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湖北兴福电子材料股份有限公司申请复合磨料相关专利，该复合磨料提升抛光效率与工件表面质量

新浪证券-红岸工作室

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10月24日消息，国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种氮富集共价有机框架改性氧化铈复合磨料、抛光液及其CMP应用”的专利。申请公布号为CN122941357A，申请号为CN202610890632.2，申请公布日期为2026年10月20日，申请日期为2026年6月18日，发明人李少平、陈钰坤、贺兆波、张庭、罗月，专利代理机构湖北三峡专利代理事务所（普通合伙），专利代理师蒋悦，分类号C09K3/14、H10P52/40、C09G1/02。

专利摘要显示，本发明公开了一种氮富集共价有机框架/氧化铈异质复合磨料及其制备方法和化学机械抛光应用，属于半导体材料与超精密加工技术领域。该方法首先通过沉淀法制备纳米氧化铈颗粒，再采用溶剂热法合成含氮共价有机框架材料，并通过原位负载或后负载方式构建COF‑CeO2异质界面结构。COF中的亚胺键、酚羟基及含氮位点能够与CeO2表面形成稳定的Ce‑N和Ce‑O‑C界面键，促进电子迁移并诱导Ce4+向Ce3+转化，从而增加氧空位浓度，提高界面化学活性。同时，COF多孔骨架能够有效抑制CeO2颗粒团聚，改善浆料分散稳定性。所得复合磨料在光学玻璃抛光中表现出优异性能，在保持较高材料去除率的同时显著降低工件的表面粗糙度。本发明工艺简单、原料易得、易于工业放大，具有广阔的应用前景。

兴福电子是国内湿电子化学品领域领先企业，专注于高端电子化学品研发生产，具备突出的技术壁垒与全产业链配套优势。公司成立于2008年11月14日，于2025年1月22日登陆上海证券交易所，注册地与办公地均位于湖北省宜昌市。

公司主营业务为湿电子化学品的研发、生产和销售，核心产品涵盖电子级磷酸、电子级硫酸等通用湿电子化学品，以及蚀刻液、清洗剂、显影液、剥膜液、再生剂等功能湿电子化学品，申万行业分类隶属于电子-电子化学品Ⅱ-电子化学品Ⅲ，同时布局光刻胶、碳基半导体、半导体相关概念板块。

2026年三季度，兴福电子实现营业收入15.79亿元，在所属行业5家可比企业中排名第3，当期行业营收第一名光华科技为35.75亿元、第二名广钢气体为21.19亿元，行业营收平均数为19.97亿元，公司营收水平与行业中位数持平；同期实现净利润1.75亿元，行业排名第2，仅低于广钢气体的4.15亿元，当期行业净利润平均数为1.77亿元，公司净利润表现高于1.3亿元的行业中位数。

指标类型 统计周期 公司数值 行业排名/总家数 行业头部企业数值 行业平均数 行业中位数
营业收入 2026年三季度 15.79亿元 3/5 光华科技35.75亿元、广钢气体21.19亿元 19.97亿元 15.79亿元
净利润 2026年三季度 1.75亿元 2/5 广钢气体4.15亿元、兴福电子1.75亿元 1.77亿元 1.3亿元

湖北兴福电子材料股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种无氟且可控侧蚀面平整度的铜钼铌蚀刻液发明专利发明专利申请公布、公布CN202611136934.72026-07-29CN122918570A2026-10-16张宗萍、钟昌东、黄锣锣、郑秋曈
2一种二氯二氧钼的纯化方法及二氯二氧钼发明专利发明专利申请公布、公布CN202611086285.42026-07-21CN122916213A2026-10-16李辉、万富强、李锐峰、于本玲
3一种钛铝钼蚀刻液发明专利发明专利申请公布、公布CN202610890638.X2026-06-18CN122918571A2026-10-16贺兆波、黄锣锣、钟昌东、李文飞
4一种氮富集共价有机框架改性氧化铈复合磨料、抛光液及其CMP应用发明专利发明专利申请公布、公布CN202610890632.22026-06-18CN122941357A2026-10-20李少平、陈钰坤、贺兆波、张庭、罗月
5一种用于高深宽比微纳结构的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610599473.02026-04-30CN122699570A2026-09-04叶瑞、李辉、万富强、于本玲、王勇军
6化学桶倾倒测试与码垛装置以及倾倒测试方法发明专利公布CN202610399547.62026-03-30CN122426560A2026-07-21田广礼、李淳、黄安祥、李坤、谢鹏
7一种电子级异丙醇废液的回收精制方法发明专利公布CN202610403221.62026-03-30CN122482927A2026-07-31李少平、李超锋、吴清鹏、刘尚文、杨着
8一种高纯电子级红磷的制备方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610393047.12026-03-27CN122399729A2026-07-17贺兆波、曾靖淞、万富强、李淳
9一种降低半导体显示金属电极关键尺寸损失的蚀刻液及蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610382207.22026-03-26CN122405273A2026-07-17管飞、刘丰雨、张演哲、叶瑞、贺兆波
10一种半导体显示金属叠层选择性可控的蚀刻液及蚀刻方法发明专利公布CN202610382204.92026-03-26CN122483793A2026-07-31管飞、刘丰雨、张演哲、叶瑞、贺兆波
11一种不损伤Si衬底的碱性半导体清洗剂发明专利实质审查的生效、公布CN202610295436.02026-03-11CN122381877A2026-07-14贺兆波、谢建、王亮、李红云、李盛亮
12一种对低铟IGZO兼容的AlO碱性蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202610295434.12026-03-11CN122381816A2026-07-14谢建、王亮、李红云、李盛亮、叶瑞
13一种PTFE微孔折叠滤芯清洗方法发明专利公布CN202511994651.12025-12-26CN121668812A2026-03-17李少平、郭岚峰、杨着、刘洋、汪泳
14低颗粒度蚀刻后清洗剂的生产方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511945055.42025-12-22CN121930926A2026-04-28吴政、王亮、谢建、孟牧麟
15一种3 D NAND深孔结构蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511944347.62025-12-22CN121930835A2026-04-28贺兆波、李飞、冯凯、班昌胜
16一种抗反射层蚀刻后残留物的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511944787.12025-12-22CN122121572A2026-05-29贺兆波、吴政、王亮、谢建
17一种高纯度氢氧化钾的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511932357.82025-12-19CN121757885A2026-03-31彭俊杰、欧阳克银、吴昊、王荣、王豪
18一种半导体先进封装厚型负胶剥膜液及去胶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511930972.52025-12-19CN121879070A2026-04-17李少平、张演哲、欧阳克银、尉鹏
19一种用于功率芯片低成本、高镀速纯钯化学镀液发明专利实质审查的生效、公布CN202511931936.02025-12-19CN121874763A2026-04-17秦祥、叶瑞、王蝶、罗海燕
20一种离子交换树脂的干燥工艺和使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511931440.32025-12-19CN121869470A2026-04-17李少平、崔俊博、欧阳克银、吴昊、王荣
21一种半导体先进封装厚胶剥膜液及去胶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511930968.92025-12-19CN121879069A2026-04-17张演哲、叶瑞、贺兆波、欧阳克银、尉鹏
22一种半导体功率芯片铝基纯钯化学镀液及化学镀方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511931925.22025-12-19CN121874762A2026-04-17李少平、秦祥、贺兆波、王蝶、陈小超
23含苯和乙苯的电子级异丙醇废液回收方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511931950.02025-12-19CN121930071A2026-04-28吴清鹏、刘尚文、杨着、贺兆波、叶瑞
24一种基于有机体系的钼蚀刻液及其蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511910702.82025-12-17CN121951538A2026-05-01王震、冯凯、贺兆波、钟博文
25一种萘酰亚胺类高纯电子级光致产酸剂的提纯方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511911777.82025-12-17CN121949206A2026-05-01焦家龙、周钢翔、吴翔、李文飞
26一种通过一锅三步法反应合成有机硅稳定剂的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511901046.52025-12-16CN121851050A2026-04-14王震、冯凯、贺兆波、钟博文
27一种炭化树脂中元素含量的检测方法发明专利公布CN202511888861.22025-12-15CN121540696A2026-02-17杨磊、曾远、贺兆波、李琴
28一种可兼容多厚度铝/钼叠层蚀刻锥角的蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511888848.72025-12-15CN121914729A2026-04-24叶瑞、雷康乐、张演哲、钟昌东、李文飞
29一种二氧化硅和非晶氧化铟锡选择性蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511878487.82025-12-12CN121914730A2026-04-24赵哲鹏、冯凯、谭小龙、严凡、叶瑞
30一种高纯红磷中痕量杂质检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511868003.12025-12-11CN121762666A2026-03-31曾远、杨磊、陈香蓉、贺兆波
31一种高纯电子级硅基前驱体材料微量金属杂质检测前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511859439.42025-12-10CN121855989A2026-04-14李少平、万富强、杨着、贺兆波
32一种检测强酸体系中微量四甲基氢氧化铵的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511859494.32025-12-10CN121856458A2026-04-14谭小龙、贺兆波、冯凯、李飞
33一种电子级二乙氧基甲基硅烷中微量水分的检测前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511859490.52025-12-10CN121933323A2026-04-28万富强、杨着、贺兆波、李锐峰、侯建鑫
34一种硅表面清洗剂及其制备方法与应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511849707.42025-12-09CN121930923A2026-04-28杨俊伟、尹印
35一种基于Visio的湿电子化学品质量控制系统构建方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511849573.62025-12-09CN121961307A2026-05-01叶瑞、陈柳、欧阳克银、刘兴荣
36一种适用于RDL工艺的剥膜液发明专利公布CN202511840165.42025-12-08CN121657383A2026-03-13郑秋曈、钟昌东、高楒羽、张宗萍
37一种先进封装用无氰碱性电镀银添加剂的制备方法及其先进封装用银电镀液发明专利实质审查的生效、公布CN202511828947.62025-12-05CN121781231A2026-04-03李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超
38先进封装用无氰碱性银电镀液及在电镀银上的应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511828953.12025-12-05CN121802493A2026-04-07李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超
39一种有机体系中酸和酸铵含量的近红外检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511829422.42025-12-05CN121954908A2026-05-01李少平、汪凡杰、王亮、谢建
40一种低Ge含量的SiGe/Si选择性蚀刻液及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511820210.X2025-12-04CN121592351A2026-03-03余迪、尹印、马瑞、臧洋、崔会东
41一种具有PSPI侧壁保护功能的选择性BOE蚀刻液及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511820211.42025-12-04CN121780172A2026-04-03许真、张庭、贺兆波、李金航
42一种利用FIB制备TEM样品薄片的交叉减薄方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511810667.22025-12-03CN121703460A2026-03-20黄莉、曾远、徐泽、欧阳克银
43一种氮化钛和钨的高选择比蚀刻液及蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511801501.42025-12-02CN121852056A2026-04-14钟昌东、贺兆波、徐子豪、张宗萍
44一种四羟基四苯乙烯类光引发剂的制备方法及紫外线吸收剂发明专利实质审查的生效、公布CN202511801652.X2025-12-02CN121850908A2026-04-14黄仁兰、张诺诺、周钢翔、吴翔
45一种低电阻硅蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511801693.92025-12-02CN121852057A2026-04-14叶瑞、杨陈宗、尹印、贺兆波
46一种高选择性金属蚀刻液及蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511801389.42025-12-02CN121852055A2026-04-14叶瑞、钟昌东、曾婷、高楒羽
47一种高纯黄磷中痕量杂质的ICP-MS检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511792309.32025-12-01CN121762665A2026-03-31李少平、曾远、贺兆波、李琴、杨磊
48一种用于晶圆铝铜基的锌置换配方及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511792514.X2025-12-01CN121802395A2026-04-07王蝶、秦祥、付艳梅、杨铭、罗海燕
49一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511792228.32025-12-01CN121802420A2026-04-07钟博文、冯凯、王震、叶瑞
50一种连续化合成电子级甲基二乙氧基硅烷及联产氯化氢的装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511792510.12025-12-01CN121869237A2026-04-17张刚、万富强、侯建鑫、李锐峰、叶瑞

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