通富微电申请芯片焊接方法相关专利，该晶圆级芯片焊法提效保质控焊料量

10月30日消息，国家知识产权局信息显示，通富微电子股份有限公司申请一项名为“晶圆级芯片焊接方法”的专利。申请公布号为CN122995705A，申请号为CN202611095843.3，申请公布日期为2026年10月27日，申请日期为2026年7月22日，发明人陶玉娟、朱秋昀，专利代理机构北京中知法苑知识产权代理有限公司，专利代理师江南，分类号H10W72/00、H10P58/00。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种晶圆级芯片焊接方法，包括：提供载体，在述载体的表面形成种子层；在种子层的表面形成多个间隔设置的焊料片；提供晶圆，在晶圆的背面涂覆助焊剂层；晶圆朝上放置对准载体后，将晶圆背面的各芯片区域键合于与其对应的所述焊料片上；去除载体，将晶圆朝下放置，并去除种子层；进行回流焊，以将各焊料片焊接固定于晶圆的背面；对晶圆进行切割以形成多个独立的芯片。该方法将焊料片阵列完整地转移至晶圆，实现晶圆级的焊料片的批量转移，提升焊接效率；保留了焊料片低空洞率的优点；晶圆级工艺确保了焊料量精确一致，提升焊接质量。

通富微电是国内领先的集成电路封测头部企业，具备先进封装技术壁垒，1994年2月4日成立，2007年8月16日于深圳证券交易所上市，注册及办公所在地均为江苏省南通市。

公司主营业务为集成电路的封装和测试，申万行业分类隶属于电子-半导体-集成电路封测赛道，同时覆盖大基金二期、玻璃基板封装、大基金概念相关概念板块。

2026年三季度，通富微电实现营业收入248.85亿元，在行业11家可比企业中排名第2，仅次于长电科技的309.52亿元，大幅高于64.23亿元的行业平均水平与15.15亿元的行业中位数；同期实现净利润31.53亿元，位列行业11家可比企业首位，显著高于第二名长电科技的15.89亿元，远超5.09亿元的行业平均数与3718.22万元的行业中位数，盈利表现领跑封测赛道。

通富微电子股份有限公司近期专利情况如下：