晶合集成申请量测标记结构相关专利,该量测标记结构可提准增效省芯片面积
新浪证券-红岸工作室
9月25日消息,国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“量测标记结构”的专利。申请公布号为CN122803718A,申请号为CN202611234854.5,申请公布日期为2026年9月22日,申请日期为2026年8月14日,发明人曾炜炜、赵志豪、潘黎、吴建宏,专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司,专利代理师鲁盛楠,分类号H10W46/00、G03F7/20、G03F9/00、H10P74/00、H10P74/20、G01R31/28。
专利摘要显示,本申请涉及一种量测标记结构。量测标记结构直接放置在功能区内,使得标记周围的实际环境与芯片内部电路环境一致,从而消除因图形密度、膜层应力等差异导致的量测偏差;由于第一子标记和第二子标记的图案密度不同,通过在同一标记结构中设置不同密度的子标记,可以模拟芯片内部不同区域的图形密度环境,使量测结果更能反映真实电路的套刻情况;同时,至少一个第一子标记包括套刻图案、孤立图案、密集图案中的至少两种,至少一个第二子标记包括套刻图案、孤立图案、密集图案中的至少两种,如此,一个量测标记结构可以同时实现套刻量测和关键尺寸量测,无需分别设置不同类型的量测图案,节省了芯片面积。
作为中国大陆领先的专注于面板驱动芯片领域的12英寸晶圆代工企业,晶合集成2015年5月19日成立,2023年5月5日登陆上海证券交易所,注册地为安徽省合肥市,办公地跨安徽省合肥市与香港特别行政区。
晶合集成主营业务为12英寸晶圆代工,聚焦先进工艺研发应用,可向客户提供覆盖多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务,所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造,概念板块涵盖中盘股、大盘、大盘价值。
2026年上半年,晶合集成实现营业收入59.57亿元,在6家同行业可比企业中排名第4,同期行业营收第一名中芯国际为386.35亿元、第二名华虹宏力为95.74亿元,行业营收平均数为108.39亿元、中位数为60.43亿元;当期公司主营业务中集成电路板块收入57.66亿元,占比96.80%,其他补充业务收入1.91亿元,占比3.20%。同期公司实现净利润2.22亿元,同样在6家同行业可比企业中排名第4,行业净利润第一名中芯国际为64.39亿元、第二名赛微电子为26.75亿元,行业净利润平均数为16.56亿元、中位数为4.44亿元。
| 指标类别 | 具体指标 | 晶合集成当期数值 | 行业排名/总家数 | 行业头部企业数值 | 行业平均数 | 行业中位数 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 营收表现 | 2026年上半年营业收入 | 59.57亿元 | 4/6 | 第一名中芯国际386.35亿元、第二名华虹宏力95.74亿元 | 108.39亿元 | 60.43亿元 |
| 营收结构 | 集成电路业务收入及占比 | 57.66亿元,占比96.80% | - | - | - | - |
| 营收结构 | 其他补充业务收入及占比 | 1.91亿元,占比3.20% | - | - | - | - |
| 盈利表现 | 2026年上半年净利润 | 2.22亿元 | 4/6 | 第一名中芯国际64.39亿元、第二名赛微电子26.75亿元 | 16.56亿元 | 4.44亿元 |
合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下:
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611272523.0 | 2026-08-21 | CN122784077A | 2026-09-18 | 康绍磊、陈东 |
| 2 | 图像传感器及图像传感器制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611274636.4 | 2026-08-21 | CN122803420A | 2026-09-22 | 陈维邦 |
| 3 | 图像传感器及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611274872.6 | 2026-08-21 | CN122803411A | 2026-09-22 | 陈维邦 |
| 4 | 图像传感器及图像传感器制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611273876.2 | 2026-08-21 | CN122803419A | 2026-09-22 | 陈维邦 |
| 5 | 晶圆显影的智能调控方法及装置 | 发明专利 | 公布 | CN202611273346.8 | 2026-08-21 | CN122794750A | 2026-09-22 | 刘星、杨学人 |
| 6 | 图像传感器及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611273461.5 | 2026-08-21 | CN122803418A | 2026-09-22 | 陈维邦 |
| 7 | 半导体结构及其制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611250464.7 | 2026-08-18 | CN122803372A | 2026-09-22 | 宋富冉 |
| 8 | 半导体结构及其制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611250580.9 | 2026-08-18 | CN122803373A | 2026-09-22 | 宋富冉 |
| 9 | 半导体器件的制造工艺优化方法和半导体器件 | 发明专利 | 公布 | CN202611249888.1 | 2026-08-18 | CN122797243A | 2026-09-22 | 李佛富、鄢志忠、李璐、叶凡 |
| 10 | 改善硅阻挡氧化层损伤的形成方法、半导体结构及器件 | 发明专利 | 公布 | CN202611239556.5 | 2026-08-17 | CN122784323A | 2026-09-18 | 牛苗苗、邓帅、高志杰 |
| 11 | 金属互连结构的制备方法、半导体结构及电子设备 | 发明专利 | 公布 | CN202611232783.5 | 2026-08-14 | CN122784401A | 2026-09-18 | 刘苏涛、运广涛 |
| 12 | 量测标记结构 | 发明专利 | 公布 | CN202611234854.5 | 2026-08-14 | CN122803718A | 2026-09-22 | 曾炜炜、赵志豪、潘黎、吴建宏 |
| 13 | 基于多层级容量约束与距离优化的机台组件配点方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611222703.8 | 2026-08-13 | CN122735168A | 2026-09-11 | 谭柳娟、严倩倩、李佳蓓、王思民、徐东东、陈尚剑 |
| 14 | 多类型SRAM芯片版图优化方法和系统 | 发明专利 | 公布 | CN202611223347.1 | 2026-08-13 | CN122735631A | 2026-09-11 | 杨杰、郭廷晃 |
| 15 | 半导体设备选位方法、装置、设备、介质及产品 | 发明专利 | 公布 | CN202611222704.2 | 2026-08-13 | CN122736055A | 2026-09-11 | 李佳蓓、陈尚剑、严倩倩、谭柳娟、王思民、徐东东 |
| 16 | 半导体结构及其形成方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611219240.X | 2026-08-12 | CN122719148A | 2026-09-08 | 杨少华、杨刚 |
| 17 | 一种光刻胶参数设置方法、光刻胶涂布方法及相关装置 | 发明专利 | 公布 | CN202611216064.4 | 2026-08-12 | CN122755338A | 2026-09-15 | 赵志豪、沈俊明、李海峰、吴建宏 |
| 18 | 一种离子注入层修正方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611208374.1 | 2026-08-11 | CN122710452A | 2026-09-08 | 殷诗淇、罗招龙、王康、王绍天 |
| 19 | 蚀刻方法、氧化还原缓冲剂、芯片 | 发明专利 | 公布 | CN202611211690.4 | 2026-08-11 | CN122719370A | 2026-09-08 | 张雷、倪波、刘仁平 |
| 20 | 光刻胶量测监控方法及系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611202184.9 | 2026-08-10 | CN122694892A | 2026-09-04 | 王明、庄修博、林今焕 |
| 21 | 优化中压器件栅氧化层厚度的方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611192301.8 | 2026-08-07 | CN122699370A | 2026-09-04 | 王雅洁、叶家明、郑行威、张琳琳、祝进专 |
| 22 | 半导体结构及其制备方法、电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611184516.5 | 2026-08-06 | CN122699615A | 2026-09-04 | 马梦辉、李琦琦、刘洋 |
| 23 | 提高微小划痕区分度的缺陷自动分类方法及系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611176340.9 | 2026-08-05 | CN122675867A | 2026-09-01 | 崔恒丽、张利强、马春雨、李佛富、林今焕 |
| 24 | 一种半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611176742.9 | 2026-08-05 | CN122679713A | 2026-09-01 | 陈维邦 |
| 25 | 一种半导体结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611176741.4 | 2026-08-05 | CN122699414A | 2026-09-04 | 陈维邦 |
| 26 | 一种静态随机存储器芯粒的失效分析方法及分析系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611169657.X | 2026-08-04 | CN122676895A | 2026-09-01 | 张翼、储浩、丁敬祖、马学杨、邢佳乐 |
| 27 | 半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611171309.6 | 2026-08-04 | CN122699348A | 2026-09-04 | 张盖、陈有德、王雪、南子昱 |
| 28 | 一种通孔底部缺陷的检测方法 | 发明专利 | 公布 | CN202611171267.6 | 2026-08-04 | CN122719425A | 2026-09-08 | 聂方园、林今焕 |
| 29 | 晶体管制备方法、晶体管及电子设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611164387.3 | 2026-08-03 | CN122662269A | 2026-08-28 | 张盖、罗钦贤、吴明晏、南子昱、王雪 |
| 30 | 半导体测试结构及测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611150791.5 | 2026-07-31 | CN122652240A | 2026-08-28 | 马盟、鲍丙辉、李倩娣 |
| 31 | 一种Fin FET器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611147204.7 | 2026-07-30 | CN122662243A | 2026-08-28 | 李猛猛、唐鹏飞、魏巍 |
| 32 | 一种校正方法、计算机可读存储介质及光刻机 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611141368.9 | 2026-07-30 | CN122652910A | 2026-08-28 | 李海峰、赵志豪、张祥平、黄玉 |
| 33 | 基于图形轮廓顶点匹配的GDS版图对比方法及系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611132347.0 | 2026-07-29 | CN122637020A | 2026-08-25 | 刘苑、查乐、田姿璘 |
| 34 | 量测标记识别方法、装置、计算机设备、可读存储介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611122711.5 | 2026-07-28 | CN122675852A | 2026-09-01 | 朱海龙 |
| 35 | 半导体结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611116631.9 | 2026-07-27 | CN122641036A | 2026-08-25 | 张君良、江澳、田贝贝、谢智宇、王韦顺 |
| 36 | 一种SRAM噪声边缘分析方法及装置、系统、存储介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611115006.2 | 2026-07-27 | CN122637856A | 2026-08-25 | 田志锋 |
| 37 | 基于场景的根因预测模型训练方法、装置、设备、介质和程序产品 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611100269.6 | 2026-07-23 | CN122616744A | 2026-08-21 | 崔恒丽、张利强、俞洁、林今焕 |
| 38 | 半导体器件的形成方法和半导体器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611088837.5 | 2026-07-22 | CN122622329A | 2026-08-21 | 王淑娜、宋富冉、刘乃硕 |
| 39 | 半导体结构制备方法及半导体结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611091082.4 | 2026-07-22 | CN122622285A | 2026-08-21 | 胡一凡 |
| 40 | 半导体器件结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611090819.0 | 2026-07-22 | CN122622310A | 2026-08-21 | 刘洋、李琦琦、祝君龙 |
| 41 | 半导体结构及其制造工艺 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611081378.8 | 2026-07-21 | CN122602483A | 2026-08-18 | 宋富冉、周儒领 |
| 42 | 半导体多膜层结构的厚度测量方法、系统及设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611062918.8 | 2026-07-17 | CN122590735A | 2026-08-18 | 朱海龙、罗承先 |
| 43 | 埋入式栅极结构及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611065450.8 | 2026-07-17 | CN122602562A | 2026-08-18 | 江珂、林祐丞、杨智强 |
| 44 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611057378.4 | 2026-07-16 | CN122579645A | 2026-08-14 | 刘苏涛 |
| 45 | 离子注入工艺光阻层厚度的安全性验证方法及选择方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611022452.9 | 2026-07-10 | CN122535230A | 2026-08-07 | 夏陈红、程挚 |
| 46 | 对准系统校正方法、基准点标记板及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611016741.8 | 2026-07-09 | CN122535209A | 2026-08-07 | 毛文龙、李海峰、黄玉、吴建宏 |
| 47 | 光学邻近效应修正方法及装置、半导体器件制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611016093.6 | 2026-07-09 | CN122525844A | 2026-08-07 | 赵广、罗招龙 |
| 48 | 半导体物料的动态存储方法、装置、设备、介质 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611016172.7 | 2026-07-09 | CN122596837A | 2026-08-18 | 卫春生、汪杰、李翔、曹齐清、严倩倩、李佳蓓、张乐、蔡栋煌 |
| 49 | 半导体工厂的高处作业行为识别方法、装置和设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611009342.9 | 2026-07-08 | CN122510972A | 2026-08-04 | 毛周亮、夏慧、徐旻芮、黄俊旗、李天定 |
| 50 | 半导体器件的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202611000593.0 | 2026-07-07 | CN122514031A | 2026-08-04 | 刘苏涛 |