新浪财经

粤芯半导体申请硅基锗外延结构相关专利，锗牺牲层辅助除缺陷，提升锗外延结构质量

新浪证券-红岸工作室

关注

11月4日消息，国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种硅基锗外延结构及制作方法”的专利。申请公布号为CN123035869A，申请号为CN202611524588.X，申请公布日期为2026年11月3日，申请日期为2026年9月29日，发明人欧阳文森、王胜林，专利代理机构上海光华专利事务所（普通合伙），专利代理师焦亚杰，分类号H10P14/20、H10P50/24、H10P95/90、H10F30/21、H10F71/00、H10F77/122、H10F77/14。

专利摘要显示，本发明提供一种硅基锗外延结构及制作方法，采用刻蚀工艺形成硅凹槽后，于硅凹槽表面形成锗牺牲层以吸收硅凹槽表面的氧等离子体残留缺陷，然后去除锗牺牲层以去除氧等离子体残留缺陷，去除氧等离子体残留缺陷后，采用沉积工艺于硅凹槽表面形成基底硅层，以高质量的基底硅层为形成锗外延层的基底；即本申请采用锗牺牲层辅助去除硅凹槽表面的氧等离子体残留缺陷，并采用沉积工艺于硅凹槽的表面形成高质量的基底硅层，然后再形成锗外延层，形成锗外延层后硅和锗的界面平整，锗的晶体质量和均匀性高。

粤芯半导体成立于2017年12月12日，将于2026年10月13日在深圳证券交易所上市，注册及办公所在地均为广东省广州市，是国内领先的模拟芯片特色工艺晶圆代工企业，拥有全产业链配套的差异化竞争优势。

粤芯半导体隶属于申万行业电子-半导体-集成电路制造板块，相关概念板块覆盖大盘、昨日高换手、政府控股。公司以特色工艺晶圆代工为核心商业模式，服务芯片设计公司和终端客户，主要客户涵盖境内外多家一流半导体行业设计公司，具备集成电路、功率器件等产品的工艺研发与制造能力，产品应用领域覆盖消费电子、工业控制、汽车电子和人工智能等。

2026年三季度，粤芯半导体实现营业收入30.15亿元，在行业内5家可比企业中排名第4，当期行业营业收入第一名华润微为94.91亿元、第二名晶合集成达93.1亿元，行业平均营收59.73亿元，行业中位数为77.58亿元。同期公司净利润为-15.45亿元，在5家可比行业企业中排名第5，当期行业净利润第一名赛微电子为18.28亿元、第二名华润微达9.19亿元，行业平均净利润3.97亿元，行业中位数为4.41亿元。

指标类型 统计周期 公司数值 行业排名/总样本数 行业头部企业数值 行业平均数 行业中位数
营业收入 2026年三季度 30.15亿元 4/5 华润微94.91亿元、晶合集成93.1亿元 59.73亿元 77.58亿元
净利润 2026年三季度 -15.45亿元 5/5 赛微电子18.28亿元、华润微9.19亿元 3.97亿元 4.41亿元

粤芯半导体技术股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1非45度斜边的OPC预处理方法以及OPC修正方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611533396.52026-09-30CN123029740A2026-11-03李月、曾辉
2一种硅基锗外延结构及制作方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611524588.X2026-09-29CN123035869A2026-11-03欧阳文森、王胜林
3具有复合介质层的硅基锗光电探测器及制作方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611488053.12026-09-23CN122995329A2026-10-27欧阳文森、王胜林、余威明
4一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611298514.92026-08-26CN122803338A2026-09-22黄海燕、梁生逸、高沛雄
5一种硅基锗光电探测器及制作方法发明专利公布CN202611208527.22026-08-11CN122719214A2026-09-08欧阳文森、王秀金、王胜林、余威明
6一种硅基锗光电探测器及制作方法发明专利公布CN202611208526.82026-08-11CN122719213A2026-09-08欧阳文森、王胜林、余威明
7一种硅基锗光电探测器及制作方法发明专利公布CN202611208528.72026-08-11CN122719215A2026-09-08欧阳文森、王秀金、王胜林
8基于SOI衬底的终端结构、半导体器件及其制备方法发明专利发明专利权授予、授权、公布CN202611208529.12026-08-11CN122719155B2026-10-16高沛雄、黄海燕、赵仲文、陈丹
9半导体衬底、半导体器件及其制备方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611212967.52026-08-11CN123035726A2026-11-03高沛雄、黄海燕、赵仲文
10一种高压驱动芯片及其制备方法发明专利公布CN202611205604.92026-08-10CN122742447A2026-09-11赵仲文、张邦智、刘旭、高沛雄、张拥华
11一种双向DTSCR静电防护器件及半导体器件发明专利发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布CN202611182105.22026-08-05CN122699387B2026-10-16刘威、魏伟鹏、聂贝贝
12一种二阶噪声整形逐次逼近型模数转换器发明专利发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布CN202611095956.32026-07-23CN122600986B2026-10-30项伟鹏、吴朝晖、李斌、徐飞、石磊、周唯祎
13一种LDMOS混合器件模型构建方法、装置及电子设备发明专利发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布CN202611071287.62026-07-20CN122595951B2026-10-30袁贸宇、蒋盛、张安、梁生逸
14一种晶体管结构及其制备方法发明专利发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布CN202611063570.42026-07-17CN122602529B2026-10-09高沛雄、杨尊、赵仲文
15双向二极管触发的可控硅器件及其制备方法发明专利发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布CN202611055850.02026-07-16CN122555232B2026-10-16刘威、魏伟鹏、郑志辉
16一种接触孔电容结构制备方法和接触孔电容结构发明专利授权CN202611041537.12026-07-14CN122555168B2026-09-15张日林、刘文虎、王正阳
17一种红外光电探测器的制备方法及红外光电探测器发明专利实质审查的生效、公布CN202611015427.82026-07-09CN122534994A2026-08-07田野、周长见、叶圳达、林伟铭
18基极浮空三极管触发的可控硅器件及其制备方法发明专利发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布CN202611007829.32026-07-08CN122534957B2026-10-09聂贝贝、刘威
19双向DTSCR结构及静电防护器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610972336.72026-07-01CN122497115A2026-07-31刘威、魏伟鹏
20一种集成电路结构及其制作方法发明专利授权CN202610922953.62026-06-25CN122458480B2026-09-11高沛雄、刘毅成
21存储器分层测试方法、装置、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610895127.72026-06-22CN122531444A2026-08-07钟岱山、黄兆烨、陈斌斌
22产品分类排产方法以及系统发明专利公布CN202610898023.12026-06-22CN122736204A2026-09-11罗莹莹、张代英、王恒凯、江海峰、李耕宽、管坤泉、龚磊
23一种光罩检测配方生成方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610820577.X2026-06-08CN122641324A2026-08-25庄泽华
24一种浅沟槽隔离结构、生成方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202610795752.42026-06-04CN122872100A2026-10-02李金、孟凡顺、左大勇、黄建生
25用于芯片测试的设备控制方法、装置、设备及存储介质发明专利授权CN202610637358.82026-05-11CN122152021B2026-07-21钟岱山、黄兆烨、陈斌斌、罗洪、张宪育
26一种高压二次回滞静电防护器件及其制备方法发明专利授权CN202610613950.42026-05-07CN122161165B2026-07-21郑志辉、魏伟鹏
27器件获取系统及器件调用方法、器件存储方法、终端和介质发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202610611779.32026-05-07CN122133193B2026-09-18肖磊、蒋德舟、徐飞
28一种高反向维持DDSCR静电防护器件和芯片发明专利授权CN202610551327.02026-04-24CN122094188B2026-06-26刘威、魏伟鹏
29半导体器件及半导体器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610520957.12026-04-20CN122438378A2026-07-21赵仲文、张邦智、高沛雄、李成龙、张拥华
30半导体器件及半导体器件的制备方法发明专利公布CN202610520956.72026-04-20CN122438377A2026-07-21赵仲文、张邦智、高沛雄、许育骋、张拥华
31一种BCD器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610492258.02026-04-15CN122054674A2026-05-15田野、彭雄、吕游、马吉翔、周长见
32一种全隔离LDMOS结构及制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610429710.92026-04-02CN122318241A2026-06-30汤志腾、周长见、魏博文、高沛雄、张加亮、王刚
33一种掩模版数据确认方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610424304.32026-04-01CN122063821A2026-05-19曾辉
34一种半导体器件制备方法及半导体器件发明专利授权CN202610417674.42026-04-01CN121969158B2026-05-29刘晓庆、李斌、刘玉荣
35半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610361300.52026-03-24CN121925103A2026-04-24赵仲文、张邦智、赖宝宁、许俊焯、张拥华
36一种漏极扩展场效应晶体管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610341459.02026-03-19CN121888650A2026-04-17张邦智、刘振、赵仲文、许俊焯、张拥华
37一种薄膜电阻的制备方法、装置、电子设备及存储介质发明专利授权CN202610297366.22026-03-12CN121843227B2026-07-10赖圣明
38一种多指结构的LDMOS模型构建方法、装置及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610271295.92026-03-06CN122174785A2026-06-09赵远微、耿魁伟、梁生逸
39一种亚稳态消除电路、比较器电路及模数转换器发明专利授权CN202610271092.X2026-03-06CN121814094B2026-06-19连捷坤、石磊、徐飞、李思远、蔡江洋
40一种半导体通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质发明专利公布CN202610195369.52026-02-11CN121693123A2026-03-17李晓怡、陈茗岐、习艳军
41薄膜电阻制备方法、电阻器件及设备发明专利授权CN202610175372.02026-02-06CN121692672B2026-05-01李镇宇、李振文、张拥华、杜扬
42一种无人搬运车启停调度方法、装置及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610169442.12026-02-05CN121934521A2026-04-28陈嘉锋、李佰干
43一种分裂式深沟槽电容器的制备方法、装置、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610154297.X2026-02-03CN121941060A2026-04-28王肖莉、刘玉荣、赵仲文、许俊焯、陈丹、魏博文、张拥华
44半导体器件结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610153180.X2026-02-03CN121985814A2026-05-05鄢江兵、陈献龙、邱盼盼、李振文、赖圣明、邹继润
45背照式图像传感器的像素隔离结构制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610140645.82026-02-02CN121619974A2026-03-06陈鑫
46一种顶层金属层结构、生成方法以及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610124523.X2026-01-29CN121604811A2026-03-03赵仲文、李滋钰、石方毅、张拥华
47一种掩膜组、量测标记结构、形成方法及尺寸量测方法发明专利公布CN202610103461.42026-01-26CN121559807A2026-02-24黄远婷、文浩
48一种具备沟槽漏电极的LDMOS器件结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610082071.32026-01-21CN121908590A2026-04-21黄海燕
49一种P型DEMOS器件制备方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610082065.82026-01-21CN121908587A2026-04-21高沛雄、赵仲文、赖宝宁、张邦智、许俊焯、张拥华
50一种LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610047089.X2026-01-14CN121941069A2026-04-28黄海燕

加载中...