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长鑫科技集团申请半导体结构相关专利，该半导体结构可预留大间隙便于后续填充密封

新浪证券-红岸工作室

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9月25日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构、半导体封装件以及半导体结构的形成方法”的专利。申请公布号为CN122803706A，申请号为CN202510310770.4，申请公布日期为2026年9月22日，申请日期为2025年3月17日，发明人刘莹，分类号H10W20/43、H10W20/00、H10W72/00、H10W72/20、H10W70/65、H10W70/05。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构、半导体封装件以及半导体结构的形成方法。本公开实施例提供的半导体结构包括设置有第一导电垫和第一隔离层的第一表面，第一隔离层至少暴露部分第一导电垫的表面；设置在第一导电垫暴露于第一隔离层的表面上以及第一隔离层上的第一连接层；设置在第一连接层上并与第一导电垫对应设置的第一导电凸块；在垂直于第一表面的一个横截面上，第一导电垫的宽度与第一连接层的宽度的差值的绝对值大于第一导电垫的宽度与第一导电凸块的宽度的绝对值。本公开实施例所提供的半导体结构在第一连接层与第一导电凸块之间存在一个相对较大的间隙，便于后续填充和密封。

长鑫科技是国内DRAM领域领军企业，专注存储器芯片研发制造，具备一体化全产业链技术壁垒。公司成立于2016年6月13日，将于2026年7月27日登陆上海证券交易所，注册及办公所在地均为安徽省合肥市。

长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，自2016年成立以来始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，所属申万行业为电子-半导体-数字芯片设计，概念板块涵盖近端次新、26中报业绩反转、新股与次新股。

2026年上半年，长鑫科技实现营业收入1503.1亿元，在57家同行业企业中排名首位，大幅领先第二名江波龙的240.88亿元，较行业平均55.82亿元、行业中位数13.24亿元均实现数倍领先；同期实现净利润1075.5亿元，同样位列行业第一，远超第二名江波龙的107.18亿元，显著高于行业平均27.74亿元与行业中位数1.91亿元。公司主营业务构成中，LPDDR系列营收781.91亿元，占比52.02%，DDR系列营收694.72亿元，占比46.22%，其他业务营收26.47亿元，占比1.76%。

业务板块 营收金额（亿元） 营收占比
LPDDR系列 781.91 52.02%
DDR系列 694.72 46.22%
其他 26.47 1.76%

长鑫科技集团股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种存储器、控制方法和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611022442.52026-07-09CN122526515A2026-08-07李红文、陈泳良、田凯
2刷新控制电路、存储器以及电子设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202611015250.12026-07-08CN122531433B2026-09-18李红文、王丹、张良、田凯
3一种存内处理芯片和存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202611007320.92026-07-07CN122511315A2026-08-04李红文、陈泳良、田凯
4存储器件、存储系统以及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611007295.42026-07-07CN122598716A2026-08-18李红文、陈浩然、沈鹏辉、田凯
5一种半导体结构、半导体结构的制作方法及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610882609.92026-06-18CN122421745A2026-07-17刘明源、高王荣、李春晓、邓宗伟、王宝超
6半导体结构及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610813358.92026-06-05CN122349219A2026-07-07王贺、李辉辉、刘明源
7半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610772665.72026-05-29CN122340813A2026-07-03吴楠、刘明源、黎冠杰、张大卫
8半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610746437.22026-05-27CN122269693A2026-06-23吴楠、张大卫、刘明源
9半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610728657.22026-05-25CN122269692A2026-06-23初剑、祝康、张卓强、葛瑞、元琳、吴楠、刘明源
10半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610693464.82026-05-19CN122248730A2026-06-19李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源
11半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610683414.12026-05-18CN122269706A2026-06-23吴楠、冯道欢、冯唯、刘明源
12介电材料介电常数提升方法、片内与半导体电容提升方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610667986.02026-05-14CN122205885A2026-06-12刘明源、李泽伦、杨晨、李辉辉、孟皓
13半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610659870.22026-05-13CN122205859A2026-06-12初剑、李晓杰、葛瑞、张卓强、祝康、元琳、吴楠、刘明源
14半导体结构及其制作方法、存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202610656833.62026-05-13CN122227879A2026-06-16孙靖莹、崔常松、张桐、万国良、元琳、刘明源
15半导体结构的金属层图案的形成方法及金属层图案发明专利实质审查的生效、公布CN202610652448.42026-05-12CN122206182A2026-06-12焦文中、刘明源、许翎靖、常方强、夏大伟
16半导体结构及其制备方法、电子设备发明专利授权CN202610595219.32026-04-30CN122121158B2026-07-31吴雨阳、郭泽安、张军超、刘明源
17半导体结构、半导体结构制备方法及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610559824.52026-04-24CN122094154A2026-05-26刘明源、孙政、张明、元琳
18半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610549949.X2026-04-23CN122094106A2026-05-26刘明源、杜国安、邓放心、汪恒
19一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备发明专利授权CN202610525311.22026-04-20CN122121156B2026-07-31刘明源、李泽伦、孟皓、杨晨、李辉辉
20电容器及其制造方法、半导体结构发明专利授权CN202610525556.52026-04-20CN122091393B2026-08-28刘明源、李泽伦、李辉辉、杨晨、孟皓
21半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利授权CN202610525569.22026-04-20CN122121157B2026-08-28刘明源、章星、黎冠杰
22一种半导体结构的制作方法发明专利授权CN202610501503.X2026-04-16CN122054587B2026-08-07张永胜、万国良、元琳、刘明源
23半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利授权CN202610475581.72026-04-10CN122028418B2026-09-04郭泽安、张军超、袁子豪、李辉辉、刘明源
24半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器及电子设备发明专利授权CN202610427522.22026-04-02CN121969131B2026-07-17刘明源、孙政、张明、元琳
25半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利授权CN202610416387.12026-03-31CN121968579B2026-07-31王耐征、孟敬恒、任科、许业陶、李旋、刘明源
26一种半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利授权CN202610395899.42026-03-27CN121941050B2026-06-05卢小龙、田恩强、刘明源、元琳、张明、章富
27存储器及存储器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610377289.12026-03-25CN121908553A2026-04-21李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源
28存储器及存储器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610377306.12026-03-25CN121924753A2026-04-24李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源
29一种片选信号校准电路和存储器发明专利授权CN202610368800.12026-03-24CN121905233B2026-06-19李红文、魏斌
30半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利授权CN202610352208.22026-03-20CN121888603B2026-07-31刘明源、高王荣、鲍锡飞
31一种半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610335492.22026-03-18CN121865615A2026-04-14刘明源、孙政、元琳、刘彪
32半导体结构及其形成方法发明专利授权CN202610319848.32026-03-16CN121888602B2026-07-24孙鹏超、王弘、孙政、张明、李思嘉、连磊、刘明源
33存储器及其操作方法发明专利授权CN202610202220.52026-02-11CN121687136B2026-06-19李红文、曹忠伟、高恩鹏、孙见鹏
34存储器件及其制作方法发明专利授权CN202610189154.22026-02-10CN121692646B2026-05-08刘明源、元琳、孙政、梁涛
35存储器件发明专利公布CN202610180070.22026-02-09CN121687137A2026-03-17李红文、尚为兵、徐晗、罗怡菲、杨名
36存储器件以及电子设备发明专利授权CN202610185868.62026-02-09CN121687150B2026-05-08李红文、肖磊、孙见鹏
37存储器件的测试方法发明专利授权CN202610158024.22026-02-04CN121641157B2026-04-17李红文、张春宇
38一种电阻校准电路、存储器和电子设备发明专利授权CN202610154880.02026-02-03CN121641139B2026-05-08李红文、饶晗
39半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利授权CN202610154983.72026-02-03CN121645865B2026-05-15刘明源、涂火金、郭琦
40存储器发明专利授权CN202610143626.02026-02-02CN121687142B2026-06-05李红文
41电压调控电路及存储器发明专利授权CN202610140929.72026-01-30CN121641092B2026-05-08李红文、尚为兵
42半导体器件及其制造方法、电子设备发明专利授权CN202610121167.62026-01-28CN121604412B2026-05-26刘明源、孙政、李晓杰、张明、元琳
43一种半导体结构的制作方法及半导体结构发明专利授权CN202610069717.42026-01-20CN121548042B2026-04-24张明、石树斌、曹鹏程、王莎莎、刘明源
44半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202610055564.82026-01-15CN121548041B2026-06-05刘明源、李春晓、雷斌、张力、邓宗伟、王宝超
45一种半导体结构及其制备方法发明专利授权CN202610049381.52026-01-14CN121548106B2026-07-24刘明源、涂火金
46基于存储器进行逻辑运算的方法、存储器发明专利授权CN202610036412.32026-01-12CN121506215B2026-05-15刘明源、吴元军、高王荣、邓宗伟、王宝超、王凌翔
47半导体结构及半导体结构的制备方法发明专利授权CN202512059357.82025-12-31CN121442690B2026-05-08孙鹏超、钟宝健、张明、冯唯、孙政、刘明源
48半导体结构的制备方法与半导体结构发明专利授权CN202512035000.62025-12-30CN121443041B2026-04-17孙政、毛思玮、丁天、田灿灿、张明、元琳
49半导体结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511014236.52025-07-22CN120881989A2025-10-31杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源
50半导体结构的切割方法及芯片单元发明专利实质审查的生效、公布CN202511014227.62025-07-22CN120878640A2025-10-31盛薄辉、赵合明、李华博、王子安、谢炜、黄国铭

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