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中欣晶圆申请砂轮磨损补偿相关专利,硅片倒角砂轮磨损在线检测精准补偿提质量

新浪证券-红岸工作室

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10月14日消息,国家知识产权局信息显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“硅片倒角加工中砂轮磨损补偿方法及其系统”的专利。申请公布号为CN122895935A,申请号为CN202611272015.2,申请公布日期为2026年10月13日,申请日期为2026年8月21日,发明人周卫宏,专利代理机构杭州融方专利代理事务所(普通合伙),专利代理师沈相权,分类号B24B1/00、B24B9/06、B24B51/00、B24B27/00、B24B49/00。

专利摘要显示,本发明涉及一种硅片倒角加工中砂轮磨损补偿方法及其系统,所属半导体晶圆加工技术领域,该方法以每盒25枚硅片为加工单元,在每盒加工之初选取第1枚(Slot1)和第2枚(Slot2)硅片作为检测样本,分别映射对应倒角机左右两侧砂轮。通过检测两枚硅片的倒角轮廓数据并与预设基准值比较,独立判断左右砂轮的磨损状态。若数据超限,系统根据偏差量量化计算进给或角度补偿参数,经极限校验后自动调整设备参数,随后继续加工该盒剩余硅片。实现了砂轮磨损的逐盒在线检测、精准量化补偿与独立控制,有效解决了现有技术中磨损检测滞后、补偿依据不足的问题,保证了批次产品倒角轮廓的一致性,显著提升了硅片加工质量与生产良率。

天眼查数据显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日,法定代表人贺贤汉,所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业,企业规模为大型,注册资本523559.0107万人民币,实缴资本122666.67万人民币,注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目46次,财产线索方面有商标信息7条,专利信息492条,拥有行政许可24个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1硅片倒角加工中砂轮磨损补偿方法及其系统发明专利公布CN202611272015.22026-08-21CN122895935A2026-10-13周卫宏
2晶圆抛光机载具的挂具及其使用方法发明专利公布CN202611211516.X2026-08-11CN122896025A2026-10-13张亚生
3用于CVD不锈钢备件边框的低腐蚀复合清洗液及清洗工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202611114252.62026-07-27CN122773362A2026-09-18吕进午
4一种直接检测熔汤温度的单晶炉测温装置和方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611022169.62026-07-09CN122751328A2026-09-15高洪涛、杨凯、曹雁、芮阳、河野贵之、张友海
5一种防边缘塌边的硅片磨片工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202611000756.52026-07-07CN122626084A2026-08-25缪燃
6APCVD氮气吹扫接头清洁工具及其控制方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202610994810.62026-07-06CN122850510A2026-10-02王方立
7一种改善硅片边缘质量的抛光液及抛光工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202610965685.62026-06-30CN122668633A2026-09-01姜翠兰、徐威楠、郭天天、张友海
8半导体晶圆粗抛液精准配液装置及其配液方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610948076.X2026-06-29CN122516906A2026-08-07毛国领
9倒角边缘硅粉残留吹扫装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610936296.02026-06-26CN122644334A2026-08-28方一栋
10一种基于背光透射成像的重掺硅片通孔无损检测方法与系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610912668.62026-06-24CN122671453A2026-09-01马艺迪
11一种晶圆缺陷检测及质量判定方法和系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610912667.12026-06-24CN122775683A2026-09-18罗国菁
12半导体硅片包装可视化智能管控系统及其方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202610897524.82026-06-22CN122864880A2026-10-02包亚平
13硅片端面研磨机用破除真空装置及其控制方法发明专利发明专利申请公布、公布CN202610869714.92026-06-16CN122851461A2026-10-02杨石平
14用于半导体晶圆测试载台及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610834004.22026-06-10CN122766307A2026-09-15李君
15一种APCVD洗净设备翻面下料控制机构、装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610795431.42026-06-04CN122784364A2026-09-18王方立
16一种减少硅片抛光面颗粒的工艺方法发明专利公布CN202610796796.92026-06-04CN122803613A2026-09-22王骞玮
17校准ICP-MS前机台的清洗方法发明专利公布CN202610743000.32026-05-27CN122462314A2026-07-28苏慧云
18晶圆边缘抛光真空吸盘抛布精准定位工装及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610714833.72026-05-22CN122645192A2026-08-28陈彬
19硅片双面抛光抛光垫的贴附优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610460108.12026-04-09CN122442510A2026-07-24吴平
20一种改善硅片平坦度和表面微观纳米形貌的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610433578.92026-04-03CN122033767A2026-05-15张文军
21一种基于H发明专利实质审查的生效、公布CN202610435085.92026-04-03CN122318758A2026-06-30王鸣
22LAP研磨液分流装置及其改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610401390.62026-03-30CN122099994A2026-05-29孙贵昌
23研磨机磨轮牙齿边缘视觉识别与磨损程度评估算法发明专利实质审查的生效、公布CN202610381764.22026-03-26CN122335698A2026-07-03冯黎明
24一种能准确检出重掺品单晶气孔不良率的检出系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610364165.X2026-03-24CN122305916A2026-06-30张晨阳、康海洋、蔡敏杰
25减少清洗后硅片表面残留水的装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610357091.72026-03-23CN122008067A2026-05-12石建群
26硅片研削设备平坦度TTV稳定性加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610357084.72026-03-23CN122299516A2026-06-30苏鹏辉
27一种边缘腐蚀机生产工艺中的柔性可调水平暂存台系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610300126.32026-03-12CN122126635A2026-06-02万琨
28一种外延污染监控硅片及其生产方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610299599.62026-03-12CN122180364A2026-06-09孙若力
29基于BBS边抛机移载机的柔性合夹、移位、清洗系统及处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610264655.22026-03-05CN121972433A2026-05-05金忠谱
30一种半导体外延片工艺中降低硅片翘曲度的系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610191045.42026-02-10CN122270106A2026-06-23吴瑶
31针对硅片黑十字光消失原理的产品单晶缺陷锁定系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610152360.62026-02-03CN122108938A2026-05-29任梦
32CMP设备的研磨液精准供给系统及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128880.32026-01-30CN121733440A2026-03-27刘肖
33用于超低电阻硅片的电容式平坦度测量装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128881.82026-01-30CN122015634A2026-05-12张迪
34基于复合化学机械抛光与低损伤等离子蚀刻的晶圆表面协同处理工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202610124745.12026-01-29CN122206247A2026-06-12裴宁
35一种硅片片盒传递的分选机取送料系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610101895.02026-01-26CN122057704A2026-05-19张晨阳、康海洋、蔡敏杰
36改善最终外观目检台聚光灯消耗的结构及其降本增效方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066824.12026-01-19CN121782552A2026-04-03李林秀
37通过颗粒测试机台测试热氧化后先行片孪晶缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066826.02026-01-19CN122094438A2026-05-26宋金会
38一种减少硅片DIC异常的柔性吸附转移系统及放置方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066822.22026-01-19CN122094437A2026-05-26侯文艺
39针对成品晶圆的包装盒可视检测系统及码放精度测量方法发明专利公布CN202610021292.X2026-01-08CN121829314A2026-04-10王伟东
40提升硅片表金属清洗效率且环境友好型的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610021291.52026-01-08CN122054939A2026-05-15毛攀
41一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳
42检测晶体微小缺陷的方法发明专利公布CN202512046375.22025-12-31CN121830714A2026-04-10何珍碧
43一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046368.22025-12-31CN121888919A2026-04-17石建群
44一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202512037300.82025-12-31CN121888881A2026-04-17缪燃
45降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046344.72025-12-31CN121874744A2026-04-17崔涛、李鹏
46一种提高晶圆双面抛光表面质量的化学机械抛光液及抛光方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037304.62025-12-31CN121895868A2026-04-21马成智
47一种降低边缘抛光碎裂片的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037302.72025-12-31CN121946339A2026-05-01徐威楠
48一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置发明专利实质审查的生效、公布CN202512020705.02025-12-30CN121874901A2026-04-17王忠保、张友海、杨凯、芮阳、倪浩然、白园、赵娜、李俊丽
49一种可调节的硅片粗糙度的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020706.52025-12-30CN121908871A2026-04-21李媛
50一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020699.92025-12-30CN121908855A2026-04-21郭体强、齐旭东

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