5月26日，瑞银将美光目标股价从535美元上调至1625美元后，美光市值突破1万亿美元。这主要因HBM供应售罄，预计今年人工智能基础设施支出超6000亿美元，美光搭乘内存市场顺风车。
半导体市场复苏由平均销售价格（ASP）增长驱动，与销量分离。2026年Q1，传统DRAM合同价格环比涨90% - 95%，Q2预计再涨58% - 63%；2025年初到12月，闪存价格涨246%，三星ASP同比涨146%。这是因三星、SK海力士和美光限制DRAM总产能扩张，导致传统产品供应短缺，提升了面对是个价格年度Q2/3季度，美光营收因ASP增长营收达238.6亿美元，较同期几乎翻番，GAAP毛利率达74.4%。
美光将2026财年资本支出从180亿美元提高到200亿美元，是将投资从传统产品线转移到HBM和先进封装领域。因内存领域资本支出有延迟，新增产能要18 - 24个月才能投入使用，供应限制将持续到2026年底甚至2027年。
内存行业分化为HBM和传统DRAM、NAND两个市场。HBM到2026年产品已售罄，传统产品因产能被HBM占用出现供应短缺。
美光1万亿美元市值意味着投资者预计当前定价环境持续。瑞银设定的1625美元目标股价假设利润率扩张将持续。但内存定价长期不稳定，不过三家供应商吸取2022年市场低迷教训，预计2026年DRAM行业资本支出增长14%。
美光市值达1万亿美元，背后盈利趋势真实，更持久驱动因素是内存产品组合的供应管控。关键在于韩国新晶圆厂产能2027年下半年投入使用后，供应限制是否持续。投资者应关注三星和SK海力士下一次季度资本支出指引。
- 2026年Q1，传统DRAM合同价格环比涨90% - 95%，Q2预计再涨58% - 63%
- 2025年初到12月，闪存价格涨246%
- 三星ASP同比涨146%
- 2026年三星和SK海力士DRAM总产量增幅5% - 8%
- 美光2026财年资本支出计划200亿美元
- 2026年预计整个DRAM行业资本支出613亿美元
- 美光2026财年Q2营收238.6亿美元，GAAP毛利率74.4%
- 美光2026财年Q2每股收益12.07美元，Q1每股收益4.78美元，Q2自由现金流69亿美元
