强一半导体申请器件刻蚀法相关专利，刻蚀去除器件侧面残留，减少表面损伤

6月10日消息，国家知识产权局信息显示，强一半导体（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种器件侧面残留物的刻蚀去除方法”的专利。申请公布号为CN122180321A，申请号为CN202610317045.4，申请公布日期为2026年6月9日，申请日期为2026年3月16日，发明人邢海东、王艾琳、于海超，专利代理机构苏州今迈知识产权代理事务所（特殊普通合伙），专利代理师覃永慧，分类号H10P50/20、H10P70/00。

专利摘要显示，本发明涉及一种器件侧面残留物的刻蚀去除方法，包括：步骤1：准备基底材料，基底材料为硅基材料、有机材料或金属材料中的一种；步骤2：利用掩膜材料在基底材料的表面制作掩膜图形，掩膜材料为金属、氧化硅、氮化硅或光刻胶中的一种，得到待处理样品；步骤3：若待处理样品本身无预设图形，在待处理样品表面沉积目标材料并完成二次图形转移；若待处理样品本身含有预设图形，则进入步骤4；步骤4：采用各向异性良好的刻蚀方式对待处理样品进行刻蚀，对待刻蚀部位进行初步刻蚀；步骤5：采用各向同性良好的刻蚀方式继续进行刻蚀，去除待处理样品侧面及凹坑内的残留材料。本发明能够在高效去除侧面残留材料的同时，减少刻蚀作用对样品表面的损伤。

天眼查数据显示，强一半导体（苏州）股份有限公司成立日期2015年8月28日，法定代表人周明，所属行业为仪器仪表制造业，企业规模为中型，注册资本12955.93万人民币，实缴资本12955.93万人民币，注册地址为苏州工业园区东长路88号S3幢。强一半导体（苏州）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目54次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息352条，拥有行政许可20个。

强一半导体（苏州）股份有限公司近期专利情况如下：