10月18日消息，国家知识产权局信息显示，无锡昌德微电子股份有限公司申请一项名为“一种功率半导体器件故障诊断方法”的专利。申请公布号为CN122922664A，申请号为CN202611251421.0，申请公布日期为2026年10月16日，申请日期为2026年8月18日，发明人黄昌民、赵秋森、陈洪宁、余炳春，专利代理机构北京鼎大知识产权代理有限公司，专利代理师罗云飞，分类号G01R31/26、G01D21/02、G06F18/211、G06F18/213、G06F18/24。
专利摘要显示，本发明属于电力电子设备状态监测技术领域，具体涉及一种功率半导体器件故障诊断方法，包括以下步骤：获取功率半导体器件在至少一个开关周期内的电参数和温度参数；对所述电参数进行开关事件定位，并提取导通特征、关断特征和开通特征；根据温度参数对各特征进行温度补偿，形成待诊断特征向量；将待诊断特征向量与对应工况下的健康基准特征向量进行比较，获得特征残差；根据不同特征残差之间的关联关系确定故障类型及故障位置，并根据连续多个诊断周期的诊断结果计算故障置信度；当故障置信度达到预设条件时，输出故障诊断结果。本发明能够降低负载变化和结温变化对诊断结果的影响，实现功率半导体器件早期故障的在线识别。
天眼查数据显示，无锡昌德微电子股份有限公司成立日期1995年12月4日，法定代表人黄昌民，所属行业为批发业，企业规模为中型，注册资本2000万人民币，实缴资本2000万人民币，注册地址为无锡市新吴区菱湖大道200号中国物联网国际创新园E1栋901。无锡昌德微电子股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息66条，拥有行政许可7个。
无锡昌德微电子股份有限公司近期专利情况如下：
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种功率半导体器件故障诊断方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布、公布 | CN202611251421.0 | 2026-08-18 | CN122922664A | 2026-10-16 | 黄昌民、赵秋森、陈洪宁、余炳春 |
| 2 | 一种超大电流平面IGBT芯片的封装方法 | 发明专利 | 授权 | CN202510648411.X | 2025-05-19 | CN120473395B | 2026-03-03 | 黄昌民、赵秋森、黄富强 |
| 3 | 一种二极管整形机 | 实用新型 | 授权 | CN202520845272.5 | 2025-04-29 | CN224026370U | 2026-03-24 | 黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金 |
| 4 | 一种超大功率光伏TMBS芯片的分层结构 | 实用新型 | 授权 | CN202520777542.3 | 2025-04-22 | CN224069035U | 2026-03-31 | 黄昌民、赵秋森、黄富强 |
| 5 | 一种平面可控硅芯片的多层封装工艺 | 发明专利 | 公布 | CN202510469913.6 | 2025-04-15 | CN120300004A | 2025-07-11 | 黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金 |
| 6 | 一种平面整流二极管用电阻检测方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510424486.X | 2025-04-03 | CN120370123A | 2025-07-25 | 黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金 |
| 7 | 一种大功率光伏TMBS芯片封装用检测系统 | 发明专利 | 授权 | CN202510425079.0 | 2025-04-03 | CN120356837B | 2025-12-09 | 黄昌民、赵秋森、黄富强 |
| 8 | 一种IGBT模块的多级散热基板结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510355017.7 | 2025-03-25 | CN120149278A | 2025-06-13 | 黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金 |
| 9 | 一种平面整流管芯的真空吸附式表面清洁装置 | 实用新型 | 授权 | CN202520507689.0 | 2025-03-20 | CN223960138U | 2026-03-03 | 黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金 |
| 10 | 一种FRD芯片的低应力钝化层封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202520499733.8 | 2025-03-20 | CN224154598U | 2026-04-21 | 黄昌民、赵秋森、黄富强 |
| 11 | 一种平面可控硅芯片的焊接设备 | 实用新型 | 授权 | CN202520412756.0 | 2025-03-10 | CN223811722U | 2026-01-20 | 黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金 |
| 12 | 一种可控硅芯片环氧封装压力固化模具 | 实用新型 | 授权 | CN202520411623.1 | 2025-03-10 | CN223918522U | 2026-02-17 | 黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金 |
| 13 | 一种IGBT模块真空焊接定位夹具 | 实用新型 | 授权 | CN202520400179.3 | 2025-03-07 | CN223789694U | 2026-01-13 | 黄昌民、黄富强、余炳春、陈小金 |
| 14 | 一种智能功率IPM模块控制方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202411319629.2 | 2024-09-20 | CN119108983A | 2024-12-10 | 黄昌民、张志奇、黄富强、谷岳生 |
| 15 | 一种平面结构型超高压二极管芯片 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410666050.7 | 2024-05-27 | CN118588692A | 2024-09-03 | 黄昌民、张志奇、黄富强、谷岳生 |
| 16 | 一种便于封装的三极管 | 实用新型 | 授权 | CN202421121348.1 | 2024-05-21 | CN222281975U | 2024-12-31 | 黄昌民、张志奇、谷岳生、黄富强 |
| 17 | 一种IGBT模块的自动插针机 | 实用新型 | 授权 | CN202421123893.4 | 2024-05-21 | CN222338761U | 2025-01-10 | 黄昌民、张志奇、谷岳生、黄富强 |
| 18 | 一种三极管生产焊接设备 | 实用新型 | 授权、公布 | CN202421053853.7 | 2024-05-14 | CN222243010U | 2024-12-27 | 黄昌民、张志奇、黄富强、陈小金 |
| 19 | 一种IGBT集成模块用定位检测台 | 实用新型 | 授权 | CN202421047343.9 | 2024-05-14 | CN222507548U | 2025-02-18 | 黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金 |
| 20 | 一种肖特基二极管 | 实用新型 | 授权、公布 | CN202420957702.8 | 2024-05-06 | CN222190714U | 2024-12-17 | 黄昌民、张志奇、谷岳生、黄富强 |
| 21 | 一种肖特基芯片检测系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410542882.8 | 2024-05-01 | CN118362854A | 2024-07-19 | 黄昌民、张志奇、黄富强、谷岳生 |
| 22 | 一种大功率贴片二极管 | 实用新型 | 授权、公布 | CN202420947308.6 | 2024-05-01 | CN222190713U | 2024-12-17 | 黄昌民、张志奇、黄富强、陈小金 |
| 23 | 一种横向功率MOSFET器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311589297.5 | 2023-11-27 | CN117293173B | 2024-02-13 | 黄昌民、张志奇、谷岳生、黄富强 |
| 24 | 一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311394756.4 | 2023-10-26 | CN117153894B | 2024-02-13 | 黄昌民、张志奇、黄富强、陈小金 |
| 25 | 芯片封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202322355524.X | 2023-08-30 | CN220856563U | 2024-04-26 | 黄昌民 |
| 26 | 一种BJT音响管安全工作区检测装置 | 实用新型 | 授权 | CN202320769685.0 | 2023-04-07 | CN219464107U | 2023-08-04 | 黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金 |
| 27 | 一种音响管的成型结构 | 实用新型 | 授权 | CN202320750512.4 | 2023-04-07 | CN219659860U | 2023-09-08 | 黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金 |
| 28 | 一种IGBT终端结构 | 实用新型 | 授权 | CN202320568825.8 | 2023-03-21 | CN219321344U | 2023-07-07 | 黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金 |
| 29 | 一种音响管的安装固定机构 | 实用新型 | 授权 | CN202320564077.6 | 2023-03-21 | CN219697897U | 2023-09-15 | 黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金 |
| 30 | 一种晶体管晶圆检测装置 | 实用新型 | 授权 | CN202320502458.1 | 2023-03-15 | CN219573953U | 2023-08-22 | 黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金 |
| 31 | 一种半导体器件高温性能试验装置 | 实用新型 | 授权 | CN202320506915.4 | 2023-03-15 | CN219609129U | 2023-08-29 | 黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金 |
| 32 | 一种高压可控硅芯蚀刻机 | 发明专利 | 授权 | CN202310259055.3 | 2023-03-15 | CN116230592B | 2026-06-12 | 黄昌民、张志奇、谷岳生、陈小金 |
| 33 | 一种高可靠性均流设计的音频晶体管 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202211326975.4 | 2022-10-26 | CN115692469B | 2024-01-09 | 黄昌民、张志奇、何飞、黄国荣 |
| 34 | 一种MOS芯片生产用测试装置 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202210559799.2 | 2022-05-23 | CN114937617B | 2023-09-08 | 黄昌民、张志奇、何飞、黄国荣 |
| 35 | 一种MOS芯片蚀刻废物回收再利用装置 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202210542378.9 | 2022-05-17 | CN114951217A | 2022-08-30 | 黄昌民、张志奇、张站东、何飞 |
| 36 | 一种抗冲击性强的硅芯片结构 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210542380.6 | 2022-05-17 | CN114883276B | 2025-08-12 | 黄昌民、张志奇、何飞、黄国荣 |
| 37 | 新型功率集成二极管 | 实用新型 | 授权 | CN202221172673.1 | 2022-05-16 | CN217468408U | 2022-09-20 | 黄昌民、李学会 |
| 38 | 一种硅芯片双面光刻精细对准装置 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202210532943.3 | 2022-05-11 | CN114879453A | 2022-08-09 | 黄昌民、张志奇、张站东、何飞 |
| 39 | 一种应用于晶圆的智能化匀胶装置及匀胶工艺 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210514931.8 | 2022-05-11 | CN114779581B | 2025-01-28 | 黄昌民、张志奇、张站东、何飞、黄国荣 |
| 40 | 一种晶圆用高效剥膜装置及剥膜工艺 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202210513213.9 | 2022-05-11 | CN114843214B | 2025-07-15 | 黄昌民、张志奇、张站东、何飞、黄国荣 |
| 41 | 一种高耐压肖特基芯片 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202210052888.8 | 2022-01-18 | CN114361113B | 2022-11-15 | 黄昌民、李学会 |
| 42 | 功率集成二极管及其制造方法 | 发明专利 | 著录事项变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202110542357.2 | 2021-05-18 | CN113140559B | 2023-08-15 | 李学会、黄昌民 |
| 43 | 一种不易折弯的沟槽IGBT芯片结构 | 实用新型 | 授权 | CN202023221461.1 | 2020-12-28 | CN213601860U | 2021-07-02 | 黄昌民 |
| 44 | 一种IGBT芯片结构 | 实用新型 | 授权 | CN202023251748.9 | 2020-12-28 | CN213601856U | 2021-07-02 | 黄昌民 |
| 45 | 一种可独立控制开关的IGBT芯片结构 | 实用新型 | 授权 | CN202023221419.X | 2020-12-28 | CN213601863U | 2021-07-02 | 黄昌民 |
| 46 | 一种IGBT芯片安装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202023251758.2 | 2020-12-28 | CN213601861U | 2021-07-02 | 黄昌民 |
| 47 | 一种新型大功率音响用芯片散热结构 | 实用新型 | 授权 | CN202023251764.8 | 2020-12-28 | CN213906852U | 2021-08-06 | 黄昌民 |
| 48 | 一种VDMOS及其制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN201910674562.7 | 2019-07-25 | CN110299402A | 2019-10-01 | 李学会、黄昌民 |
| 49 | 一种VDMOS及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN201910674470.9 | 2019-07-25 | CN110299401A | 2019-10-01 | 李学会、黄昌民 |
| 50 | 一种VDMOS | 实用新型 | 授权 | CN201921176128.8 | 2019-07-25 | CN209896066U | 2020-01-03 | 李学会、 黄昌民 |
