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芯联集成取得半导体测试结构相关专利,构造非共线投影的双电容半导体测试结构

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11月4日消息,国家知识产权局信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体测试结构”的专利,授权公告号CN224936064U,授权公告日为2026年11月3日。申请号为CN202522468243.4,申请公布日期为2026年11月3日,申请日期为2025年11月21日,发明人江雪柠、刘晗、吴荣成,专利代理机构苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师李洋、刘鹤,分类号H10P74/00、H10P74/20、G03F9/00。

专利摘要显示,本申请涉及一种半导体测试结构,包括第一测试单元和第二测试单元,第一测试单元包括第一电容,第二测试单元包括第二电容;第一电容包括第一有源区、第一栅介质层及第一栅极结构,第一有源区和第一栅极结构中一者为第一上极板,另一者为第一下极板;第二电容包括第二有源区、第二栅介质层及第二栅极结构,第二有源区和第二栅极结构中一者为第二上极板,另一者为第二下极板;第一上极板投影从第一下极板投影边缘内部延伸至外部,第二上极板投影从第二下极板投影边缘内部延伸至外部;第一、第二上极板间隔;从第一下极板投影边缘内部延伸至外部的方向为第一方向,从第二下极板投影边缘内部延伸至外部的方向为第二方向,第一、第二方向不共线。

芯联集成是国内领先的特色工艺晶圆代工服务商,聚焦MEMS与功率器件领域,具备全流程一站式代工服务壁垒。公司成立于2018年3月9日,于2023年5月10日登陆上海证券交易所,注册及办公所在地均为浙江省。

公司主营业务覆盖MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务,可为客户提供一站式系统代工解决方案,申万行业分类隶属于电子-半导体-集成电路制造,同时涵盖三季报业绩反转、集成电路、科创企业同股同权等概念板块。

2026年三季度,芯联集成实现营业收入77.58亿元,在行业内5家可比企业中排名第3,仅次于华润微的94.91亿元、晶合集成的93.1亿元,高于行业平均水平59.73亿元,与行业中位数持平;同期实现净利润3.4亿元,在5家可比企业中排名第4,低于赛微电子18.28亿元、华润微9.19亿元,略低于行业平均数3.97亿元与行业中位数4.41亿元。

指标类型 统计周期 芯联集成数值 行业排名/总样本数 头部企业表现 行业均值 行业中位数
营业收入 2026年三季度 77.58亿元 3/5 华润微94.91亿元、晶合集成93.1亿元 59.73亿元 77.58亿元
净利润 2026年三季度 3.4亿元 4/5 赛微电子18.28亿元、华润微9.19亿元 3.97亿元 4.41亿元

芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1电子油泵控制器的算力评估方法、装置、计算机设备和存储介质发明专利CN202611145716.X2026-07-30CN122946248A2026-10-20李铁峰、何耀华、陆珏
2MEMS麦克风的制备方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611121508.62026-07-27CN122970451A2026-10-23王鹏、徐泽洋、姚阳文
3形成硅通孔结构的方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611103943.62026-07-24CN122971239A2026-10-23毕丽丽
4半导体结构以及制造半导体结构的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611011850.02026-07-08CN122765958A2026-09-15张磊、方潇功、库尔班·阿吾提
5一种无尘室动态环境监控方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610980683.42026-07-02CN122775512A2026-09-18王生、王天东、刘超
6半导体器件的制备方法发明专利公布CN202610927683.82026-06-25CN122704843A2026-09-08任杨波
7芯片缺陷定位方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610869507.32026-06-16CN122631647A2026-08-25崔壮
8MEMS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610869881.32026-06-16CN122748564A2026-09-15王新龙
9垂直腔面发射激光器的制备方法发明专利公布CN202610861716.32026-06-15CN122716685A2026-09-08靳闪闪、何琼
10缺陷定位方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610846155.X2026-06-12CN122612651A2026-08-21李晓童、罗昌平、李剑
11MEMS器件的背腔偏移测试结构及测试方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610844554.22026-06-11CN122561818A2026-08-14傅思宇
12键合结构对准标记形成方法及键合结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610844002.12026-06-11CN122685007A2026-09-04王红海、吕林静
13一种MEMS器件及电子装置发明专利公布CN202610843036.92026-06-11CN122718612A2026-09-08唐丽文
14光刻掩膜和图形化方法发明专利公布CN202610649381.92026-05-12CN122488424A2026-07-31李悦、眭小超
15一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610613072.62026-05-07CN122161437A2026-06-05于贝贝、张俊龙、王琛
16半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件发明专利授权CN202610603325.12026-05-06CN122138453B2026-07-21黄艳、赵晓燕
17红外传感器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610588080.X2026-04-29CN122505417A2026-08-04周健
18晶圆版图结构及晶圆结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610504645.12026-04-16CN122341221A2026-07-03李悦、眭小超
19半导体器件背面金属化的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610488963.32026-04-14CN122396221A2026-07-14黄旭波、眭小超
20一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610488964.82026-04-14CN122396034A2026-07-14金善武、李婧、程显、张文博、姚泽辉
21振膜及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610430343.42026-04-02CN122349078A2026-07-07李佳利、徐泽洋、王鹏、鲁列微
22半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610420503.72026-04-01CN122340816A2026-07-03王强、孙金山、顾学强、宋苗苗
23半导体器件的制备方法、半导体器件及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610404592.62026-03-30CN122318834A2026-06-30徐鹏、张偲、王天然、张俊龙
24半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610400260.02026-03-30CN122340887A2026-07-03田淑芳、赵晓燕、黄艳
25深沟槽电容器的制备方法及深沟槽电容器发明专利实质审查的生效、公布CN202610370329.X2026-03-25CN122180083A2026-06-09林笛、赵晓燕、张子文
26电容麦克风、半导体结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610365274.32026-03-24CN122054060A2026-05-15傅思宇、姚阳文
27封装打线应力监测结构、芯片封装结构及封装打线应力的监测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610350219.72026-03-20CN122318819A2026-06-30张坦、李婧、吴桥伟
28半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340887.12026-03-19CN122227653A2026-06-16赵冰、赵晓燕、黄艳
29LDMOS器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340345.42026-03-19CN122227629A2026-06-16李宏伟
30套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610325340.42026-03-17CN121978872A2026-05-05李忠仁、赵晓燕、何福秀
31霍尔器件及其制造方法发明专利授权CN202610321598.72026-03-17CN121888864B2026-07-10黄艳、赵晓燕
32半导体器件及其制作方法、芯片、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610319423.22026-03-16CN122318295A2026-06-30黄艳、赵晓燕
33MEMS结构及其制备方法和测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610263262.X2026-03-05CN122102048A2026-05-29王红海
34半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610264470.12026-03-05CN122301116A2026-06-30王曦
35一种霍尔元件发明专利实质审查的生效、公布CN202610252635.32026-03-03CN122121538A2026-05-29李宏伟
36DUP器件的焊盘结构及其打线方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610252633.42026-03-03CN122121712A2026-05-29李宏伟
37MEMS微镜及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610242335.72026-02-28CN122218940A2026-06-16毕丽丽、罗传鹏
38半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610235585.82026-02-27CN122121255A2026-05-29黄艳、赵晓燕、石磊
39垂直腔面发射激光器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610206631.12026-02-12CN122068361A2026-05-19靳闪闪、何琼
40一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610201260.82026-02-11CN122054671A2026-05-15黄艳、赵晓燕
41滤波器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610191106.72026-02-10CN122119555A2026-05-29穆苑龙、王鹏、姚阳文、徐泽洋
42MEMS器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610173899.X2026-02-06CN121974292A2026-05-05胡永宝、姚阳文、徐泽洋
43MEMS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610161355.12026-02-04CN122054059A2026-05-15王鹏
44高压电容隔离器及其制造方法发明专利授权CN202610156455.52026-02-04CN121645907B2026-05-26徐涛、王旭、刘晓雪
45半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610144599.92026-02-02CN122054611A2026-05-15张子文、赵晓燕、林笛
46深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075516.52026-01-20CN121888936A2026-04-17张涛、王旭
47用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075821.42026-01-20CN122028704A2026-05-12李忠仁、赵晓燕、何启庆
48负性光刻胶去边方法发明专利公布CN202512047655.52025-12-31CN121657384A2026-03-13张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩
49封装件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512031182.X2025-12-30CN121772812A2026-03-31徐达武、龚俊能
50一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511994715.82025-12-26CN121728807A2026-03-24叶强飞、黎哲、何云、罗顶

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