成立一月获红杉领投，北京这家企业要突破AI算力功耗墙

（来源：VCA创投社）

2026年9月4日，北京海淀区成府路45号A1原点社区C座，一家名为星火辰光的公司完成了工商注册。注册资本50万元，经营范围覆盖集成电路芯片设计、光电子器件制造与销售等环节。一个月后，这家公司宣布完成首轮融资，红杉中国领投，三安光电跟投，云岫资本担任后续轮次独家财务顾问。

公司目标非常聚焦：研发基于Micro-LED的光互连芯片及解决方案，重点面向AI与高性能计算场景中"芯片之间、计算与存储之间"的高速低功耗数据交换。它要解决的不是"算力不够"，而是集群内部"数据搬不动、搬得太贵"——这正是当前AI数据中心最棘手的功耗墙与带宽墙。

成立一个月，红杉领投

星火辰光的创始人是李振浩，同时担任公司法定代表人、董事、经理及财务负责人。

真正让星火辰光区别于大多数初创公司的，是其技术底座的“产学研拼图”结构。公司成立之初便与清华大学、天津元旭半导体建立了深度研发合作关系。在近期公布的联合研发成果中，三方分工清晰：元旭半导体负责Micro-LED芯片工艺优化、巨量转移技术和玻璃基集成光电封装；清华大学与星火辰光则专注突破Micro-LED外延技术、高速芯片设计等关键环节。三方通过“外延结构优化—芯片精密制备—光电集成封装—测试迭代反馈”的全流程衔接，实现材料器件研究与后端集成应用需求的同步迭代。

这意味着星火辰光并非从零起步的“孤胆英雄”，而是站在清华大学在Micro-LED外延和高速芯片设计领域多年积累的肩膀上，以公司化方式承接实验室技术的产业化转化。这种模式在硬科技创业中正在成为主流路径——创始团队负责将学术成果转化为工程产品和商业方案，学术机构提供底层技术源头，产业方提供工艺和产能支撑。

星火辰光的产品方向非常聚焦：基于Micro-LED的光互连芯片及解决方案，面向AI与高性能计算场景中芯片间、计算与存储间的高速低功耗数据交换。

要理解这个产品方向的价值，需要先看清AI数据中心正在面临的物理约束。传统铜缆在高带宽下传输距离不足2米且发热严重，而随着GPU集群规模从万卡走向十万卡，芯片间、计算与存储间的数据交互频率呈指数级上升，铜互连的带宽密度和能效比已经逼近天花板。光互连被视为确定性的替代方向，但当前主流的硅光方案在成本和集成复杂度上仍有瓶颈。

Micro-LED光互连的技术逻辑与硅光截然不同。它不追求单一通道的极限速率，而是通过数百个中低速通道并行工作来提升总吞吐量——用行业人士的概括就是“汇细流成江海”。这种“宽而慢”的架构在短距传输场景中具备显著优势：每比特功耗可低至1pJ以下，热稳定性可达125°C，且与CMOS工艺的兼容性更好。

星火辰光与元旭半导体、清华大学的联合测试已经给出了初步验证：Micro-LED光互连芯片样品在500 A/cm²电流密度下，-3dB带宽达到3.5GHz。这个数字本身并不惊人，但它的意义在于为后续驱动电路、接收端和光学耦合的匹配设计提供了实测依据。在光互连芯片的开发中，从“能做出来”到“能测出来”再到“能用起来”，每一步都需要大量的工程迭代。

新的增量赛道

大模型训练与推理把AI集群不断推向Scale-up（纵向扩展），GPU之间、GPU与HBM/存储之间的数据搬运量指数上升。传统铜缆在带宽密度与功耗上日渐吃力；传统激光光模块虽带宽高，却存在成本高、功耗大、与CMOS集成困难等问题。短距、高密度、低功耗的光互连，由此从"可选项"变成"必答题"。据TrendForce分析，机柜内短距高速传输未来将形成三大方案并存：主动式电缆（AEC）、基于VCSEL的近封装光学（NPO）、以及基于Micro-LED的共封装光学（CPO）。

从技术路线看，Micro-LED光互连与硅光、VCSEL等其他光互连方案并非替代关系，而是错位互补。硅光方案追求长距高速传输，在数据中心之间的互联场景中占据主导；Micro-LED方案则以多通道并行架构在短距、高密度、低功耗场景中形成差异化优势。

根据TrendForce于2026年发布的行业预测，Micro-LED CPO光收发模组市场有望于2030年达到8.48亿美元，相关产品出货预计最快于2028年下半年明显放量。随着AI算力集群持续扩展，芯片间互连、内存扩展和资源池化等应用也为Micro-LED光互连提供了潜在的增量市场。

海外方面，美国加州初创公司Avicena是该领域最受关注的企业之一。其LightBundle技术通过分布在数百个通道上的LED阵列将电信号转换为光信号，台积电已于2026年4月宣布与Avicena合作，优化用于LightBundle技术的硅光电探测器阵列。Avicena迄今累计融资约1.3亿美元，投资者阵容包括三星催化剂基金、美光风投、SK海力士、Tiger Global等半导体产业巨头和头部基金。公司最新展示的评估平台集成了320个Micro-LED数据通道，实现了335通道、1Tbps总带宽、1pJ/bit能效的技术指标。

国内方面，复旦大学孵化企业光擎源在Micro-LED光互连领域取得新进展，分别通过空分复用和波分复用技术提升系统总带宽，带宽达到37 Gbps。聚灿光电的MicroLED CPO光芯片已完成系统样机验证并收到客户反馈，预计2027年完成客户端商业化机会验证，2028年实现商业化突破。此外，芯视佳、迈铼德微电子、晶镓半导体等企业也接连公示了Micro-LED光互连相关专利进展。

从行业整体节奏看，各家企业对规模化应用时间表的预判趋于一致：2026年是Micro-LED光互连CPO产品的落地元年，已有多家厂商推出评估套件和样品；2027至2028年将逐步进入量产爬坡阶段，规模化应用预计在2028年前后实现。在成本竞争力方面，预计2027年达到成本拐点（与铜缆持平），2028至2029年形成显著优势（综合成本低30%以上）。

但挑战同样清晰。光学耦合效率是当前最大的技术卡点——Micro-LED发光角度达120至150度，呈朗伯体发散，而光纤接收角极窄，耦合精度需控制在±1至2微米内，否则效率损失可达30%以上。芯片良率、巨量转移精度和异质集成工艺也是制约规模化量产的关键瓶颈。在成本端，当前Micro-LED CPO方案的成本仍是铜缆的5至10倍，产业链配套尚不成熟。

Micro-LED光互连赛道的未来，取决于一个核心问题的答案：AI算力集群对光互连的需求，会在多快的时间内从“可选方案”变为“刚需方案”。

从需求端看，这个拐点正在加速到来。NVIDIA和Cisco在2026年10月联合推出的USFP可插拔光模块规范，支持每通道400Gb/s的电信号传输，目标是在不增加网络功耗预算的前提下扩展AI工厂的算力规模。中国移动研究院推出的“DORA可重构光互连”架构及51.2T NPO交换机样机，也指向同一个方向：光互连正在从数据中心之间的长距传输，向芯片之间、板卡之间的短距互连渗透。传统铜缆在高带宽下传输距离不足2米且发热严重，AI数据中心的“带宽墙”“功耗墙”和热管理压力正在倒逼行业探索适配短距传输场景的新型光互连方案。

对于红杉中国和三安光电而言，押注星火辰光的逻辑不仅在于技术路线的先进性，更在于时间窗口的紧迫性。

而对于这家要打破AI算力功耗墙和带宽墙的新公司而言，如何将芯片样品的性能优势转化为稳定、低功耗且具备成本竞争力的可商业化的互连方案，将是接下来最关键的挑战。