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南信大长光华芯申请多载波信号接收相关专利，该方法可有效降低多载波信号的符号误码率

新浪证券-红岸工作室

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11月4日消息，国家知识产权局信息显示，南京信息工程大学、苏州长光华芯光电技术股份有限公司申请一项名为“基于分层功率调控神经网络的多载波信号接收方法及系统”的专利。申请公布号为CN123035075A，申请号为CN202611208259.4，申请公布日期为2026年11月3日，申请日期为2026年8月11日，发明人刘博、任建新、李顺峰、毛雅亚、赵建业、姚翔、陈帅东、仲庆、宋秀敏、肖垚、王俊、李泉灵、孙婷婷、赵立龙、戚志鹏、李莹、王凤，专利代理机构北京同辉知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师连朋朋，分类号H04L27/26、H04L25/03。

专利摘要显示，本发明公开了基于分层功率调控神经网络的多载波信号接收方法及系统，涉及通信信号处理技术领域，包括：获取多载波调制信号，对多载波调制信号进行频域变换，得到时频网格表示，基于时频网格表示获取全局功率信息和局部功率信息，将全局功率信息和局部功率信息输入至预先建立的神经网络模型内，得到处理后的神经网络模型；将时频网格表示输入至处理后的神经网络模型内，生成用于符号判决的特征表示，基于特征表示对多载波调制信号进行符号判决，得到信号判决结果，能够有效降低多载波信号的符号误码率。

长光华芯是国内高功率半导体激光芯片领域领军企业，专注核心产品研发制造，具备全产业链技术壁垒。公司成立于2012年3月6日，于2022年4月1日登陆上海证券交易所，注册及办公所在地均为江苏省苏州市。

长光华芯主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售，从申万行业划分归属于电子-半导体-分立器件赛道，同时覆盖汽车芯片、商业航天、光刻机等热门概念板块。

2026年三季度，长光华芯实现营业收入6.33亿元，在行业18家可比企业中排名第14位，当期行业营收第一名士兰微达109.38亿元、第二名扬杰科技为71.83亿元，行业平均营收22.07亿元，行业中位数为14.21亿元；同期公司实现净利润5332.34万元，行业排名12/18，行业净利润榜首扬杰科技录得12.17亿元，第二名源杰科技为10.24亿元，行业净利润平均数1.56亿元，中位数为9255.53万元。

指标类型 当期数值 行业排名/总家数 行业头部企业数值 行业平均数 行业中位数
营业收入 6.33亿元 14/18 士兰微109.38亿元、扬杰科技71.83亿元 22.07亿元 14.21亿元
净利润 5332.34万元 12/18 扬杰科技12.17亿元、源杰科技10.24亿元 1.56亿元 9255.53万元

苏州长光华芯光电技术股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1半导体封装结构及其封装方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611555221.42026-10-09CN123034204A2026-11-03靳嫣然、周立、王俊、张宇昆、俞浩、李泉灵、胡燚文、李婷、闵大勇
2边发射半导体激光器及其制备方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611531802.42026-09-30CN123034212A2026-11-03邵烨、谭少阳、王俊、闵大勇
3一种巴条内激光器的跳模测试装置及方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611520249.42026-09-29CN123008255A2026-10-30吴承坤、宋子璇、王俊、赵武、肖垚、邵烨、万远红、闵大勇
4基于PCSEL的可重构光逻辑门及其实现方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202611382037.42026-09-08CN122945313A2026-10-20王俊、罗晨、肖垚、李顺峰、李泉灵、闵大勇、邓国亮、周昊
5半导体封装结构及其封装方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611282162.82026-08-24CN122782254A2026-09-18周立、靳嫣然、王俊、张宇昆、周旻超、李泉灵、胡燚文、闵大勇
6一种半导体激光器及其电流控制方法发明专利发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布CN202611283470.22026-08-24CN122801032B2026-10-30王俊、夏东恒、谭少阳、刘武灵、吴承坤、邵烨、田锟
7边发射半导体激光器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611223566.X2026-08-13CN122763153A2026-09-15王俊、刘博翱、蒋健文、程洋、李波、杨文帆、闵大勇
8基于分层功率调控神经网络的多载波信号接收方法及系统发明专利发明专利申请公布、公布CN202611208259.42026-08-11CN123035075A2026-11-03刘博、任建新、李顺峰、毛雅亚、赵建业、姚翔、陈帅东、仲庆、宋秀敏、肖垚、王俊、李泉灵、孙婷婷、赵立龙、戚志鹏、李莹、王凤
9半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611191711.02026-08-07CN122763156A2026-09-15詹文博、刘博翱、朱泽群、闵大勇
10边发射半导体激光器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611153368.02026-07-31CN122659675A2026-08-28王俊、刘武灵、谭少阳、李泉灵、肖垚、邓国亮
11基于非线性动态扰动和光子选频的光信号传输方法及系统发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202611136560.92026-07-29CN122932826A2026-10-16华程佳、赵建业、刘博、任建新、李顺峰、毛雅亚、陈帅东、仲庆、宋秀敏、肖垚、王俊、李泉灵、孙婷婷、赵立龙、戚志鹏、李莹、王凤
12边发射半导体激光器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611122670.X2026-07-28CN122638838A2026-08-25王俊、宋子璇、赵武、石祥生、田勇、邵烨
13一种子集优化三维格状编码调制方法及系统发明专利发明专利申请公布、公布CN202611071234.42026-07-20CN122951915A2026-10-20刘博、任建新、李顺峰、毛雅亚、陈帅东、杨杰荣、赵建业、仲庆、宋秀敏、肖垚、王俊、李泉灵、孙婷婷、赵立龙、戚志鹏、李莹、王凤
14基于双晶体级联差频与光参量放大的波长转换方法及系统发明专利发明专利申请公布、公布CN202611071126.72026-07-20CN123010300A2026-10-30任建新、刘博、李顺峰、毛雅亚、仲庆、田鹏飞、陈帅东、赵建业、宋秀敏、肖垚、王俊、李泉灵、孙婷婷、赵立龙、戚志鹏、李莹、王凤
15一种垂直腔表面发射激光器阵列发明专利实质审查的生效、公布CN202610983837.52026-07-03CN122782266A2026-09-18董梁、肖垚、葛畅、王俊、郭银涛、高元斌、赵武、李泉灵
16面向FPGA的可配置定点精度选择与混沌保持检测方法及装置发明专利实质审查的生效、发明专利申请公布、公布CN202610985275.82026-07-03CN122933468A2026-10-16任建新、刘博、李顺峰、毛雅亚、赵建业、柴信哲、陈帅东、仲庆、宋秀敏、肖垚、王俊、李泉灵、孙婷婷、赵立龙、戚志鹏、李莹、王凤
17一种分布式光栅激光器结构发明专利著录事项变更、授权、实质审查的生效、公布CN202610955901.92026-06-30CN122474974B2026-09-18田锟、谭少阳、王俊、吴承坤、邵烨
18一种半导体激光器发明专利授权CN202610884935.32026-06-18CN122436786B2026-08-21吴承坤、谭少阳、王俊、刘武灵、夏东恒、肖垚
19基于VCSEL偏振动力学的光子矢量神经元架构及物理正则化泛化机制发明专利实质审查的生效、公布CN202610615965.42026-05-07CN122528977A2026-08-07胡善亭、刘博、肖垚、王俊、任建新、朱磊、董粱、葛畅、李至瑞、张兴臣
20色散能带图的处理方法、装置及应用其的角分辨系统发明专利授权CN202610568837.92026-04-28CN122243737B2026-08-11孙方圆、肖垚、王俊、俞浩
21边发射半导体激光器芯片及其制备方法和失效分析方法发明专利授权CN202610560437.32026-04-27CN122092052B2026-07-24邵烨、谭少阳、王俊、闵大勇
22空间光通信湍流时序预测模型训练方法、相位补偿方法及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610482500.62026-04-13CN122264014A2026-06-23朱磊、刘博、王俊、忻向军、李顺峰、陈雨晴、任建新、王一丹、陈帅东、胡善亭、赵建业、仲庆、李志沛、李谨先、邓晓晓、朱建平、高然、肖垚、程洋、王斐、许琦
23半导体激光器及其封装方法发明专利授权CN202610413710.X2026-03-31CN121939217B2026-07-14张宇昆、周立、王俊、靳嫣然、胡燚文、肖垚、张建
24产生一维光斑阵列的设备及产生二维光斑阵列的设备发明专利授权CN202610379317.32026-03-26CN121922974B2026-06-23俞浩、许永博、王俊
25一种实现激光匀化光斑的光学装置及激光系统发明专利授权CN202610255969.62026-03-04CN121763582B2026-05-26宋玲玲、俞浩、莫亚娟、戈畅畅、王俊
26集成光栅的半导体发光结构及其制备方法发明专利授权CN202610069647.22026-01-20CN121546423B2026-05-19谭少阳、王俊、吴承坤、李刘晶、赵武、肖垚、邵烨、闵大勇
27半导体结构的制备方法发明专利授权CN202610031609.82026-01-12CN121484637B2026-05-12赵武、罗晨、王俊、李刘晶、李顺峰
28光学系统的光斑畸变校正方法、光学系统、装置及电子设备发明专利授权CN202512052281.62025-12-31CN121432706B2026-03-24宋玲玲、俞浩、王俊
29半导体激光器及其制备方法发明专利授权CN202512034833.02025-12-31CN121440356B2026-05-15王俊、章宇航、赵武、闵大勇
30液环真空泵叶轮拆解、组装一体通用工装治具及其使用方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、公布CN202511496469.32025-10-20CN120962570A2025-11-18严柏林、王俊、李波、肖啸、赵武、闵大勇
31一种基于多视向断面图像的三维重构方法和制备方法发明专利授权、实质审查的生效CN202511324100.42025-09-17CN120852676B2025-12-02王俊、李龙基、肖垚、孙正明、张燕、李刘晶、赵武、孙方圆、宋木、罗晨
32半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510615963.02025-05-14CN120127504B2025-07-25王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、肖垚、李泉灵、闵大勇
33量子级联发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510533789.52025-04-27CN120073480B2025-08-05詹文博、程洋、王俊、赵武、朱泽群、闵大勇
34一种半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510421116.02025-04-07CN119965677B2025-06-27李泉灵、王俊、程洋、赵武、闵大勇
35一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510329278.12025-03-20CN119834061B2025-07-01王俊、肖垚、李泉灵、高元斌、张昊、刘恒、苗霈、陆兴东、赵武
36一种半导体器件的表面处理设备及其方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510230234.32025-02-28CN119747316B2025-06-17李泉灵、王俊、李波、周立、谭少阳、杨杰、闵大勇
37高速率高效率低成本的半导体光通信器件及其制备方法发明专利授权CN202510233978.02025-02-28CN120149950B2026-06-23王俊、肖垚、陆兴东、高元斌、刘恒、苗霈、李泉灵
38一种外延片层的厚度测量方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510207800.92025-02-25CN119687839B2025-07-08杨文帆、王俊、程洋、詹文博、赵武、李婷、闵大勇
39半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510193767.92025-02-21CN119726361B2025-05-23张宇昆、周立、王俊、靳嫣然、胡燚文、杨文帆、李婷、闵大勇
40测试样品及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510181379.92025-02-19CN119666508B2025-06-03王俊、张燕、肖垚、李顺峰、宋木、李刘晶、赵武、苟于单、张弘、李泉灵
41半导体光子晶体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510134531.82025-02-07CN119581993B2025-06-03王俊、罗晨、肖垚、李顺峰、李刘晶、李泉灵、闵大勇、邓国亮、周昊
42一种高可靠性半导体激光器阵列封装结构制备夹具及应用其的封装结构制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510106803.32025-01-23CN119525640B2025-05-30靳嫣然、周立、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李泉灵
43多结垂直腔面发射激光器及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510073864.42025-01-17CN119496042B2025-04-15苗霈、王俊、刘恒、肖垚、闵大勇、李泉灵
44一种半导体激光器巴条叠阵及其封装方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510072590.72025-01-17CN119542923B2025-04-18靳嫣然、周立、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李婷
45气溶胶生成装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510085749.92025-01-17CN122397990A2026-07-17郭玉
46一种高均匀性二维VCSEL激光器及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411962956.X2024-12-30CN119381893B2025-04-18刘恒、高元斌、王俊、郭帅、苗霈、肖垚、闵大勇、李泉灵
47半导体发光结构及其制备方法和测试方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411886875.62024-12-20CN119362143B2025-04-11王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、李泉灵、闵大勇、邓国亮、张弘、苟于单
48半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411884893.02024-12-20CN119362152B2025-04-11邵烨、谭少阳、王俊、闵大勇
49模式调控半导体发光结构及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411884395.62024-12-20CN119362145B2025-04-15王俊、朱立宏、谭少阳、刘武灵、邵烨、闵大勇、邓国亮、周昊、李泉灵
50半导体封装结构及半导体封装结构的封装方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411884880.32024-12-20CN119340781B2025-04-15周立、靳嫣然、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李泉灵

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