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美光盘前大涨18%:是AI存储器投资热潮催生的非理性追涨还是业绩陷阱

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美光(MU)盘前出现18%跳空缺口,市场核心评判标准已转向验证公司能否将AI存储需求转化为盈利预期进一步上调,此前年内该股累计涨幅已超300%,过去12个月涨幅约830%,近15个交易日中有11个收涨,自3月底以来股价已翻倍有余。

关键业绩与业务数据:

  • 2024财年第三季度营收415亿美元,毛利率84.9%,每股收益25.11美元,超出业绩指引上限
  • 管理层给出2024财年第四季度营收指引490亿至510亿美元
  • HBM3E产品2026年产能已全部售罄,HBM3E和HBM4的供应已全部分配完毕
  • 目前已有16份战略合作客户协议覆盖约20%的DRAM产能及三分之一的NAND产能,涉及定金及财务承诺规模约220亿美元

市场核心逻辑:本轮上涨由存储行业供应紧张驱动,并非单纯AI炒作,美光预计HBM、DRAM及NAND市场供不应求态势将延续至2026年之后,后续因晶圆厂建设周期长、HBM晶圆消耗密度提升,供应扩张进一步延缓,紧张态势或持续至2027年之后,瑞银等机构给出1500美元目标价。当前市场核心争议已转向供应紧张的持续时长及盈利转化程度,而非AI是否拉动存储需求。

后续关注点:

  • 美光下一份财报需推动市场上调盈利预测或业务展望,单纯达标业绩已无法支撑股价
  • 若财报证实需求持续超出供应、HBM产能售罄状态延续、战略客户协议履约意愿坚挺,且指引显示行业供需进一步收紧,上涨动能将延续
  • 风险点:即便账面业绩亮眼,若管理层对后续产品结构升级、定价走势或需求加速的表态不及预期,财报后股价无法守住新高,将确认本轮行情掺杂资金与流动性驱动因素,或触发行情调整

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