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中微公司申请等离子体装置相关专利，等离子体装置增大间隙提升腔清洁效率

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6月3日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种等离子体处理装置及控制方法”的专利。申请公布号为CN122136251A，申请号为CN202411757518.X，申请公布日期为2026年6月2日，申请日期为2024年12月2日，发明人宋靖鹏、李开元，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师王振、徐雯琼，分类号H01J37/32、B08B7/00、B08B13/00。

专利摘要显示，本发明提供了一种等离子体处理装置及控制方法，所述等离子体处理装置包括：真空反应腔，其内设有上电极和下电极；套筒，其贯穿真空反应腔的顶壁设置；移动环，其环绕设置于上电极的周向，可沿竖直方向在传片位置和工艺位置之间移动；所述移动环的顶端设有支撑杆，支撑杆的顶端穿过套筒设置；第一驱动机构，其设置在支撑杆的顶端；限位垫片，其与第一驱动机构连接，可沿垂直于支撑杆的方向移动；当限位垫片移动至所述支撑杆的周向外侧，且被支撑杆的顶端压在套筒上时，相对工艺位置，移动环被垫高至少一个限位垫片的高度，使移动环位于清洁位置，用于执行清洁工艺。本发明增大了清洁工艺中移动环与下电极之间的间隙，提升了清洁反应腔的效率。

天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期2004年5月31日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本62614.5307万人民币，实缴资本62691.781万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目86次，财产线索方面有商标信息114条，专利信息1682条，拥有行政许可88个。

中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种射频功率供应系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511924458.02025-12-18CN121879506A2026-04-17倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰
2一种工艺顶盖及气相沉积设备实用新型授权CN202521979639.92025-09-15CN223458392U2025-10-21刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平
3晶圆托盘外观专利授权CN202530511724.12025-08-28CN309976984S2026-05-12代宇通、汪国元、黄稳、姜勇
4气体喷淋头外观专利授权CN202530466397.22025-08-07CN309910861S2026-04-10孟可、周艳、李开元
5气体喷淋头外观专利授权CN202530466450.92025-08-07CN309910862S2026-04-10朱永成
6气体喷淋头外观专利授权CN202530466394.92025-08-07CN309910860S2026-04-10周艳、李开元
7反应腔、高深宽比结构及其形成方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510550377.22025-04-28CN120072612B2025-07-25尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强
8基片托盘外观专利授权CN202530230568.12025-04-25CN309730273S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开
9基片托盘外观专利授权CN202530230569.62025-04-25CN309730274S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开
10电磁线圈组件及半导体加工设备实用新型授权CN202520763154.X2025-04-21CN224232426U2026-05-12王亚军、周国祥
11一种基片处理系统实用新型授权CN202520716379.X2025-04-15CN224267209U2026-05-22徐义、陈琦、莱纳德·刘、梁冬冬、张海龙、陶珩、吴红星
12一种气相沉积设备及半导体处理系统发明专利公布CN202510444720.52025-04-09CN120830094A2025-10-24尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅
13一种升降驱动组件和半导体工艺设备实用新型授权CN202520618963.12025-04-02CN224020732U2026-03-20李琳、王许、朱永成、周艳
14下电极组件及等离子体处理设备实用新型授权CN202520539349.62025-03-25CN224123342U2026-04-14田宁、叶如彬、范光伟
15一种掩膜结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293724.82025-03-12CN121496378A2026-02-10罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海
16掩膜结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293826.X2025-03-12CN121496322A2026-02-10罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海
17一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510293764.22025-03-12CN121496321A2026-02-10尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙
18等离子体约束结构及等离子体处理设备实用新型授权CN202520402185.22025-03-07CN224232637U2026-05-12叶如彬、马越、王洪青、范光伟
19一种环组件及成膜装置实用新型授权CN202520251908.32025-02-17CN223780392U2026-01-09郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟
20一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510165658.62025-02-14CN119673741B2025-05-30叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟
21一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体处理设备实用新型授权CN202520210442.22025-02-10CN222637222U2025-03-18卢明、李博睿、倪图强
22一种半导体加工设备及其控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510147729.X2025-02-10CN119601451B2025-05-09李博睿、卢明、倪图强
23一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520172387.22025-01-24CN223780352U2026-01-09杜冰洁、路今、姜银鑫
24一种基座及化学气相沉积设备实用新型授权CN202520166280.72025-01-23CN224001504U2026-03-17梁轩、徐立、吕术亮
25一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510098695.X2025-01-21CN119517722B2025-05-13田宁、叶如彬
26一种隔离结构及化学气相沉积装置实用新型授权CN202520123428.92025-01-17CN223780362U2026-01-09黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开
27缓冲装置实用新型授权CN202520107111.62025-01-16CN223780359U2026-01-09杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何伟业
28一种化学气相沉积装置发明专利授权CN202510073813.12025-01-16CN119932527B2026-04-10张辉、姜银鑫、姜勇
29一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520086318.X2025-01-14CN223780351U2026-01-09陆顺开、周子琛、张辉
30一种气体流量控制阀、气体输送装置及气体供应方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411976013.22024-12-31CN119374033A2025-01-28徐志鹏、倪图强、连增迪
31化学气相沉积设备实用新型授权CN202423319091.32024-12-31CN223780363U2026-01-09朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远
32一种晶圆承载组件及半导体处理设备实用新型授权CN202423320135.42024-12-31CN223899675U2026-02-10陈星棋
33一种用于气柜可燃性测试的系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411980652.62024-12-30CN119375415A2025-01-28王治平、宋飘、宋常征、权汉钊
34一种射频发生器、半导体处理设备及使用方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411969617.42024-12-30CN119382671B2025-09-12徐志鹏、常健、王亚军
35一种半导体工艺平台实用新型授权CN202423296470.52024-12-30CN223660196U2025-12-12陶珩、何伟业、许灿、王能语、杨闰清、吴红星、廖腊财、桑成松、刘学滨、陈冬、刘青、刘雯伊
36一种半导体处理设备及其固态前驱体输送系统和输送方法发明专利授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411947571.62024-12-26CN119372628B2025-03-18庄宇峰、朱泉松、李远、孙家鑫
37一种用于半导体处理设备的气体输送装置和气体通路模块实用新型授权CN202423230256.X2024-12-25CN223524974U2025-11-07姜学斌、彭建录、梁冬冬、周楚秦、张嘉赫
38晶圆托盘外观专利授权CN202430820667.02024-12-24CN309541504S2025-10-14汪国元、代宇通、姜勇
39晶圆托盘外观专利授权CN202430817296.02024-12-23CN309541503S2025-10-14汪国元、代宇通、姜勇
40一种半导体设备实用新型授权CN202423192168.52024-12-23CN224022201U2026-03-20胡甘成、黄稳、汪国元、郑振宇、姜勇
41一种沉积金属氮化物的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411897577.72024-12-20CN120193249A2025-06-24沈成绪、许灿、高烨、陈宇畅、刘鹏杰、杨闰清
42气体喷淋头、喷淋头组件以及化学气相沉积装置实用新型授权CN202423152151.72024-12-19CN223780356U2026-01-09陈佳波、徐立、吴红星、吕术亮、李雪子
43等离子体处理设备实用新型授权CN202423135658.12024-12-18CN223665407U2025-12-12王许、朱永成、李琳、王智昊
44机械臂及半导体设备零件的洁净度原位检测系统实用新型授权CN202423135638.42024-12-18CN223657031U2025-12-12孙祥、刘若晨
45一种半导体处理设备及其多区加热板和多区温控驱动方法发明专利授权CN202411825844.X2024-12-11CN119835809B2026-03-17张辉、姜银鑫、杜冰洁
46一种气路加热模组实用新型授权CN202422993593.82024-12-04CN223528230U2025-11-07毛绪光、吴红星、李远
47一种真空平台实用新型授权CN202422993652.12024-12-04CN223535207U2025-11-11刘雯伊、王能语、刘学滨
48锁扣组件和反应腔实用新型授权CN202422980570.32024-12-03CN223535206U2025-11-11黄稳、姜勇
49一种等离子体处理装置及控制方法发明专利公布CN202411757518.X2024-12-02CN122136251A2026-06-02宋靖鹏、李开元
50下电极组件和等离子体处理装置发明专利公布CN202411751201.52024-11-29CN122136250A2026-06-02张一川、顾继强、田宁、叶如彬、左涛涛

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