思特威取得CMOS图像传感器相关专利，该传感器可减红外串扰提红外成像性能

11月4日消息，国家知识产权局信息显示，思特威（上海）电子科技股份有限公司申请一项名为“CMOS图像传感器及其制备方法、电子设备”的专利，授权公告号CN117133786B，授权公告日为2026年11月3日。申请公布号为CN117133786A，申请号为CN202311180063.5，申请公布日期为2026年11月3日，申请日期为2023年9月13日，发明人欧阳琛、张驰，专利代理机构上海光华专利事务所（普通合伙），专利代理师卢炳琼，分类号H10F39/18、H10F39/00。

专利摘要显示，本发明提供一种CMOS图像传感器及其制备方法，以及一种电子设备。所述CMOS图像传感器自上而下包括像素结构层、红外光吸收层及导电互连层，其中，所述像素结构层背离所述红外光吸收层的表面为入射面，所述像素结构层包括若干间隔设置的像素单元，所述红外光吸收层包括电致变色材料层。本发明提供的CMOS图像传感器经改善的结构设计，能够有效减少乃至避免因导电互连层的金属面的红外反射带来的串扰，可显著提高CMOS图像传感器在红外应用领域的性能和精度，同时不增加制程的复杂性，不影响传感器的其他性能。本发明提供的电子设备，其在红外成像领域的应用可以得到进一步拓展。

天眼查数据显示，思特威（上海）电子科技股份有限公司成立日期2017年4月13日，法定代表人XU CHEN，所属行业为软件和信息技术服务业，企业规模为大型，注册资本40184.1572万人民币，实缴资本43906.7257万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室。思特威（上海）电子科技股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息297条，专利信息738条，拥有行政许可30个。

思特威（上海）电子科技股份有限公司近期专利情况如下：