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西安奕斯伟材料科技申请硅晶圆相关专利，该裂片法可降低SOI晶圆表面粗糙度

新浪证券-红岸工作室

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11月4日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“一种裂片方法及绝缘体上硅晶圆”的专利。申请公布号为CN123035933A，申请号为CN202611511289.2，申请公布日期为2026年11月3日，申请日期为2026年9月28日，发明人蒋治国、兰洵、岳中、李娟，专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师侯丽丽、宋东阳，分类号H10P90/00。

专利摘要显示，本公开涉及半导体制造技术领域。本公开提供了一种裂片方法及绝缘体上硅晶圆。裂片方法包括：在压力为0.2 MPa～2 MPa的气氛中对键合晶圆进行加热，并保温以使离子注入层中的氢气泡生长，其中，键合晶圆包括供体硅晶圆和基底硅晶圆，供体硅晶圆通过位于供体硅晶圆表面的二氧化硅层与基底硅晶圆键合，离子注入层由氢离子注入供体硅晶圆形成；在保温结束后，对键合晶圆进行降温，并在完成所述降温后将气氛的压力降低至常压；以及对降温和降压后的键合晶圆沿离子注入层进行剥离，使供体硅晶圆位于离子注入层与二氧化硅层之间的硅层转移至基底硅晶圆上，得到绝缘体上硅晶圆。由此，能够降低剥离后绝缘体上硅晶圆的表面粗糙度。

西安奕材是国内12英寸大硅片领域领先厂商，凭借自主可控技术壁垒深耕半导体核心材料赛道，公司成立于2016年3月16日，2025年10月28日登陆上海证券交易所，注册及办公地点均位于陕西省西安市。

公司专注于12英寸硅片的研发、生产和销售，所属申万行业为电子-半导体-半导体材料，同时覆盖26三季报业绩反转、大硅片、大基金概念相关概念板块。

2026年三季度，西安奕材实现营业收入26.51亿元，在行业30家可比企业中排名第7，高于17.95亿元的行业平均数与9.67亿元的行业中位数，同期行业营收榜首为有研新材的84.62亿元，雅克科技以67.21亿元位列第二；当期公司实现净利润1.51亿元，行业排名第11，高于1.44亿元的行业平均数与8828.74万元的行业中位数，同期雅克科技以9.34亿元居行业净利润首位，江丰电子以7.09亿元位列第二。

指标类型 统计周期 公司数值 行业排名/总样本数 行业头部企业数值 行业平均数 行业中位数
营业收入 2026年三季度 26.51亿元 7/30 第一名有研新材84.62亿元、第二名雅克科技67.21亿元 17.95亿元 9.67亿元
净利润 2026年三季度 1.51亿元 11/30 第一名雅克科技9.34亿元、第二名江丰电子7.09亿元 1.44亿元 8828.74万元

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1晶圆键合方法及绝缘体上硅衬底发明专利发明专利申请公布、公布CN202611547797.62026-10-08CN123035866A2026-11-03李娟、兰洵
2一种绝缘体上硅晶圆的制备方法及绝缘体上硅晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611547661.52026-10-08CN123035935A2026-11-03岳中、兰洵、蒋治国
3一种键合晶圆的制备方法及键合晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611547527.52026-10-08CN123035865A2026-11-03李娟、兰洵、蒋治国
4一种绝缘体上硅的加工方法及晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611530753.22026-09-30CN123035934A2026-11-03蒋治国、兰洵、岳中、李娟
5一种裂片方法及绝缘体上硅晶圆发明专利发明专利申请公布、公布CN202611511289.22026-09-28CN123035933A2026-11-03蒋治国、兰洵、岳中、李娟
6绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611478742.42026-09-22CN122995628A2026-10-27蒋治国、兰洵、岳中、李娟
7一种具有厚氧化层的硅晶圆及其制备方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611478724.62026-09-22CN122995534A2026-10-27段智方、兰洵
8离子注入方法、绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利CN202611473454.X2026-09-21CN122995627A2026-10-27蒋治国、兰洵、岳中、李娟
9冷却水流量的调节方法、装置、设备及存储介质发明专利发明专利申请公布、公布CN202611448764.62026-09-17CN123025213A2026-11-03张宁轩、唐玉明、邢开化
10氢离子注入方法、氢离子注入系统及绝缘体上硅晶圆发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611359045.72026-09-03CN122872096A2026-10-02蒋治国、兰洵、岳中、李娟
11晶圆及其键合方法、以及键合设备发明专利CN202611359102.12026-09-03CN122872097A2026-10-02蒋治国、兰洵、岳中、李娟
12离子注入方法、绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611359012.22026-09-03CN122872095A2026-10-02蒋治国、兰洵、岳中、李娟
13一种键合晶圆的分离装置、方法以及绝缘体上硅衬底发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611359822.82026-09-03CN122892481A2026-10-09蒋治国、兰洵、岳中、李娟
14含硅基薄膜层的衬底的制备方法、衬底及射频前端芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202611235694.62026-08-14CN122803599A2026-09-22车宇航、王文娟、张博、兰洵
15抛光垫的处理方法、装置及抛光设备发明专利发明专利申请公布、公布CN202611233998.92026-08-14CN122938730A2026-10-20张申申
16半导体晶圆及其制备方法、射频前端芯片发明专利发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布CN202611235696.52026-08-14CN122784317B2026-10-23张博、王文娟、车宇航、刘贵浩、兰洵
17电荷捕获层的制备方法、衬底结构及射频器件发明专利发明专利申请公布、公布CN202611235673.42026-08-14CN122971185A2026-10-23刘贵浩、王文娟、车宇航、张博、兰洵
18半导体晶圆及其制备方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611235665.X2026-08-14CN122995633A2026-10-27王文娟、刘贵浩、兰洵、车宇航、张博
19多晶硅层的制备方法、衬底结构及射频前端芯片发明专利发明专利申请公布、公布CN202611235679.12026-08-14CN123022130A2026-10-30刘贵浩、车宇航、王文娟、张博、兰洵
20一种COP缺陷检测方法及装置发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611188680.32026-08-06CN122922097A2026-10-16万珣、苗小明、张泽坤
21一种机械损伤缺陷检测方法及装置发明专利发明专利申请公布、公布CN202611187591.72026-08-06CN123032633A2026-11-03万珣、苗小明、张泽坤、贾聪、赵李鑫
22硅片线切割质量评估方法、装置、电子设备和可读存储介质发明专利CN202611155807.12026-07-31CN122866151A2026-10-02任林
23晶圆容器条码识别方法、系统、设备及计算机存储介质发明专利发明专利申请公布、公布CN202611145363.32026-07-30CN122947789A2026-10-20叶力文
24一种辊轮形变监测装置及方法、蚀刻设备发明专利发明专利申请公布、公布CN202611144187.12026-07-30CN123028526A2026-11-03李坚毅、贺鑫、叶柯柯、刘坤
25二次倒角工序参数确定方法、装置、电子设备及存储介质发明专利发明专利申请公布、公布CN202611135292.92026-07-29CN122984572A2026-10-27程瑜
26预热环及外延设备发明专利发明专利申请公布、公布CN202611129248.72026-07-28CN123005509A2026-10-30王迪、何斌斌、俎世琦、金柱炫
27一种晶圆分选设备的控制方法、装置、设备及介质发明专利发明专利申请公布、公布CN202611067198.42026-07-17CN122984597A2026-10-27张皓然、王贺、同嘉锡、林山峰
28定盘、双面研磨设备和研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611057074.82026-07-16CN122683611A2026-09-04秦文龙
29晶圆中金属污染类型的检测方法及系统发明专利发明专利申请公布、公布CN202611061651.02026-07-16CN123008829A2026-10-30庞鲁、郭宏雁、史铁柱
30硅片边缘检测方法、硅片加工方法及硅片加工设备发明专利发明专利申请公布、公布CN202611051141.52026-07-15CN123022215A2026-10-30马强强、仝临杰
31半导体基底的处理方法及处理装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610914299.42026-06-24CN122679840A2026-09-01张申申
32一种单晶生长设备的控制方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610916445.72026-06-24CN122687338A2026-09-04潘浩、张鹏举
33分区冷却系统、冷却控制方法、晶棒、晶圆及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610919944.12026-06-24CN122687334A2026-09-04潘浩、崔源进、张鹏举
34对齐度测量装置和对齐度测量方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610826726.32026-06-09CN122505132A2026-08-04陈文洁
35一种硅片分离设备及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610828346.32026-06-09CN122747192A2026-09-15白皓、范明亮、张伟
36抛光垫清洁装置及方法、抛光设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610815519.82026-06-08CN122559886A2026-08-14马科宁
37基于多智能体的工艺监控系统、方法及晶圆制造系统发明专利公布CN202610816825.32026-06-08CN122732505A2026-09-11袁力军、兰洵、张婉婉、李安杰、李彤
38一种热补偿方法和热补偿装置发明专利公布CN202610810772.42026-06-05CN122425806A2026-07-21齐凌博、王刚、吴志刚
39一种晶圆表面缺陷检测方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610807347.X2026-06-05CN122602836A2026-08-18仝临杰、郭宏雁、马强强
40一种防溅射装置、杯体组件以及单片清洗机发明专利实质审查的生效、公布CN202610810286.22026-06-05CN122679843A2026-09-01左斌、夏新超、陈海龙、王颖、张树星
41晶圆全生命周期追踪管理系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610809606.22026-06-05CN122693691A2026-09-04张进宝
42一种控制晶圆生产的方法、装置、设备及介质发明专利公布CN202610810841.12026-06-05CN122719391A2026-09-08郑文腾
43包装袋的真空检测系统、方法、装置、设备及存储介质发明专利公布CN202610809800.02026-06-05CN122704550A2026-09-08王奕杰
44晶圆缺陷检测模型的训练方法、装置、电子设备及介质发明专利公布CN202610810141.22026-06-05CN122737651A2026-09-11张申申
45一种探头保护装置及探头保护方法发明专利公布CN202610808477.52026-06-05CN122723488A2026-09-11胡一洲
46硅片切割质量判定方法、装置、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202610806949.32026-06-05CN122723877A2026-09-11李乾康
47预测硅片时间依赖性雾的方法、装置及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610810722.62026-06-05CN122766315A2026-09-15齐凌博
48硅片盒外观检测方法和检测系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610808410.12026-06-05CN122780161A2026-09-18王奕杰、韩嘉豪、吕天爽
49抛光方法、抛光系统及硅片发明专利实质审查的生效、公布CN202610802574.32026-06-04CN122606459A2026-08-21张越、刘还平、宋国岗、方圭哲
50量测硅片电阻率的方法及硅片电阻率的量测装置发明专利公布CN202610798735.62026-06-04CN122719422A2026-09-08车宇航、兰洵

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