奕斯伟材料申请绝缘体上硅相关专利，离子束平坦化处理获厚度偏差小的SOI衬底

5月24日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“绝缘体上硅衬底及其制备方法”的专利。申请公布号为CN122073993A，申请号为CN202511982090.3，申请公布日期为2026年5月22日，申请日期为2025年12月25日，发明人李娟、兰洵、蒋治国，专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师侯丽丽、宋东阳，分类号H10W10/00、H10W10/10、H10P90/00、H10P50/24。

专利摘要显示，本申请提供了绝缘体上硅衬底及其制备方法，制备方法包括：对绝缘体上硅中间体的顶层硅执行离子束平坦化处理，以获得绝缘体上硅衬底，其中，离子束平坦化处理包括：确定由具有基准处理参数的离子束对绝缘体上硅中间体的顶层硅执行离子束平坦化处理的过程中，引起的绝缘体上硅中间体的基准热形变；根据绝缘体上硅中间体的基准热形变以及顶层硅在被执行离子束平坦化处理前的初始形貌与目标形貌之间的差异，确定用于对绝缘体上硅中间体的顶层硅进行扫描刻蚀的设计膜厚去除量矩阵；根据设计膜厚去除量矩阵，采用离子束对绝缘体上硅的顶层硅进行扫描刻蚀，以获得顶层硅的厚度偏差小于预定阈值的绝缘体上硅衬底。

西安奕材于2016年3月16日成立，2025年10月28日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均位于陕西省西安市。公司专注12英寸硅片研发生产销售，在半导体材料领域具备较强技术实力。

西安奕材主营业务为12英寸硅片的研发、生产和销售，所属申万行业为电子 - 半导体 - 半导体材料，概念板块涵盖次新股、新股与次新股、昨日高振幅。

2025年，西安奕材实现营业收入26.49亿元，在26家行业公司中排名第6，高于行业平均数19.89亿元和中位数11.14亿元，但与第一名有研新材的95.42亿元、第二名雅克科技的86.11亿元仍有差距。主营业务中，测试片收入10.42亿元占比39.33%，抛光片9.84亿元占比37.15%，外延片6.1亿元占比23.03%。不过，公司净利润为 - 7.38亿元，在行业排名25/26，远低于行业平均数3265.85万元和中位数8178.71万元，与第一名雅克科技的10.3亿元、第二名江丰电子的4.14亿元差距明显。

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近期专利情况如下：

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