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应能微电子取得沟槽TVS器件相关专利，该器件可旁路高频干扰并泄放瞬态大电流

新浪证券-红岸工作室

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10月11日消息，国家知识产权局信息显示，江苏应能微电子股份有限公司申请一项名为“深沟槽MIS集成高频电磁干扰耦合旁路TVS器件及其制造方法”的专利，授权公告号CN122555231B，授权公告日为2026年10月9日。申请公布号为CN122555231A，申请号为CN202611050815.X，申请公布日期为2026年10月9日，申请日期为2026年7月15日，发明人朱伟东、赵泊然，专利代理机构常州赛创专利代理事务所（普通合伙），专利代理师丁涛，分类号H10D89/60。

专利摘要显示，本发明公开了一种深沟槽MIS集成高频电磁干扰耦合旁路TVS器件及其制造方法，包括半导体衬底、第一导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型接触区、深沟槽屏蔽结构、层间介质层、第一电极和第二电极；其中，导电屏蔽层、沟槽绝缘层以及所述半导体衬底共同构成三维深沟槽MIS耦合结构，用于通过所述沟槽绝缘层形成位移电流耦合旁路路径，以对高频电磁干扰信号进行高频耦合旁路；所述位移电流耦合旁路路径与所述ESD或浪涌瞬态大电流泄放路径在器件内部至少部分空间分离。本发明兼顾高速信号完整性、电磁兼容性能与瞬态过压防护能力，并降低系统级互连寄生参数、抑制高频阻抗不连续效应，以及减少高速回流路径中的附加寄生电感。

天眼查数据显示，江苏应能微电子股份有限公司成立日期2012年3月22日，法定代表人ZHU PHILLIP WEIDONG，所属行业为软件和信息技术服务业，企业规模为小型，注册资本4286.5339万人民币，实缴资本4286.5339万人民币，注册地址为常州市天宁区创智路5号4号楼（8层、9层）。江苏应能微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目17次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息129条，拥有行政许可11个。

江苏应能微电子股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种基于空间去耦与触发阱调制的纵向TVS及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611216756.92026-08-12CN122765983A2026-09-15朱伟东、赵泊然
2一种超薄晶圆CSP功率器件的封装结构及制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611123339.X2026-07-28CN122641339A2026-08-25朱伟东、赵泊然
3深沟槽MIS集成高频电磁干扰耦合旁路TVS器件及其制造方法发明专利发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布CN202611050815.X2026-07-15CN122555231B2026-10-09朱伟东、赵泊然
4一种高浪涌密度TVS器件及制造方法发明专利发明专利权授予、授权、实质审查的生效、公布CN202611047466.62026-07-15CN122555230B2026-10-09朱伟东、赵泊然
5一种基于路径解耦与电场耦合触发的瞬态电压抑制器及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202610999308.42026-07-07CN122514039B2026-09-18朱伟东、赵泊然
6一种局部电场增强型静电放电保护结构及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202610893951.92026-06-22CN122421770B2026-09-18朱伟东、赵泊然
7一种基于基区电阻调制的低触发电压瞬态电压抑制器及其制造方法发明专利授权CN202610873130.92026-06-17CN122395965B2026-08-21朱伟东、赵泊然
8一种碳化硅高压瞬态电压抑制器件及其制造方法发明专利授权CN202610815337.02026-06-08CN122340831B2026-09-04朱伟东、赵泊然
9一种高浪涌能力的沟槽势垒肖特基器件及其制备方法发明专利授权CN202610693592.22026-05-20CN122248745B2026-08-21朱伟东、赵泊然
10一种体区电导调制主导导通的双向瞬态电压抑制器结构发明专利公布CN202610612902.32026-05-07CN122497086A2026-07-31朱伟东、赵泊然
11一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器发明专利授权CN202610461489.52026-04-09CN121985590B2026-06-30朱伟东、赵泊然
12一种微型单体封装电子保护结构及其制造方法发明专利授权CN202610352324.42026-03-23CN121925156B2026-06-19朱伟东、赵泊然
13纵向SCR型瞬态过压保护器件发明专利授权CN202610313890.42026-03-16CN121888620B2026-05-26朱伟东、赵泊然
14一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法发明专利授权CN202610296786.92026-03-12CN121843143B2026-05-22朱伟东、赵泊然
15一种沟槽式功率MOSFET及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610206231.02026-02-12CN122121202A2026-05-29李振道、孙明光、朱伟东
16适用中高压的沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610184357.22026-02-09CN122121212A2026-05-29李振道、孙明光、朱伟东
17一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511876860.62025-12-12CN121728802A2026-03-24李振道、孙明光、朱伟东
18用于ESD防护的多电流通路双向SCR器件发明专利授权CN202511309274.32025-09-15CN120812966B2025-11-18朱伟东、赵泊然
19一种改善开关损耗的沟槽式MOSFET器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510796831.22025-06-16CN120321986A2025-07-15李振道、孙明光、朱伟东
20一种沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备工艺发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510774266.X2025-06-11CN120282541B2025-08-26李振道、孙明光、朱伟东
21用于防护雷击的压敏电阻夹层模组集成结构发明专利授权CN202510592406.12025-05-09CN120417465B2026-02-17朱伟东、赵泊然
22一种ESD加固的LDMOS器件及其制备方法发明专利授权、公布CN202411329890.02024-09-24CN118841450B2024-12-17孙明光、李振道、朱伟东
23一种自适应超结LDMOS结构发明专利授权、公布CN202411081577.X2024-08-08CN118782654B2025-04-08孙明光、李振道、朱伟东
24一种用于抗闩锁的高压ESD保护器件发明专利授权、公布CN202410982344.02024-07-22CN118522769B2024-10-01朱伟东、赵泊然
25用于ESD防护的高掺杂多晶硅器件与工艺发明专利授权、公布CN202410718845.82024-06-05CN118299408B2024-08-02朱伟东、赵泊然
26用于ESD防护的双模灵敏检测瞬态触发电路发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202410480761.52024-04-22CN118074085A2024-05-24朱伟东、赵泊然
27一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制备方法及器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202410239174.72024-03-04CN117832093B2024-05-10李振道、孙明光、朱伟东
28一种自适应超结沟槽式MOSFET器件及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311401481.22023-10-26CN117133791B2024-01-26孙明光、李振道、朱伟东
29双齐纳阱SCR器件、制造工艺及其堆叠结构发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311282644.X2023-10-07CN117038720B2024-01-26朱伟东、赵泊然
30具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件及工艺发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311083616.52023-08-28CN116799070B2023-11-17孙明光、李振道、朱伟东
31一种集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件及工艺发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202311076280.X2023-08-25CN116825850B2023-11-17孙明光、李振道、朱伟东
32开关电源导通时间控制电路、方法和开关电源发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310912685.62023-07-25CN116647098B2023-10-03李征、赵泊然、朱伟东
33一种超低电容双向SCR-TVS器件发明专利实质审查的生效、公布CN202310862496.22023-07-14CN116598309A2023-08-15朱伟东、赵泊然
34一种垂直型双向SCR低电容TVS器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310862502.42023-07-14CN116581122B2023-09-12朱伟东、赵泊然
35具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310816523.22023-07-05CN116525663B2023-09-12李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然
36一种三维超结LDMOS结构及其制作方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310793099.42023-06-30CN116525655A2023-08-01孙明光、李振道、朱伟东、赵泊然
37加强型屏蔽闸沟槽式功率金氧半场效晶体管实用新型授权CN202321650322.12023-06-27CN220106545U2023-11-28李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然
38电机转子角度信息识别方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310670645.52023-06-08CN116404916A2023-07-07曹元、朱伟东、吴琦
39内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310594164.02023-05-25CN116314341B2023-08-08朱伟东、赵泊然、李振道、孙明光
40一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制作方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310540946.62023-05-15CN116259544B2023-08-08李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然
41开关变换器控制电路、控制方法及电源设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310524618.72023-05-11CN116247908B2023-07-28李征、赵泊然、朱伟东
42电源设备及用于电源芯片的工作模式配置电路发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310505858.22023-05-08CN116247933B2023-07-25李征、赵泊然、朱伟东
43一种基于Resurf效应的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310385852.62023-04-12CN116110944A2023-05-12朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道
44一种低寄生电容焊盘发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310385849.42023-04-12CN116110872A2023-05-12朱伟东、赵泊然
45一种栅控Resurf高压LDMOS结构发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310376829.02023-04-11CN116110955B2023-06-27朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道
46一种分段式分离栅SGTMOSFET结构发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310381286.12023-04-11CN116093146B2024-02-20朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道
47具有高维持电压的低电容双向SCR瞬态抑制器件发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310371412.52023-04-10CN116093153B2023-07-21朱伟东、赵泊然
48一种电压钳位组合器件发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310343608.32023-04-03CN116093912A2023-05-09朱伟东、赵泊然
49碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202211118851.72022-09-15CN115440822B2023-08-22李振道、孙明光
50碳化硅半导体场效晶体管的栅源极保护结构及制备方法发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202211081391.52022-09-06CN115172457B2024-05-03李振道、孙明光

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