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晶合集成取得半导体结构相关专利，平整铝垫凸起结构，提升芯片封装良率及可靠性

新浪证券-红岸工作室

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6月10日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法和半导体结构”的专利，授权公告号CN121398647B，授权公告日为2026年6月9日。申请公布号为CN121398647A，申请号为CN202511972263.3，申请公布日期为2026年6月9日，申请日期为2025年12月25日，发明人吴珊、王松，专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司，专利代理师梁燕飞，分类号H10W72/90。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种半导体结构的制造方法和半导体结构，该方法包括在铝垫基座中的沟槽表面依次沉积扩散阻挡层、铝层和抗反射层，铝层在沟槽中形成凸起结构；通过溅射工艺将位于沟槽底部的抗反射层材料迁移至沟槽侧壁，以在沟槽底部露出铝层；在沟槽底部的暴露的铝层表面沉积金属钛以形成钛铝化合物；采用氢氟酸湿法刻蚀工艺去除钛铝化合物，以平整化凸起结构；在沟槽底部的铝层表面重新沉积抗反射层材料。本申请实施例通过平整化铝垫基座的沟槽中尖锐的类似"倒牛角"的凸起结构，提高了制造的铝垫表面平整度和可靠性，从而提升了芯片封装良率并降低了晶圆损伤风险。

晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市。公司注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市，是国内领先的12英寸晶圆代工企业，具备较强的技术实力与产能优势。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，致力于研发并应用行业先进工艺，为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，涉及MCU概念、MiniLED、芯片概念等板块。

2025年，晶合集成营业收入为108.85亿元，在行业7家公司中排名第4，行业第一名中芯国际营收673.23亿元，第二名华虹宏力172.91亿元，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。其主营业务中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，同样在行业7家公司中排名第4，行业第一名中芯国际净利润72.09亿元，第二名赛微电子13.88亿元，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置发明专利公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬
2半导体结构及制备方法发明专利公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春
3光阻层的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明
4半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法发明专利公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚
5半导体结构及制备方法发明专利公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露
6用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法发明专利公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟
7OPC模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质发明专利公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙
8一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备发明专利公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜
9深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法发明专利公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉
10一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品发明专利公布CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29赵广、罗招龙、张国乾
11降低F离子注入在CIS产品上产生白像素的方法及系统发明专利公布CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽
12半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26王文智、王仲盛
13半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤
14静态存储器的最小工作电压的预测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁
15一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利公布CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞
16一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利公布CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞
17一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷
18一种接触孔及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19贾涛、董宗谕、王佳佳
19半导体结构的制作方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19高佑琳、高志杰、盛云、王瑞
20半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕
21半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕
22一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊
23半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕
24光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙
25电性测试结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼
26伽马电阻的阻值波动的监控方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春
27一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃
28黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明
29一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩
30一种化学气相沉积设备及其温度控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12黄望望、王松、周丹玫、胡万春
31晶体管结构及其制备方法发明专利公布CN202610468691.02026-04-10CN122121263A2026-05-29张帅博、郭廷晃
32铝衬垫制备方法及半导体发明专利实质审查的生效、公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕
33一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛
34半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀
35半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健
36套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平
37半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛
38LDMOS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪
39半导体结构制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智
40电容结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪
41半导体测试结构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610425182.X2026-04-02CN121969117A2026-05-01陈文璟、邵迎亚、汪雪春
42半导体测试结构及厚度测量方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610427694.X2026-04-02CN121969118A2026-05-01张盖、王雪、梁栋栋
43图像传感结构、传感器及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610416871.42026-04-01CN121968751A2026-05-01陈维邦
44一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610419236.12026-04-01CN121959384A2026-05-01姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟
45一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610416662.X2026-04-01CN121968622A2026-05-01吴彬彬、朱瑶
46一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610419234.22026-04-01CN121969040A2026-05-01牛昆龙、张晓亮
47机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质发明专利授权CN202610419232.32026-04-01CN121959064B2026-06-09李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清
48漏电测试结构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610405431.92026-03-31CN121933982A2026-04-28李响、丁峰、芮倩、汪小小
49一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610407639.42026-03-31CN121969039A2026-05-01何杨、张劲
50静电放电保护器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610409574.72026-03-31CN121968726A2026-05-01王维安、程洋

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