6月24日，朗希尔资本与T-REX在Cboe BZX交易所推出2倍做多DRAM每日目标ETF（代码RAM），目标提供朗希尔内存ETF（代码DRAM）每日收益的200%回报。
关键相关数据：
- 标的DRAM ETF4月2日启动交易，上线不足三月累计净资产约100亿美元，刷新ETF资金流入纪录，底层持仓中三星电子、SK海力士、美光三家占比约73%。
- 过去一年DDR5内存合约价格暴涨超100%，从约7美元/单位升至19.50美元/单位，2025年零售端DDR5价格累计上涨123%，预计2026年再涨45%，2026年上半年DRAM季度价格涨幅预计达50%-55%；三家头部厂商HBM产能全部售罄，排期至2026年底。
该产品为每日重置2倍杠杆的交易型工具，存在结构性风险：震荡行情下的每日再平衡机制会产生波动率衰减效应，长期持有将侵蚀收益。T-REX过往发行的TSLT、NVDX等2倍做多产品均锚定市场高共识叙事，RAM延续该运作思路，适配的投资者群体为短线战术交易者，长期持有会出现产品机制与持有周期错配的风险。
后续市场核心关注四个指标：RAM首周资产管理规模流入数据、第二季度内存定价数据、未来30天DRAM ETF的波动率表现、RAM的基差与跟踪误差水平。
