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中欣晶圆申请单晶缺陷锁定相关专利，解决硅片缺陷检测误判问题，提供应力重建先验

新浪证券-红岸工作室

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6月3日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“针对硅片黑十字光消失原理的产品单晶缺陷锁定系统及方法”的专利。申请公布号为CN122108938A，申请号为CN202610152360.6，申请公布日期为2026年5月29日，申请日期为2026年2月3日，发明人任梦，专利代理机构杭州融方专利代理事务所（普通合伙），专利代理师沈相权，分类号G01N21/01、G01N21/95。

专利摘要显示，本发明涉及单晶硅片缺陷检测技术领域，更具体地说，涉及针对硅片黑十字光消失原理的产品单晶缺陷锁定系统及方法，用于解决现有技术通常缺乏对断裂特征与局部应力方向之间力学正交关系的有效验证，仅依赖图像强度或简单阈值提取断裂端点，易受噪声、成像非均匀性或晶体微结构干扰，导致伪断裂误判的问题；本发明通过黑十字断裂应力验证模块融合偏振响应与力学先验，通过调制深度与相位一致性定位断裂端点，结合加权鲁棒拟合反演局部应力方向，并以统计检验严格验证断裂‑应力垂直关系，最终以已验证点为边界，驱动各向异性扩散生成物理合理、抗噪鲁棒的全场引导特征场，为高精度应力重建提供可靠先验。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本523559.0107万人民币，实缴资本503225.6776万人民币，注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息465条，拥有行政许可23个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种改善硅片平坦度和表面微观纳米形貌的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610433578.92026-04-03CN122033767A2026-05-15张文军
2LAP研磨液分流装置及其改进方法发明专利公布CN202610401390.62026-03-30CN122099994A2026-05-29孙贵昌
3减少清洗后硅片表面残留水的装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610357091.72026-03-23CN122008067A2026-05-12石建群
4一种边缘腐蚀机生产工艺中的柔性可调水平暂存台系统及操作方法发明专利公布CN202610300126.32026-03-12CN122126635A2026-06-02万琨
5基于BBS边抛机移载机的柔性合夹、移位、清洗系统及处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610264655.22026-03-05CN121972433A2026-05-05金忠谱
6针对硅片黑十字光消失原理的产品单晶缺陷锁定系统及方法发明专利公布CN202610152360.62026-02-03CN122108938A2026-05-29任梦
7CMP设备的研磨液精准供给系统及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128880.32026-01-30CN121733440A2026-03-27刘肖
8用于超低电阻硅片的电容式平坦度测量装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128881.82026-01-30CN122015634A2026-05-12张迪
9一种硅片片盒传递的分选机取送料系统及操作方法发明专利公布CN202610101895.02026-01-26CN122057704A2026-05-19张晨阳、康海洋、蔡敏杰
10改善最终外观目检台聚光灯消耗的结构及其降本增效方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066824.12026-01-19CN121782552A2026-04-03李林秀
11通过颗粒测试机台测试热氧化后先行片孪晶缺陷的方法发明专利公布CN202610066826.02026-01-19CN122094438A2026-05-26宋金会
12一种减少硅片DIC异常的柔性吸附转移系统及放置方法发明专利公布CN202610066822.22026-01-19CN122094437A2026-05-26侯文艺
13针对成品晶圆的包装盒可视检测系统及码放精度测量方法发明专利公布CN202610021292.X2026-01-08CN121829314A2026-04-10王伟东
14提升硅片表金属清洗效率且环境友好型的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610021291.52026-01-08CN122054939A2026-05-15毛攀
15一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳
16检测晶体微小缺陷的方法发明专利公布CN202512046375.22025-12-31CN121830714A2026-04-10何珍碧
17一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046368.22025-12-31CN121888919A2026-04-17石建群
18一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202512037300.82025-12-31CN121888881A2026-04-17缪燃
19降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046344.72025-12-31CN121874744A2026-04-17崔涛、李鹏
20一种提高晶圆双面抛光表面质量的化学机械抛光液及抛光方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037304.62025-12-31CN121895868A2026-04-21马成智
21一种降低边缘抛光碎裂片的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037302.72025-12-31CN121946339A2026-05-01徐威楠
22一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置发明专利实质审查的生效、公布CN202512020705.02025-12-30CN121874901A2026-04-17王忠保、张友海、杨凯、芮阳、倪浩然、白园、赵娜、李俊丽
23一种可调节的硅片粗糙度的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020706.52025-12-30CN121908871A2026-04-21李媛
24一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020699.92025-12-30CN121908855A2026-04-21郭体强、齐旭东
25一种用于半导体晶圆化学机械抛光的低缺陷率复合抛光液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020703.12025-12-30CN121950188A2026-05-01姜翠兰
26基于晶圆倒角机的缓冲吸附机械手系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512007568.72025-12-29CN121696852A2026-03-20杜书红
27一种应用于硅片的抛光液自动配比供应系统及控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511988919.02025-12-26CN121879445A2026-04-17李炎
28一种高生长速率的EPI生产方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511982257.62025-12-25CN121915492A2026-04-24赵博
29一种检测亲水性硅片表面金属的ICP-MS进样装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511965099.32025-12-24CN121805386A2026-04-07苏慧云、戴潮
30颗粒检测仪在测试过程中被吸附颗粒的改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953352.32025-12-23CN121877674A2026-04-17郑斌
31转品名自动核对的技术方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953332.62025-12-23CN121958521A2026-05-01张靖
32针对晶圆片盒内金属含量的防污染检测系统及快速检测方法发明专利公布CN202511941811.62025-12-22CN121678728A2026-03-17苏慧云、周桂丽、戴潮
33一种降低硅抛光片体镍含量的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511938463.72025-12-22CN121888877A2026-04-17高威、张森阳
34一种硅单晶粗片的轮廓参数检测系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511927715.62025-12-19CN121612895A2026-03-06周卫宏
35一种硅片加工的全流程中防崩边闭环系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511908263.72025-12-17CN121870571A2026-04-17胡磊
36基于边缘区域在线监测与动态压力补偿的抛光方法发明专利公布CN202511886277.32025-12-15CN121552237A2026-02-24徐姜炜
37采用液相离子色谱仪分析硅片表面氯离子的前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511886281.X2025-12-15CN121805489A2026-04-07周桂丽、戴潮、代治立、周卫宏
38基于硅片插片工序的静电消除与表面清洁系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511886282.42025-12-15CN121869782A2026-04-17苏鹏辉
39针对晶圆倒角的晶圆边缘加工系统及倒角工艺发明专利公布CN202511865282.62025-12-11CN121552186A2026-02-24黄炜霞
40一种片盒包装的装载、检查系统及安装方法发明专利公布CN202511846572.62025-12-09CN121553472A2026-02-24王斌
41一种单晶硅片notch部位边缘轮廓尺寸的测量方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511831114.52025-12-06CN121908853A2026-04-21郭体强、齐旭东
42硅片V型槽抛光中心矫正的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511816359.02025-12-04CN121572186A2026-02-27吴福壮
43区分PV型与PI型硅片的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511816355.22025-12-04CN121888927A2026-04-17王烨华、康海洋
44预防供液管路结晶的冲洗装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773551.62025-11-28CN121403247A2026-01-27毛国领
45铬酸回收装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511773554.X2025-11-28CN121700174A2026-03-20孙贵昌、方一栋
46降低EPI过程应力突变造成长膜畸变量的系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511762935.82025-11-27CN121752000A2026-03-27李皓
47用于高电阻硅片的在线式光学干涉平坦度测量方法发明专利公布CN202511730214.92025-11-24CN121677620A2026-03-17雷凇
48APCVD背面污迹工艺的优化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511730212.X2025-11-24CN121700360A2026-03-20吕进午
49基于化学机械协同与多步应力管理的半导体硅片减薄工艺发明专利公布CN202511681766.52025-11-17CN121670511A2026-03-17何航党、高洪涛
50外延后膜厚及滑移线的改善方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511681767.X2025-11-17CN121712314A2026-03-20何珍碧

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