通富微电取得片上电感器相关专利，该方法提升片上电感器磁性层覆盖率与均匀性

10月30日消息，国家知识产权局信息显示，通富微电子股份有限公司申请一项名为“片上电感器结构及其制作方法”的专利，授权公告号CN117133524B，授权公告日为2026年10月23日。申请公布号为CN117133524A，申请号为CN202311171260.0，申请公布日期为2026年10月23日，申请日期为2023年9月11日，发明人朱秋昀、杜茂华，专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师高德志，分类号H01F17/00、H01F41/00。

专利摘要显示，一种片上电感器结构及其制作方法，所述制作方法，在基底的表面上形成第一磁性层后，在第一磁性层表面上形成电感器，包括一个导线线路；形成覆盖电感器的第一光敏涂层；对第一光敏涂层进行第一曝光，第一曝光时具有第一窗口，第一窗口的宽度大于电感器的宽度；在第一光敏涂层表面上形成第二光敏涂层；对第二光敏涂层进行第二曝光，第二曝光时具有第二窗口，第二窗口的宽度等于导线线路的宽度；去除电感器周围未被曝光的第一光敏涂层和第二光敏涂层，进行固化，形成覆盖电感器的图形化的涂层，图形化的涂层的侧壁呈缓慢下降的弧形并形成有缓冲区，缓冲区的拐角呈凹角；在图形化的涂层表面上形成第二磁性层。提高第二磁性层的覆盖率和厚度均匀性。

通富微电是全球领先的集成电路封测企业，具备先进封装技术壁垒，在高端封装领域拥有核心竞争优势。公司成立于1994年2月4日，2007年8月16日于深圳证券交易所上市，注册及办公地点均位于江苏省南通市。

公司主营业务为集成电路的封装和测试，所属申万行业为电子-半导体-集成电路封测，同时布局大基金二期、玻璃基板封装、大基金概念相关概念板块。

2026年三季度，通富微电实现营业收入248.85亿元，在国内11家同行业可比公司中排名第2，仅次于长电科技的309.52亿元，大幅高于64.23亿元的行业平均水平及15.15亿元的行业中位数；同期公司实现净利润31.53亿元，位列行业第1，超出第二名长电科技的15.89亿元近一倍，显著高于5.09亿元的行业平均数与3718.22万元的行业中位数，盈利表现领跑封测赛道。

通富微电子股份有限公司近期专利情况如下：