11月4日消息，国家知识产权局信息显示，苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“一种氮化镓HEMT器件”的专利。申请公布号为CN123021712A，申请号为CN202510543713.0，申请公布日期为2026年10月30日，申请日期为2025年4月28日，发明人王鹏飞、李瑶、刘培港、刘伟，专利代理机构北京品源专利代理有限公司，专利代理师朱彩银，分类号H10D30/47、H10D62/10、H10D62/824、H10D64/27。
专利摘要显示，本发明提供一种氮化镓HEMT器件，包括：基底层；位于所述基底层之上的第一沟道层；位于所述第一沟道层之上的第一势垒层；贯穿所述第一势垒层的凹槽，所述凹槽的底部延伸至所述第一沟道层内，所述凹槽的侧壁呈一定角度的倾斜；位于所述第一势垒层之上且覆盖所述凹槽的内表面的第二沟道层；位于所述第二沟道层之上的第二势垒层；位于凹槽上方且位于所述第二势垒层之上的栅极结构；分别位于所述栅极结构两侧的源极和漏极。本发明的氮化镓HEMT器件在栅极结构下方具有单沟道，在栅极结构两侧具有双沟道，使得氮化镓HEMT器件在具有高阈值电压的同时也具有低漂移区导通电阻。
东微半导是国内领先的高性能功率器件供应商，依托技术壁垒深耕中大功率半导体赛道，投资价值突出。公司成立于2008年9月12日，于2022年2月10日登陆上海证券交易所，注册及办公地址均位于江苏省苏州市。
东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，申万行业分类隶属于电子-半导体-分立器件，同时覆盖专精特新、半导体产业、科创企业同股同权等概念板块。
2026年三季度，东微半导实现营业收入12.33亿元，在行业18家可比企业中排名第10，当期行业营收第一名士兰微达109.38亿元、第二名扬杰科技为71.83亿元，行业平均营收22.07亿元，行业营收中位数14.21亿元；同期实现净利润1.24亿元，行业排名第7，行业净利润榜首为扬杰科技的12.17亿元，第二名源杰科技录得10.24亿元，行业净利润平均数1.56亿元，行业净利润中位数9255.53万元。
| 指标类型 | 统计周期 | 公司数值 | 行业排名/总家数 | 行业头部企业数值 | 行业平均数 | 行业中位数 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 营业收入 | 2026年三季度 | 12.33亿元 | 10/18 | 士兰微109.38亿元、扬杰科技71.83亿元 | 22.07亿元 | 14.21亿元 |
| 净利润 | 2026年三季度 | 1.24亿元 | 7/18 | 扬杰科技12.17亿元、源杰科技10.24亿元 | 1.56亿元 | 9255.53万元 |
苏州东微半导体股份有限公司近期专利情况如下：
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种功率半导体模块 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610204670.8 | 2026-02-12 | CN122121710A | 2026-05-29 | 张航宇、袁伟、汤乐 |
| 2 | 一种IGBT器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510964353.1 | 2025-07-14 | CN120857530A | 2025-10-28 | 刘伟、林敏之 |
| 3 | IGBT器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510964367.3 | 2025-07-14 | CN120857531A | 2025-10-28 | 刘伟、林敏之 |
| 4 | 一种氮化镓HEMT器件 | 发明专利 | 发明专利申请公布、公布 | CN202510543716.4 | 2025-04-28 | CN123021713A | 2026-10-30 | 王鹏飞、李瑶、刘培港、刘伟 |
| 5 | 一种氮化镓HEMT器件的制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布、公布 | CN202510543714.5 | 2025-04-28 | CN123021693A | 2026-10-30 | 王鹏飞、李瑶、刘培港、刘伟 |
| 6 | 一种氮化镓HEMT器件 | 发明专利 | 发明专利申请公布、公布 | CN202510543711.1 | 2025-04-28 | CN123021710A | 2026-10-30 | 王鹏飞、李瑶、刘培港、刘伟 |
| 7 | 一种氮化镓HEMT器件 | 发明专利 | 发明专利申请公布、公布 | CN202510543713.0 | 2025-04-28 | CN123021712A | 2026-10-30 | 王鹏飞、李瑶、刘培港、刘伟 |
| 8 | 一种氮化镓HEMT器件 | 发明专利 | 发明专利申请公布、公布 | CN202510543712.6 | 2025-04-28 | CN123021711A | 2026-10-30 | 王鹏飞、李瑶、刘培港、刘伟 |
| 9 | 一种氮化镓HEMT器件的制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布、公布 | CN202510543715.X | 2025-04-28 | CN123021694A | 2026-10-30 | 王鹏飞、李瑶、刘培港、刘伟 |
| 10 | 半导体器件的制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510451624.3 | 2025-04-11 | CN120282464A | 2025-07-08 | 刘伟、王鹏飞、陈鑫 |
| 11 | 一种氮化镓器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202510255703.7 | 2025-03-05 | CN122719117A | 2026-09-08 | 李瑶、王鹏飞 |
| 12 | 氮化镓器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510008504.6 | 2025-01-03 | CN122340848A | 2026-07-03 | 王鹏飞、刘伟、刘磊 |
| 13 | 氮化镓器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411808056.X | 2024-12-10 | CN122205905A | 2026-06-12 | 王鹏飞、刘伟、刘磊 |
| 14 | 氮化镓器件的制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411806778.1 | 2024-12-10 | CN122205894A | 2026-06-12 | 刘伟、王鹏飞、刘磊 |
| 15 | 一种氮化镓器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411606016.7 | 2024-11-12 | CN122028458A | 2026-05-12 | 王鹏飞、刘磊、刘伟 |
| 16 | 一种氮化镓器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411606015.2 | 2024-11-12 | CN122028457A | 2026-05-12 | 王鹏飞、刘磊、刘伟 |
| 17 | 一种氮化镓器件的制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411606391.1 | 2024-11-12 | CN122028447A | 2026-05-12 | 王鹏飞、刘磊、刘伟 |
| 18 | 一种氮化镓器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411606018.6 | 2024-11-12 | CN122028459A | 2026-05-12 | 王鹏飞、刘磊、刘伟 |
| 19 | 一种IGBT器件的制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411371344.3 | 2024-09-29 | CN119230399B | 2025-03-11 | 刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊 |
| 20 | IGBT器件的制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411371340.5 | 2024-09-29 | CN119230398B | 2025-05-23 | 刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊 |
| 21 | IGBT器件的制造方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411371352.8 | 2024-09-29 | CN119230400B | 2025-10-17 | 刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊 |
| 22 | 半导体超结功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411330233.8 | 2024-09-24 | CN121240495A | 2025-12-30 | 王鹏飞、缪进征、王睿、袁愿林 |
| 23 | 一种IGBT器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410911946.7 | 2024-07-09 | CN118866946A | 2024-10-29 | 王鹏飞、林敏之 |
| 24 | 碳化硅器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410120811.9 | 2024-01-29 | CN120435042A | 2025-08-05 | 王鹏飞、范让萱 |
| 25 | 一种IGBT器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311106025.5 | 2023-08-30 | CN119562568A | 2025-03-04 | 刘磊、王鹏飞 |
| 26 | 一种IGBT器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311105888.0 | 2023-08-30 | CN119562567A | 2025-03-04 | 刘磊、王鹏飞 |
| 27 | 碳化硅器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310715907.5 | 2023-06-16 | CN119153497A | 2024-12-17 | 王鹏飞、范让萱、刘磊、缪进征 |
| 28 | 碳化硅器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310715908.X | 2023-06-16 | CN119153498A | 2024-12-17 | 王鹏飞、范让萱、刘磊、缪进征 |
| 29 | 碳化硅器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202310367493.1 | 2023-04-07 | CN118782646A | 2024-10-15 | 刘磊、王鹏飞 |
| 30 | 半导体超结功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211651724.3 | 2022-12-21 | CN118231464A | 2024-06-21 | 王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿 |
| 31 | 半导体超结功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211649969.2 | 2022-12-21 | CN118231446A | 2024-06-21 | 王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿 |
| 32 | 半导体功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211652272.0 | 2022-12-21 | CN118231465A | 2024-06-21 | 王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿 |
| 33 | 半导体功率器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211271548.0 | 2022-10-18 | CN117954490A | 2024-04-30 | 王鹏飞、毛振东、范让萱 |
| 34 | 半导体超结功率器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211271803.1 | 2022-10-18 | CN117954491A | 2024-04-30 | 王鹏飞、袁愿林、王睿、刘磊、缪进征 |
| 35 | 氮化镓器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210960844.5 | 2022-08-11 | CN117637832A | 2024-03-01 | 王鹏飞、林敏之、刘磊 |
| 36 | 半导体功率器件的制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210544438.0 | 2022-05-18 | CN117133643A | 2023-11-28 | 缪进征、王鹏飞、范让萱 |
| 37 | 氮化镓HEMT器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210551950.8 | 2022-05-18 | CN117133794A | 2023-11-28 | 王鹏飞、林敏之、刘磊 |
| 38 | 半导体功率器件及其制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的撤回、实质审查的生效、公布 | CN202210539346.3 | 2022-05-17 | CN117116976A | 2023-11-24 | 王鹏飞、毛振东、范让萱 |
| 39 | 半导体功率器件的制造方法及器件 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的撤回、实质审查的生效、公布 | CN202210539330.2 | 2022-05-17 | CN117116748A | 2023-11-24 | 王鹏飞、毛振东、范让萱 |
| 40 | IGBT器件的制造方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210367143.0 | 2022-04-08 | CN116936357B | 2025-10-03 | 刘伟、王鹏飞、刘磊、龚轶 |
| 41 | IGBT器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202210366889.X | 2022-04-08 | CN116936626B | 2025-11-28 | 范让萱、缪进征、王鹏飞、刘磊、龚轶 |
| 42 | 半导体二极管及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210363432.3 | 2022-04-07 | CN116936603A | 2023-10-24 | 王鹏飞、王睿、林敏之、刘磊、龚轶 |
| 43 | 半导体功率器件 | 实用新型 | 授权 | CN202220614408.8 | 2022-03-21 | CN217037151U | 2022-07-22 | 王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿 |
| 44 | 碳化硅器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210280761.1 | 2022-03-21 | CN116825828A | 2023-09-29 | 范让萱、缪进征、王鹏飞 |
| 45 | 碳化硅器件的制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210282247.1 | 2022-03-21 | CN116825621A | 2023-09-29 | 范让萱、缪进征、王鹏飞 |
| 46 | 半导体超结功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210281110.4 | 2022-03-21 | CN116825829A | 2023-09-29 | 王鹏飞、刘磊、袁愿林、王睿 |
| 47 | 半导体功率器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210279749.9 | 2022-03-21 | CN116827322A | 2023-09-29 | 王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿 |
| 48 | 碳化硅二极管及其制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的撤回、实质审查的生效、公布 | CN202210276766.7 | 2022-03-21 | CN116825803A | 2023-09-29 | 范让萱、缪进征、王鹏飞 |
| 49 | 碳化硅器件终端结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210281170.6 | 2022-03-21 | CN116825804A | 2023-09-29 | 范让萱、缪进征、王鹏飞 |
| 50 | 半导体二极管 | 发明专利 | 授权 | CN202111611956.1 | 2021-12-27 | CN116364748B | 2026-04-03 | 刘磊、刘伟、袁愿林、王睿 |
