6月3日消息，国家知识产权局信息显示，江苏应能微电子股份有限公司申请一项名为“适用中高压的沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备方法”的专利。申请公布号为CN122121212A，申请号为CN202610184357.2，申请公布日期为2026年5月29日，申请日期为2026年2月9日，发明人李振道、孙明光、朱伟东，专利代理机构北京中济纬天专利代理有限公司，专利代理师丁燕华，分类号H10D30/60、H10D30/01、H10D62/00、H10D62/10。
专利摘要显示，本发明公开了适用中高压的沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备方法，包括：外延层；沟槽栅极结构；多个场氧柱，间隔设置在终端区的栅极氧化层表面；第一掺杂区，位于各场氧柱下方以及主动区中相邻沟槽之间的外延层内；第二掺杂区，位于主动区的相邻沟槽间的第一掺杂区内；介电层，覆盖沟槽栅极结构和场氧柱；接触孔；掺杂接触区，位于接触孔下方的外延层内；以及金属互连层，填充于接触孔内并覆盖在部分介电层表面，与掺杂接触区形成欧姆接触。本发明采用仅需四道光罩的制备工艺，在确保器件关键电气特性与可靠性的前提下，显著降低了生产成本，有效克服了现有简化工艺在减少光罩数量的同时损害器件电学性能与可靠性的技术问题。
天眼查数据显示，江苏应能微电子股份有限公司成立日期2012年3月22日，法定代表人ZHU PHILLIP WEIDONG，所属行业为研究和试验发展，企业规模为小型，注册资本4286.5339万人民币，实缴资本2089.1564万人民币，注册地址为常州市天宁区创智路5号4号楼（8层、9层）。江苏应能微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息117条，拥有行政许可11个。
江苏应能微电子股份有限公司近期专利情况如下：
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种低动态电阻高浪涌能力的双向瞬态电压抑制器 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610461489.5 | 2026-04-09 | CN121985590A | 2026-05-05 | 朱伟东、赵泊然 |
| 2 | 一种微型单体封装电子保护结构及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610352324.4 | 2026-03-23 | CN121925156A | 2026-04-24 | 朱伟东、赵泊然 |
| 3 | 纵向SCR型瞬态过压保护器件 | 发明专利 | 授权 | CN202610313890.4 | 2026-03-16 | CN121888620B | 2026-05-26 | 朱伟东、赵泊然 |
| 4 | 一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610296786.9 | 2026-03-12 | CN121843143B | 2026-05-22 | 朱伟东、赵泊然 |
| 5 | 一种沟槽式功率MOSFET及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610206231.0 | 2026-02-12 | CN122121202A | 2026-05-29 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 6 | 适用中高压的沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610184357.2 | 2026-02-09 | CN122121212A | 2026-05-29 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 7 | 一种屏蔽栅沟槽功率MOSFET及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511876860.6 | 2025-12-12 | CN121728802A | 2026-03-24 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 8 | 用于ESD防护的多电流通路双向SCR器件 | 发明专利 | 授权 | CN202511309274.3 | 2025-09-15 | CN120812966B | 2025-11-18 | 朱伟东、赵泊然 |
| 9 | 一种改善开关损耗的沟槽式MOSFET器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510796831.2 | 2025-06-16 | CN120321986A | 2025-07-15 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 10 | 一种沟槽式功率金氧半场效晶体管及其制备工艺 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510774266.X | 2025-06-11 | CN120282541B | 2025-08-26 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 11 | 用于防护雷击的压敏电阻夹层模组集成结构 | 发明专利 | 授权 | CN202510592406.1 | 2025-05-09 | CN120417465B | 2026-02-17 | 朱伟东、赵泊然 |
| 12 | 一种ESD加固的LDMOS器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411329890.0 | 2024-09-24 | CN118841450B | 2024-12-17 | 孙明光、李振道、朱伟东 |
| 13 | 一种自适应超结LDMOS结构 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411081577.X | 2024-08-08 | CN118782654B | 2025-04-08 | 孙明光、李振道、朱伟东 |
| 14 | 一种用于抗闩锁的高压ESD保护器件 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410982344.0 | 2024-07-22 | CN118522769B | 2024-10-01 | 朱伟东、赵泊然 |
| 15 | 用于ESD防护的高掺杂多晶硅器件与工艺 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410718845.8 | 2024-06-05 | CN118299408B | 2024-08-02 | 朱伟东、赵泊然 |
| 16 | 用于ESD防护的双模灵敏检测瞬态触发电路 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202410480761.5 | 2024-04-22 | CN118074085A | 2024-05-24 | 朱伟东、赵泊然 |
| 17 | 一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制备方法及器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202410239174.7 | 2024-03-04 | CN117832093B | 2024-05-10 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 18 | 一种自适应超结沟槽式MOSFET器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311401481.2 | 2023-10-26 | CN117133791B | 2024-01-26 | 孙明光、李振道、朱伟东 |
| 19 | 双齐纳阱SCR器件、制造工艺及其堆叠结构 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311282644.X | 2023-10-07 | CN117038720B | 2024-01-26 | 朱伟东、赵泊然 |
| 20 | 具有三重resurf结构的分离栅沟槽MOS器件及工艺 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311083616.5 | 2023-08-28 | CN116799070B | 2023-11-17 | 孙明光、李振道、朱伟东 |
| 21 | 一种集成ESD保护器件的分离栅沟槽MOS器件及工艺 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311076280.X | 2023-08-25 | CN116825850B | 2023-11-17 | 孙明光、李振道、朱伟东 |
| 22 | 开关电源导通时间控制电路、方法和开关电源 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310912685.6 | 2023-07-25 | CN116647098B | 2023-10-03 | 李征、赵泊然、朱伟东 |
| 23 | 一种超低电容双向SCR-TVS器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202310862496.2 | 2023-07-14 | CN116598309A | 2023-08-15 | 朱伟东、赵泊然 |
| 24 | 一种垂直型双向SCR低电容TVS器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310862502.4 | 2023-07-14 | CN116581122B | 2023-09-12 | 朱伟东、赵泊然 |
| 25 | 具有闸源端夹止结构的沟槽式功率MOSFET器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310816523.2 | 2023-07-05 | CN116525663B | 2023-09-12 | 李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然 |
| 26 | 一种三维超结LDMOS结构及其制作方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202310793099.4 | 2023-06-30 | CN116525655A | 2023-08-01 | 孙明光、李振道、朱伟东、赵泊然 |
| 27 | 加强型屏蔽闸沟槽式功率金氧半场效晶体管 | 实用新型 | 授权 | CN202321650322.1 | 2023-06-27 | CN220106545U | 2023-11-28 | 李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然 |
| 28 | 电机转子角度信息识别方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202310670645.5 | 2023-06-08 | CN116404916A | 2023-07-07 | 曹元、朱伟东、吴琦 |
| 29 | 内置ESD保护二极管的SGT器件及其制作方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310594164.0 | 2023-05-25 | CN116314341B | 2023-08-08 | 朱伟东、赵泊然、李振道、孙明光 |
| 30 | 一种屏蔽闸沟槽式功率金属氧化物半导体制作方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310540946.6 | 2023-05-15 | CN116259544B | 2023-08-08 | 李振道、孙明光、朱伟东、赵泊然 |
| 31 | 开关变换器控制电路、控制方法及电源设备 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310524618.7 | 2023-05-11 | CN116247908B | 2023-07-28 | 李征、赵泊然、朱伟东 |
| 32 | 电源设备及用于电源芯片的工作模式配置电路 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310505858.2 | 2023-05-08 | CN116247933B | 2023-07-25 | 李征、赵泊然、朱伟东 |
| 33 | 一种基于Resurf效应的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制备方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202310385852.6 | 2023-04-12 | CN116110944A | 2023-05-12 | 朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道 |
| 34 | 一种低寄生电容焊盘 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202310385849.4 | 2023-04-12 | CN116110872A | 2023-05-12 | 朱伟东、赵泊然 |
| 35 | 一种栅控Resurf高压LDMOS结构 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310376829.0 | 2023-04-11 | CN116110955B | 2023-06-27 | 朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道 |
| 36 | 一种分段式分离栅SGTMOSFET结构 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310381286.1 | 2023-04-11 | CN116093146B | 2024-02-20 | 朱伟东、赵泊然、孙明光、李振道 |
| 37 | 具有高维持电压的低电容双向SCR瞬态抑制器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310371412.5 | 2023-04-10 | CN116093153B | 2023-07-21 | 朱伟东、赵泊然 |
| 38 | 一种电压钳位组合器件 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202310343608.3 | 2023-04-03 | CN116093912A | 2023-05-09 | 朱伟东、赵泊然 |
| 39 | 碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法 | 发明专利 | 授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布 | CN202211118851.7 | 2022-09-15 | CN115440822B | 2023-08-22 | 李振道、孙明光 |
| 40 | 碳化硅半导体场效晶体管的栅源极保护结构及制备方法 | 发明专利 | 授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布 | CN202211081391.5 | 2022-09-06 | CN115172457B | 2024-05-03 | 李振道、孙明光 |
| 41 | 具有高维持电压的瞬态电压抑制保护器件及静电放电电路 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202210098666.X | 2022-01-27 | CN114121944B | 2022-05-17 | 朱伟东、赵泊然 |
| 42 | 具有高触发电流的SCR器件及静电放电电路结构 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202210098555.9 | 2022-01-27 | CN114121943B | 2022-05-17 | 朱伟东、赵泊然 |
| 43 | 降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构 | 实用新型 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权 | CN202220184870.9 | 2022-01-24 | CN216648324U | 2022-05-31 | 朱伟东、赵泊然、王晓荣 |
| 44 | 一种自隔离非对称垂直型瞬态电压抑制保护器件 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202111325282.9 | 2021-11-10 | CN113764406B | 2022-03-01 | 朱伟东、赵泊然 |
| 45 | 具有补偿阱可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件及其制作方法 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202111281199.6 | 2021-11-01 | CN113725213B | 2022-03-01 | 朱伟东、赵泊然 |
| 46 | 一种屏蔽闸沟槽式MOS管的斜氧制作方法 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202111122643.X | 2021-09-24 | CN113571421B | 2021-12-24 | 李振道、孙明光、朱伟东 |
| 47 | 具有网格状阴阳极沟槽结构的瞬态电压抑制保护器件 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202111047867.9 | 2021-09-08 | CN113488464B | 2021-12-07 | 朱伟东、赵泊然 |
| 48 | 沟槽原位掺杂多晶硅可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件 | 发明专利 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布 | CN202111047854.1 | 2021-09-08 | CN113497032B | 2022-01-25 | 朱伟东、赵泊然 |
| 49 | 降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构和制造方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布 | CN202110964535.0 | 2021-08-23 | CN113410311A | 2021-09-17 | 朱伟东、赵泊然、王晓荣 |
| 50 | 双向高压瞬态电压抑制器的结构及其制作方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202110964546.9 | 2021-08-23 | CN113421930A | 2021-09-21 | 朱伟东、赵泊然、陈德朋 |
