10月18日消息，国家知识产权局信息显示，瑞能半导体科技股份有限公司申请一项名为“二极管器件及其制造方法”的专利，授权公告号CN115566005B，授权公告日为2026年10月16日。申请公布号为CN115566005A，申请号为CN202211355939.0，申请公布日期为2026年10月16日，申请日期为2022年11月1日，发明人赵良、陈松，专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司，专利代理师娜拉，分类号H10W70/40、H10D80/20、H10W72/20、H10D8/00、H10W95/00、H10W70/00。
专利摘要显示，本申请提供了一种二极管器件及其制造方法。二极管器件包括框架、芯片组和连接件，芯片组包括层叠设置的至少两个芯片，芯片组沿层叠方向的一侧连接于框架，芯片包括沿层叠方向上相背的第一端面和第二端面，第一端面和第二端面的极性相反且面积大小不同。连接件连接于芯片组中的每两个芯片之间，连接件包括沿层叠方向上相背的第一表面和第二表面，第一表面与两个芯片中的一个芯片的第一端面相连接，第二表面与两个芯片中的另一个芯片的第二端面相连接，第一表面的面积与第一端面的面积相匹配，第二表面的面积与第二端面的面积相匹配。根据本申请实施例能够有效提高二极管器件中的串联芯片的连接牢固度和减小串联芯片的电阻。
天眼查数据显示，瑞能半导体科技股份有限公司成立日期2015年8月5日，法定代表人庞俊成，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为中型，注册资本36163.3396万人民币，实缴资本9000万人民币，注册地址为江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区富山东大道256号一、二楼。瑞能半导体科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息74条，拥有行政许可15个。
瑞能半导体科技股份有限公司近期专利情况如下：
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 沟槽型绝缘栅双极晶体管及制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510744947.1 | 2025-06-05 | CN120603263A | 2025-09-05 | 张硕、陈远召、沈鑫 |
| 2 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510075398.3 | 2025-01-17 | CN119894060A | 2025-04-25 | 戴胜强、戴海燕 |
| 3 | 半导体器件以及半导体器件的使用方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411087820.9 | 2024-08-08 | CN119010875A | 2024-11-22 | 张帅、陈远召 |
| 4 | 集成场效应晶体管及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411070212.7 | 2024-08-06 | CN119069473A | 2024-12-03 | 王辉、章剑锋 |
| 5 | 逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410941037.8 | 2024-07-15 | CN119008675A | 2024-11-22 | 张硕、陈远召、沈鑫、徐浩 |
| 6 | dv/dt可控的IGBT半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410756169.3 | 2024-06-12 | CN118610242A | 2024-09-06 | 张硕、陈远召、沈鑫、徐浩、李争 |
| 7 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410593702.9 | 2024-05-14 | CN118610210A | 2024-09-06 | 王辉、章剑锋 |
| 8 | 半导体器件及芯片 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311590176.2 | 2023-11-24 | CN117457718A | 2024-01-26 | 丁泊宁、胡爱斌、张宁涛、徐朔、李伟叶、沈煜 |
| 9 | 半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311520082.8 | 2023-11-15 | CN117577668A | 2024-02-20 | 李争、张硕、徐浩、陈远召 |
| 10 | 功率二极管及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311225946.3 | 2023-09-21 | CN117316897A | 2023-12-29 | 赵良 |
| 11 | 碳化硅MOSFET半导体器件及制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202311225903.5 | 2023-09-21 | CN117316977A | 2023-12-29 | 王辉、章剑锋 |
| 12 | 用于半导体的环氧封装组合物及其制备方法和半导体器件封装层 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202310429508.2 | 2023-04-20 | CN116376496B | 2025-06-13 | 题杨、乐聪、黄华兴 |
| 13 | 半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211665967.2 | 2022-12-23 | CN116053234A | 2023-05-02 | 龚锦秀、乐聪、陆爱华 |
| 14 | 半导体器件 | 实用新型 | 授权 | CN202223458495.1 | 2022-12-23 | CN220155533U | 2023-12-08 | 龚锦秀、乐聪、陆爱华 |
| 15 | 焊接结构及功率器件 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202211463617.8 | 2022-11-22 | CN115673467A | 2023-02-03 | 乐聪、陈松、黄华兴 |
| 16 | 二极管器件 | 实用新型 | 专利申请权、专利权的转移、专利申请权、专利权的转移、授权 | CN202223016448.1 | 2022-11-14 | CN219144175U | 2023-06-06 | 赵良、陈松 |
| 17 | 二极管器件 | 实用新型 | 避免重复授权放弃专利权、专利申请权、专利权的转移、专利申请权、专利权的转移、授权 | CN202222896635.7 | 2022-11-01 | CN218548433U | 2023-02-28 | 赵良、陈松 |
| 18 | 二极管器件及其制造方法 | 发明专利 | 发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布 | CN202211355939.0 | 2022-11-01 | CN115566005B | 2026-10-16 | 赵良、陈松 |
| 19 | 半导体器件和半导体器件的加工方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211138570.8 | 2022-09-19 | CN115377044A | 2022-11-22 | 徐维、章剑锋 |
| 20 | 沟槽型MOSFET晶体管及其制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202211114593.5 | 2022-09-14 | CN115207100A | 2022-10-18 | 付红霞、章剑锋、崔京京 |
| 21 | 沟槽型MOSFET晶体管 | 实用新型 | 授权 | CN202222409644.9 | 2022-09-09 | CN218730960U | 2023-03-24 | 付红霞、章剑锋、崔京京 |
| 22 | 沟槽型MOSFET晶体管及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202211103487.7 | 2022-09-09 | CN116314325A | 2023-06-23 | 付红霞、章剑锋、崔京京 |
| 23 | 双沟槽型碳化硅晶体管 | 实用新型 | 避免重复授权放弃专利权、授权 | CN202222310036.2 | 2022-08-31 | CN218123413U | 2022-12-23 | 林苡任、崔京京、章剑锋 |
| 24 | 沟槽型碳化硅晶体管 | 实用新型 | 授权 | CN202222309961.3 | 2022-08-31 | CN218123412U | 2022-12-23 | 林苡任、崔京京、章剑锋 |
| 25 | 沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202211063707.8 | 2022-08-31 | CN115394835B | 2025-12-12 | 林苡任、崔京京、章剑锋 |
| 26 | 双沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202211058212.6 | 2022-08-31 | CN115377192B | 2026-05-22 | 林苡任、崔京京、章剑锋 |
| 27 | 载具和可实现不同框架材质的内部绝缘功率器件的方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202210990647.8 | 2022-08-18 | CN115319227A | 2022-11-11 | 乐聪、陈松、黄华兴、陆爱华 |
| 28 | 引线框架和半导体封装结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202210788080.6 | 2022-07-06 | CN115064514A | 2022-09-16 | 乔祝云、章剑锋 |
| 29 | 引线框架和半导体封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202221729475.0 | 2022-07-06 | CN218241837U | 2023-01-06 | 乔祝云、章剑锋 |
| 30 | 增强型垂直HEMT器件结构 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202210602586.3 | 2022-05-30 | CN114914301A | 2022-08-16 | 王辉 |
| 31 | 二极管封装结构 | 实用新型 | 专利申请权、专利权的转移、专利申请权、专利权的转移、授权 | CN202122400421.1 | 2021-09-30 | CN216213418U | 2022-04-05 | 赵良、陈松、胡爱斌 |
| 32 | 二极管封装结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202111163771.9 | 2021-09-30 | CN115910967A | 2023-04-04 | 赵良、陈松、胡爱斌 |
| 33 | 半导体封装结构及其制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202110945983.6 | 2021-08-18 | CN113394177A | 2021-09-14 | 赵良、陈松 |
| 34 | 一种共阳极二极管器件及其制备方法 | 发明专利 | 专利申请权、专利权的转移、专利申请权、专利权的转移、授权、实质审查的生效、公布 | CN202110707360.5 | 2021-06-25 | CN113257797B | 2022-04-22 | 陆爱华、黄华兴、陈松 |
| 35 | 碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202011555663.1 | 2020-12-25 | CN112289851B | 2021-03-23 | 崔京京、章剑锋、黄玉恩 |
| 36 | 一种绝缘栅双极晶体管终端 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202011163332.3 | 2020-10-27 | CN112234099A | 2021-01-15 | 尹江龙、章剑锋、向军利 |
| 37 | 一种绝缘栅双极晶体管终端 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202011162496.4 | 2020-10-27 | CN112234098A | 2021-01-15 | 尹江龙、章剑锋、向军利 |
| 38 | 一种绝缘栅双极晶体管终端 | 实用新型 | 授权 | CN202022417666.0 | 2020-10-27 | CN213071146U | 2021-04-27 | 尹江龙、章剑锋、向军利 |
| 39 | 一种绝缘栅双极晶体管终端 | 实用新型 | 授权 | CN202022416606.7 | 2020-10-27 | CN213150781U | 2021-05-07 | 尹江龙、章剑锋、向军利 |
| 40 | 二极管及其制备方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202010958636.2 | 2020-09-14 | CN112117189A | 2020-12-22 | 尹江龙、章剑锋、向军利 |
| 41 | 二极管 | 实用新型 | 授权 | CN202022006235.5 | 2020-09-14 | CN213124448U | 2021-05-04 | 尹江龙、章剑锋、向军利 |
| 42 | 碳化硅沟槽栅晶体管 | 实用新型 | 授权 | CN202021271284.5 | 2020-07-02 | CN212848410U | 2021-03-30 | 崔京京、章剑锋、黄玉恩 |
| 43 | 功率器件及其成型方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202010160720.X | 2020-03-10 | CN111261711A | 2020-06-09 | 李东升、章剑锋、朱林佩 |
| 44 | 功率器件 | 实用新型 | 授权 | CN202020284192.4 | 2020-03-10 | CN211350662U | 2020-08-25 | 李东升、章剑锋 |
| 45 | 功率器件 | 实用新型 | 授权 | CN202020283778.9 | 2020-03-10 | CN211350661U | 2020-08-25 | 李东升、章剑锋、朱林佩 |
| 46 | 功率器件及功率器件制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202010160130.7 | 2020-03-10 | CN111370481B | 2025-08-05 | 李东升、章剑锋 |
| 47 | 功率器件 | 实用新型 | 授权 | CN202020283708.3 | 2020-03-09 | CN211350657U | 2020-08-25 | 李东升、章剑锋 |
| 48 | 功率器件 | 实用新型 | 授权 | CN202020281715.X | 2020-03-09 | CN211789024U | 2020-10-27 | 李东升、章剑锋、朱林佩 |
| 49 | 功率器件、功率器件的制作方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202010158139.4 | 2020-03-09 | CN111261701B | 2024-08-16 | 李东升、章剑锋 |
| 50 | 功率器件、功率器件的制作方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202010158090.2 | 2020-03-09 | CN111370480B | 2024-11-12 | 李东升、章剑锋、朱林佩 |
