【#长鑫科技与美光产生技术分歧# ，#长鑫科技回应4F2架构争议# 】
长鑫科技发布第三季度财报后，10月31日下午公布了一份投资者关系活动记录表，内容为业绩说明会的记录。长鑫科技在业绩说明会上回应了多个市场关切的问题。
此前长鑫科技宣布在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构上取得关键突破。该架构据称单位面积晶体管数量可比目前主流的6F²架构更多，且一定程度摆脱了工艺瓶颈。
此次长鑫科技透露，公司下一代也就是第六代工艺技术平台将基于4F²架构，该工艺技术平台已完成工程样片验证。4F²架构通过更紧凑的布局缩小存储单元面积、提高单位面积存储密度。采用4F²架构的首代产品今年年底送样后，该架构的规模量产会根据客户验证进度、市场需求情况推进。
长鑫宣布4F²架构取得突破后，相关技术在业内引起争议。
美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer（斯科特·德波尔）本月早些时候表示，美光将沿着6F²路径并开发3D DRAM，不做4F²，理由是复杂度与成本上升。美光研究了4F² 20年，认为这个方向没有可行微缩路径和实际收益。
Scott DeBoer解释，电容间距、电容尺寸和尺寸参数实际上才是决定位密度理论极限的关键，一切都围绕电容间距进行优化。
长鑫科技此次回应了“密度不仅取决于架构，还取决于电容间距”的说法和海外厂商不走4F²路线的做法。
“从物理规律看，DRAM位密度提升确实是一个复杂的系统工程，涉及字线、位线以及电容结构的多重空间博弈。”长鑫科技称，相关说法反映了行业在先进制程微缩阶段所面临的普遍物理挑战。在特定技术节点下，不同架构在工艺集成复杂度、光刻次数、以及热预算等方面呈现出不同的成本效益曲线。
