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晶合集成取得半导体器件相关专利，该工艺提升器件锗掺杂精度与电性稳定性

新浪证券-红岸工作室

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9月25日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、芯片”的专利，授权公告号CN122421383B，授权公告日为2026年9月18日。申请公布号为CN122421383A，申请号为CN202610888879.0，申请公布日期为2026年9月18日，申请日期为2026年6月18日，发明人宋明、郭哲劭、郭廷晃，专利代理机构深圳中一联合知识产权代理有限公司，专利代理师阳方玉，分类号H10D30/01、H10P30/20、H10D30/60。

专利摘要显示，本申请属于半导体技术领域，提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片，采用至少两次离子注入工艺将锗离子注入至半导体器件的沟道区，通过设置第一次离子注入工艺中锗离子的注入能量最大，避免锗仅集中在表面，防止高温扩散失控，而后续离子注入工艺中锗离子的注入能量较低，可以保证锗集中在靠近表面的区域，如此在沟道区内形成上高下低的纵向浓度梯度的锗掺杂区，根据锗掺杂区的浓度峰值位置对沟道区进行原位水汽生成氧化工艺处理形成牺牲氧化层，使锗掺杂区的浓度峰值位置与牺牲氧化层之间的距离达到目标距离，从而提升锗掺杂区的浓度峰值位置的精确度，并提升半导体器件电性参数的稳定性。

晶合集成是中国大陆领先的12英寸晶圆代工企业，专注显示驱动芯片领域代工，具备全产业链配套优势。公司成立于2015年5月19日，于2023年5月5日登陆上海证券交易所，注册地为安徽省合肥市，办公地覆盖安徽省合肥市与中国香港两地。

晶合集成隶属于申万行业分类下电子-半导体-集成电路制造赛道，核心主营业务为12英寸晶圆代工业务，聚焦研发应用行业先进工艺，可为客户提供覆盖多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务，当前归属中盘股、大盘、大盘价值概念板块。

2026年上半年，晶合集成实现营业收入59.57亿元，在所属6家同赛道可比企业中排名第4，同期行业营收第一名中芯国际达386.35亿元、第二名华虹宏力为95.74亿元，行业平均营收108.39亿元，行业营收中位数为60.43亿元；营收结构中集成电路业务贡献57.66亿元，占比96.80%，其他补充业务收入1.91亿元，占比3.20%。当期公司实现净利润2.22亿元，同样在6家可比企业中位列第4，同期行业净利润第一名中芯国际为64.39亿元、第二名赛微电子达26.75亿元，行业平均净利润16.56亿元，行业净利润中位数为4.44亿元。

指标类别 晶合集成当期数值 行业排名/总样本数 行业头部企业表现 行业平均水平 行业中位数
营业收入 59.57亿元 4/6 中芯国际386.35亿元、华虹宏力95.74亿元 108.39亿元 60.43亿元
净利润 2.22亿元 4/6 中芯国际64.39亿元、赛微电子26.75亿元 16.56亿元 4.44亿元
核心业务营收 集成电路57.66亿元，占比96.80% - - - -

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202611272523.02026-08-21CN122784077A2026-09-18康绍磊、陈东
2图像传感器及图像传感器制备方法发明专利公布CN202611274636.42026-08-21CN122803420A2026-09-22陈维邦
3图像传感器及其制备方法发明专利公布CN202611274872.62026-08-21CN122803411A2026-09-22陈维邦
4图像传感器及图像传感器制备方法发明专利公布CN202611273876.22026-08-21CN122803419A2026-09-22陈维邦
5晶圆显影的智能调控方法及装置发明专利公布CN202611273346.82026-08-21CN122794750A2026-09-22刘星、杨学人
6图像传感器及其制备方法发明专利公布CN202611273461.52026-08-21CN122803418A2026-09-22陈维邦
7半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202611250464.72026-08-18CN122803372A2026-09-22宋富冉
8半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202611250580.92026-08-18CN122803373A2026-09-22宋富冉
9半导体器件的制造工艺优化方法和半导体器件发明专利公布CN202611249888.12026-08-18CN122797243A2026-09-22李佛富、鄢志忠、李璐、叶凡
10改善硅阻挡氧化层损伤的形成方法、半导体结构及器件发明专利公布CN202611239556.52026-08-17CN122784323A2026-09-18牛苗苗、邓帅、高志杰
11金属互连结构的制备方法、半导体结构及电子设备发明专利公布CN202611232783.52026-08-14CN122784401A2026-09-18刘苏涛、运广涛
12量测标记结构发明专利公布CN202611234854.52026-08-14CN122803718A2026-09-22曾炜炜、赵志豪、潘黎、吴建宏
13基于多层级容量约束与距离优化的机台组件配点方法发明专利公布CN202611222703.82026-08-13CN122735168A2026-09-11谭柳娟、严倩倩、李佳蓓、王思民、徐东东、陈尚剑
14多类型SRAM芯片版图优化方法和系统发明专利公布CN202611223347.12026-08-13CN122735631A2026-09-11杨杰、郭廷晃
15半导体设备选位方法、装置、设备、介质及产品发明专利公布CN202611222704.22026-08-13CN122736055A2026-09-11李佳蓓、陈尚剑、严倩倩、谭柳娟、王思民、徐东东
16半导体结构及其形成方法发明专利公布CN202611219240.X2026-08-12CN122719148A2026-09-08杨少华、杨刚
17一种光刻胶参数设置方法、光刻胶涂布方法及相关装置发明专利公布CN202611216064.42026-08-12CN122755338A2026-09-15赵志豪、沈俊明、李海峰、吴建宏
18一种离子注入层修正方法发明专利公布CN202611208374.12026-08-11CN122710452A2026-09-08殷诗淇、罗招龙、王康、王绍天
19蚀刻方法、氧化还原缓冲剂、芯片发明专利公布CN202611211690.42026-08-11CN122719370A2026-09-08张雷、倪波、刘仁平
20光刻胶量测监控方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202611202184.92026-08-10CN122694892A2026-09-04王明、庄修博、林今焕
21优化中压器件栅氧化层厚度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611192301.82026-08-07CN122699370A2026-09-04王雅洁、叶家明、郑行威、张琳琳、祝进专
22半导体结构及其制备方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611184516.52026-08-06CN122699615A2026-09-04马梦辉、李琦琦、刘洋
23提高微小划痕区分度的缺陷自动分类方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202611176340.92026-08-05CN122675867A2026-09-01崔恒丽、张利强、马春雨、李佛富、林今焕
24一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611176742.92026-08-05CN122679713A2026-09-01陈维邦
25一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611176741.42026-08-05CN122699414A2026-09-04陈维邦
26一种静态随机存储器芯粒的失效分析方法及分析系统发明专利实质审查的生效、公布CN202611169657.X2026-08-04CN122676895A2026-09-01张翼、储浩、丁敬祖、马学杨、邢佳乐
27半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611171309.62026-08-04CN122699348A2026-09-04张盖、陈有德、王雪、南子昱
28一种通孔底部缺陷的检测方法发明专利公布CN202611171267.62026-08-04CN122719425A2026-09-08聂方园、林今焕
29晶体管制备方法、晶体管及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611164387.32026-08-03CN122662269A2026-08-28张盖、罗钦贤、吴明晏、南子昱、王雪
30半导体测试结构及测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611150791.52026-07-31CN122652240A2026-08-28马盟、鲍丙辉、李倩娣
31一种Fin FET器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611147204.72026-07-30CN122662243A2026-08-28李猛猛、唐鹏飞、魏巍
32一种校正方法、计算机可读存储介质及光刻机发明专利实质审查的生效、公布CN202611141368.92026-07-30CN122652910A2026-08-28李海峰、赵志豪、张祥平、黄玉
33基于图形轮廓顶点匹配的GDS版图对比方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202611132347.02026-07-29CN122637020A2026-08-25刘苑、查乐、田姿璘
34量测标记识别方法、装置、计算机设备、可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202611122711.52026-07-28CN122675852A2026-09-01朱海龙
35半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611116631.92026-07-27CN122641036A2026-08-25张君良、江澳、田贝贝、谢智宇、王韦顺
36一种SRAM噪声边缘分析方法及装置、系统、存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202611115006.22026-07-27CN122637856A2026-08-25田志锋
37基于场景的根因预测模型训练方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202611100269.62026-07-23CN122616744A2026-08-21崔恒丽、张利强、俞洁、林今焕
38半导体器件的形成方法和半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202611088837.52026-07-22CN122622329A2026-08-21王淑娜、宋富冉、刘乃硕
39半导体结构制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202611091082.42026-07-22CN122622285A2026-08-21胡一凡
40半导体器件结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611090819.02026-07-22CN122622310A2026-08-21刘洋、李琦琦、祝君龙
41半导体结构及其制造工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202611081378.82026-07-21CN122602483A2026-08-18宋富冉、周儒领
42半导体多膜层结构的厚度测量方法、系统及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611062918.82026-07-17CN122590735A2026-08-18朱海龙、罗承先
43埋入式栅极结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611065450.82026-07-17CN122602562A2026-08-18江珂、林祐丞、杨智强
44半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611057378.42026-07-16CN122579645A2026-08-14刘苏涛
45离子注入工艺光阻层厚度的安全性验证方法及选择方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611022452.92026-07-10CN122535230A2026-08-07夏陈红、程挚
46对准系统校正方法、基准点标记板及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016741.82026-07-09CN122535209A2026-08-07毛文龙、李海峰、黄玉、吴建宏
47光学邻近效应修正方法及装置、半导体器件制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016093.62026-07-09CN122525844A2026-08-07赵广、罗招龙
48半导体物料的动态存储方法、装置、设备、介质发明专利实质审查的生效、公布CN202611016172.72026-07-09CN122596837A2026-08-18卫春生、汪杰、李翔、曹齐清、严倩倩、李佳蓓、张乐、蔡栋煌
49半导体工厂的高处作业行为识别方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611009342.92026-07-08CN122510972A2026-08-04毛周亮、夏慧、徐旻芮、黄俊旗、李天定
50半导体器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611000593.02026-07-07CN122514031A2026-08-04刘苏涛

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