩、崔源进、张鹏举
34对齐度测量装置和对齐度测量方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610826726.32026-06-09CN122505132A2026-08-04陈文洁
35一种硅片分离设备及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610828346.32026-06-09CN122747192A2026-09-15白皓、范明亮、张伟
36抛光垫清洁装置及方法、抛光设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610815519.82026-06-08CN122559886A2026-08-14马科宁
37基于多智能体的工艺监控系统、方法及晶圆制造系统发明专利公布CN202610816825.32026-06-08CN122732505A2026-09-11袁力军、兰洵、张婉婉、李安杰、李彤
38一种热补偿方法和热补偿装置发明专利公布CN202610810772.42026-06-05CN122425806A2026-07-21齐凌博、王刚、吴志刚
39一种晶圆表面缺陷检测方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610807347.X2026-06-05CN122602836A2026-08-18仝临杰、郭宏雁、马强强
40一种防溅射装置、杯体组件以及单片清洗机发明专利实质审查的生效、公布CN202610810286.22026-06-05CN122679843A2026-09-01左斌、夏新超、陈海龙、王颖、张树星
41晶圆全生命周期追踪管理系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610809606.22026-06-05CN122693691A2026-09-04张进宝
42一种控制晶圆生产的方法、装置、设备及介质发明专利公布CN202610810841.12026-06-05CN122719391A2026-09-08郑文腾
43包装袋的真空检测系统、方法、装置、设备及存储介质发明专利公布CN202610809800.02026-06-05CN122704550A2026-09-08王奕杰
44晶圆缺陷检测模型的训练方法、装置、电子设备及介质发明专利公布CN202610810141.22026-06-05CN122737651A2026-09-11张申申
45一种探头保护装置及探头保护方法发明专利公布CN202610808477.52026-06-05CN122723488A2026-09-11胡一洲
46硅片切割质量判定方法、装置、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202610806949.32026-06-05CN122723877A2026-09-11李乾康
47预测硅片时间依赖性雾的方法、装置及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610810722.62026-06-05CN122766315A2026-09-15齐凌博
48硅片盒外观检测方法和检测系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610808410.12026-06-05CN122780161A2026-09-18王奕杰、韩嘉豪、吕天爽
49抛光方法、抛光系统及硅片发明专利实质审查的生效、公布CN202610802574.32026-06-04CN122606459A2026-08-21张越、刘还平、宋国岗、方圭哲
50量测硅片电阻率的方法及硅片电阻率的量测装置发明专利公布CN202610798735.62026-06-04CN122719422A2026-09-08车宇航、兰洵

天眼查数据显示，西安欣芯材料科技有限公司成立日期2022年8月3日，法定代表人刘还平，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为中型，注册资本504400万人民币，实缴资本484251.631104万人民币，注册地址为陕西省西安市高新区西沣南路1888号1号办公楼1-1-046室。西安欣芯材料科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目181次，财产线索方面有商标信息0条，专利信息205条，拥有行政许可25个。

西安欣芯材料科技有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种COP缺陷检测方法及装置发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611188680.32026-08-06CN122922097A2026-10-16万珣、苗小明、张泽坤
2一种机械损伤缺陷检测方法及装置发明专利发明专利申请公布、公布CN202611187591.72026-08-06CN123032633A2026-11-03万珣、苗小明、张泽坤、贾聪、赵李鑫
3定盘、双面研磨设备和研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611057074.82026-07-16CN122683611A2026-09-04秦文龙
4一种单晶生长设备的控制方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610916445.72026-06-24CN122687338A2026-09-04潘浩、张鹏举
5分区冷却系统、冷却控制方法、晶棒、晶圆及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610919944.12026-06-24CN122687334A2026-09-04潘浩、崔源进、张鹏举
6一种硅片分离设备及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610828346.32026-06-09CN122747192A2026-09-15白皓、范明亮、张伟
7一种防溅射装置、杯体组件以及单片清洗机发明专利实质审查的生效、公布CN202610810286.22026-06-05CN122679843A2026-09-01左斌、夏新超、陈海龙、王颖、张树星
8晶圆全生命周期追踪管理系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610809606.22026-06-05CN122693691A2026-09-04张进宝
9一种控制晶圆生产的方法、装置、设备及介质发明专利公布CN202610810841.12026-06-05CN122719391A2026-09-08郑文腾
10一种硅晶片的制备方法及硅晶片发明专利实质审查的生效、公布CN202610792164.52026-06-03CN122766253A2026-09-15蔡媛媛、申艳蕊
11测量方法及装置、监测方法及装置、单晶晶棒发明专利实质审查的生效、公布CN202610734168.82026-05-26CN122670797A2026-09-01赵亮
12外延片的制备方法、外延片及外延生长设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610657450.02026-05-13CN122503940A2026-08-04杨晨辉、贾帅、卢旭辉
13晶圆缺陷检测方法、装置及计算设备发明专利公布CN202610491002.82026-04-14CN122438553A2026-07-21王昭、庞鲁
14用于调整外延反应腔内基座位置的方法及控制设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610461476.82026-04-09CN122406367A2026-07-17口彦龙、贾帅、杨晨辉、刘世雄
15动态热场调控方法、单晶炉控制系统及计算机存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610354775.12026-03-23CN122189855A2026-06-12郭宏雁、潘浩、张鹏举
16一种加料角度调节方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610350636.12026-03-20CN121931593A2026-04-28赵嘉诚
17单晶生长方法及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610345729.52026-03-20CN121931595A2026-04-28潘浩、石小磊
18一种加热系统、方法及单晶硅生长装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610349958.42026-03-20CN122039199A2026-05-15潘浩、王浩、孙洪涛
19拉晶方法、装置、系统及单晶硅发明专利实质审查的生效、公布CN202610271117.62026-03-06CN122105606A2026-05-29蔡媛媛、张波娟、赵恒
20半导体晶棒生长工艺的缺陷检测方法、装置及计算设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610270993.72026-03-06CN122108959A2026-05-29蔡媛媛
21一种晶圆边缘检测方法、系统及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610266422.62026-03-05CN122227930A2026-06-16郑文腾
22一种单晶硅生长控制方法、装置、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610235688.42026-02-27CN122358308A2026-07-10郭宏雁、潘浩、张鹏举
23半导体晶圆的表面处理方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610236149.22026-02-27CN122373714A2026-07-10王颖、左斌、陈海龙、张树星、夏新超
24单晶炉及单晶炉排气管道的清洁方法、装置及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610161883.72026-02-04CN122105601A2026-05-29彭标、孙洪涛、纪天平、姜辉
25一种实时调节清洗加工参数的清洗系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610108240.62026-01-27CN122161377A2026-06-05默玉海、周铖、陈祖庆
26用于单晶硅生长炉的导流装置、方法及单晶硅生长炉发明专利实质审查的生效、公布CN202610104861.72026-01-26CN122189848A2026-06-12蔡媛媛、郭宏雁、张鹏举、申艳蕊
27硅片刻蚀方法和硅片刻蚀设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610079762.82026-01-21CN121865865A2026-04-14贾志怡
28抛光头组件、化学机械抛光系统及晶圆的制备方法发明专利公布CN202511911677.52025-12-17CN121624982A2026-03-10王鹏、许涛、杨启
29单晶硅棒的生长控制方法、装置、介质以及单晶炉发明专利实质审查的生效、公布CN202511905877.X2025-12-17CN121951677A2026-05-01潘浩、崔源进、张鹏举
30一种晶圆清洁系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511907326.72025-12-17CN121969052A2026-05-01康建
31硅片的切割线痕缺陷检测方法、系统及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511904614.72025-12-17CN122048788A2026-05-15杨宗辉、陈曦鹏、王黎昱
32线切割装置及线切割取样方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511899233.42025-12-16CN121403584A2026-01-27王晋飞
33清洗设备、清洗方法、清洗装置、控制设备、产品及介质发明专利公布CN202511866027.32025-12-11CN121665982A2026-03-13张树星、陈海龙、夏新超、左斌
34一种籽晶倾斜检测方法及装置发明专利授权CN202511855413.22025-12-10CN121366283B2026-07-17彭标、孙洪涛
35晶圆检测方法及相关装置发明专利公布CN202511837367.32025-12-08CN121665979A2026-03-13吕天爽
36晶棒长度的确定方法、装置、介质及晶体生长系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511840689.32025-12-08CN121874923A2026-04-17赵亮
37一种单片清洗装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511840630.42025-12-08CN121888884A2026-04-17左斌、陈海龙、王颖、张树星、夏新超
38硅生长轴连接装置、硅生长系统及埚转偏差协同补偿方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511840788.12025-12-08CN121874924A2026-04-17彭标、孙洪涛
39单晶硅的拉晶控制方法、装置及相关设备发明专利公布CN202511826516.62025-12-05CN121538725A2026-02-17杨松、赵亮
40一种双面抛光方法、双面抛光设备及硅片发明专利实质审查的生效、公布CN202511817716.52025-12-04CN121870547A2026-04-17郭宏雁、陈祖庆
41硅片切割线痕判定方法及装置、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511772774.02025-11-28CN121374876A2026-01-23王黎昱、陈曦鹏
42晶圆处理方法及装置、电子设备发明专利公布CN202511775486.02025-11-28CN121548286A2026-02-17张城旗、苏艳宁、王黎昱
43一种用于晶棒生长的控制装置、方法以及拉晶炉发明专利公布CN202511762453.22025-11-27CN121556142A2026-02-24蔡媛媛
44化学机械抛光设备及抛光方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511755819.32025-11-27CN121696842A2026-03-20王泽康
45改善晶圆平坦度的方法、装置、设备、系统及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511766166.92025-11-27CN121756221A2026-03-31习恒
46一种拉晶收尾控制方法、装置、设备及计算机存储介质发明专利公布CN202511755172.42025-11-26CN121629510A2026-03-10刘锦章
47单晶硅棒的磨削控制方法、装置、存储介质及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511759290.22025-11-26CN121733370A2026-03-27闫旭斌
48加料装置、二次加料方法及单晶炉发明专利实质审查的生效、公布CN202511723278.62025-11-21CN121802535A2026-04-07代俊乐
49硅片边缘抛光设备及方法、控制装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511711516.12025-11-20CN121223677A2025-12-30默玉海
50参数监控方法及装置、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511711413.52025-11-20CN121433159A2026-01-30王龙飞

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