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兴福电子申请缓冲蚀刻液相关专利，蚀刻液添加剂和抑制剂稳定浓度延长蚀刻寿命

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3月31日消息，国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用”的专利。申请公布号为CN121736760A，申请号为CN202511782122.5，申请公布日期为2026年3月27日，申请日期为2025年11月29日，发明人李金航、张庭、罗海燕、刘春丽，专利代理机构湖北三峡专利代理事务所（普通合伙），专利代理师蒋悦，分类号C09K13/08、H10P50/68、H10P70/00。

专利摘要显示，本发明涉及蚀刻液技术领域，具体公开了一种长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用，所述蚀刻液含有氢氟酸、氟化铵、添加剂和抑制剂；其中添加剂为氟代脂肪醇；抑制剂为多元醇。本发明的蚀刻液用于半导体制造中氧化硅膜层的清洗和蚀刻。因蚀刻过程放热以及长时间与大气环境接触，水分挥发，同时气态氢氟酸，导致药液浓度变化大，通过加入的添加剂在药液表面形成多分子的、致密的、不挥发的薄膜，物理性地阻挡水分子逸出到空气中，同时抑制剂通过极性基团束缚住水分子，抑制扩散活性，使该蚀刻液在长时间蚀刻后水分损失小，氢氟酸浓度更稳定，从而获得更长的蚀刻寿命。

兴福电子于2008年11月14日成立，于2025年1月22日在上海证券交易所上市，注册地址为湖北省宜昌市，办公地址同样位于湖北省宜昌市。兴福电子是国内湿电子化学品领域领先企业，产品技术先进，具备全产业链优势，极具投资价值。

兴福电子主要从事湿电子化学品的研发、生产和销售，产品涵盖电子级磷酸、硫酸等通用湿电子化学品，以及蚀刻液等功能湿电子化学品，所属申万行业为电子 - 电子化学品Ⅱ - 电子化学品Ⅲ，涉及中芯国际概念、集成电路、大基金概念。

2025年，兴福电子营业收入14.75亿元，行业排名5/6，远低于第一名鼎龙股份的36.6亿元和第二名光华科技的29.64亿元，行业平均数为23.7亿元，中位数为23.57亿元。主营业务中，通用湿电子化学品收入10.93亿元，占比74.13%。净利润方面，2025年为2.06亿元，行业排名3/6，第一名鼎龙股份为7.96亿元，第二名上海新阳为3.01亿元，行业平均数为2.81亿元，中位数为1.78亿元。

湖北兴福电子材料股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种PTFE微孔折叠滤芯清洗方法发明专利公布CN202511994651.12025-12-26CN121668812A2026-03-17李少平、郭岚峰、杨着、刘洋、汪泳
2一种炭化树脂中元素含量的检测方法发明专利公布CN202511888861.22025-12-15CN121540696A2026-02-17杨磊、曾远、贺兆波、李琴
3一种适用于RDL工艺的剥膜液发明专利公布CN202511840165.42025-12-08CN121657383A2026-03-13郑秋曈、钟昌东、高楒羽、张宗萍
4一种低Ge含量的SiGe/Si选择性蚀刻液及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511820210.X2025-12-04CN121592351A2026-03-03余迪、尹印、马瑞、臧洋、崔会东
5一种利用FIB制备TEM样品薄片的交叉减薄方法发明专利公布CN202511810667.22025-12-03CN121703460A2026-03-20黄莉、曾远、徐泽、欧阳克银
6一种铜钛蚀刻液及其制备方法与应用发明专利公布CN202511782213.92025-11-29CN121653659A2026-03-13张玥、贺兆波、欧阳克银、钟昌东
7长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用发明专利公布CN202511782122.52025-11-29CN121736760A2026-03-27李金航、张庭、罗海燕、刘春丽
8一种电阻率大于1 Ω·cm的硅电极的蚀刻液发明专利公布CN202511782209.22025-11-29CN121736761A2026-03-27杨陈宗、尹印、万杨阳、余迪
9一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法发明专利公布CN202511782118.92025-11-29CN121736759A2026-03-27马瑞、尹印、余迪、臧洋
10一种湿电子化学品用PFA瓶的清洗方法发明专利公布CN202511779494.22025-11-28CN121732518A2026-03-27陈曦、叶瑞、郭岚峰、刘洋、许明杰
11一种选择性氮化钛蚀刻液发明专利公布CN202511765268.92025-11-27CN121736756A2026-03-27杨俊伟、尹印、万杨阳、路明
12一种IGZO和IGO的选择性蚀刻液发明专利公布CN202511764914.X2025-11-27CN121736757A2026-03-27余建平、尹印、杨俊伟、叶瑞
13一种强络合铜废水的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511732820.42025-11-24CN121470717A2026-02-06张宗萍、钟昌东、李文飞、欧阳克银
14一种羟基磷灰石-氧化铈复合材料的制备方法及化学机械抛光液发明专利公布CN202511732814.92025-11-24CN121651303A2026-03-13邹哲敏、贺兆波、罗月、刘文戈
15一种非离子型萘酰亚胺光酸衍生物及其应用发明专利公布CN202511732818.72025-11-24CN121698806A2026-03-20粟鹏、周钢翔、吴翔、崔会东
16一种电子级复合包装桶及制备方法与应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511722214.42025-11-21CN121404647A2026-01-27王洪杨、邹磊、杨着、周小龙
17一种磺酸肟酯类光致产酸剂制备方法及用途发明专利公布CN202511721181.12025-11-21CN121673260A2026-03-17胡聪、周钢翔、吴翔、叶瑞
18一种用于TGV玻璃通孔蚀刻的BOE溶液及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511712184.92025-11-20CN121494345A2026-02-10董攀飞、张庭、贺兆波、李金航
19一种膜分离耦合离子交换树脂的电子级磷酸制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511702497.62025-11-19CN121493891A2026-02-10胡杜娟、姜飞、贺兆波、陶瑞
20高选择性的钛硅氮/氮化钛蚀刻液发明专利公布CN202511694499.52025-11-18CN121699612A2026-03-20严凡、冯凯、贺兆波、王勇军
21超临界二氧化碳协同清洗电子级槽车系统与方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511684696.92025-11-17CN121491102A2026-02-10李少平、刘洋、杨着、郭岚峰、汪鳙
22用于抑制金属钛蚀刻的蚀刻液及应用发明专利公布CN202511684488.92025-11-17CN121699614A2026-03-20蒲帅、张庭、董攀飞、李金航
23一种电子级HCl纯化系统及纯化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511665017.32025-11-13CN121493870A2026-02-10吴春元、贺兆波、杨着、蔡俊霄
24一种高稳定性、高致密性的化学镀磷钯液及其制备方法和应用发明专利公布CN202511655928.82025-11-12CN121653626A2026-03-13杨铭、秦祥、李文飞、王蝶
25一种二氧化硅和钛的高选择性蚀刻液发明专利公布CN202511647087.62025-11-11CN121652807A2026-03-13武昊冉、张庭、李金航、许真、董攀飞
26一种Micro LED用去胶液及其制备方法发明专利公布CN202511647088.02025-11-11CN121674161A2026-03-17黄锣锣、贺兆波、欧阳克银、钟昌东
27一种用于金属钌的蚀刻后清洗剂及其制备方法发明专利公布CN202511637878.02025-11-10CN121653670A2026-03-13王亮、贺兆波、谢建、吴政
28一种钼铟镓锌氧化物选择性蚀刻液发明专利公布CN202511637879.52025-11-10CN121718349A2026-03-24苏张轩、贺兆波、冯凯、严凡
29一种高熔点电子级有机胺的提纯方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511628761.62025-11-07CN121517305A2026-02-13王荣、贺兆波、欧阳克银、吴昊
30一种碳化有机物清洗液发明专利公布CN202511628981.92025-11-07CN121652892A2026-03-13李少平、万杨阳、尹印、张庭
31一种肼二羧酸酯改性二氧化铈磨料的合成方法发明专利公布CN202511628760.12025-11-07CN121674030A2026-03-17陈钰坤、贺兆波、崔会东、罗月
32一种适用于凸点工艺的剥膜液发明专利公布CN202511611041.92025-11-05CN121657382A2026-03-13李少平、郑秋曈、欧阳克银、钟昌东、张演哲
33一种IGZO和IZO的选择性蚀刻液发明专利公布CN202511602693.62025-11-04CN121674068A2026-03-17李少平、余建平、贺兆波、尹印
34一种可选择性蚀刻高锗含量硅锗的蚀刻液发明专利公布CN202511602697.42025-11-04CN121674065A2026-03-17李少平、马瑞、贺兆波、尹印
35一种去除多晶硅假栅的蚀刻液发明专利公布CN202511602859.42025-11-04CN121674066A2026-03-17贺兆波、余迪、尹印、臧洋、马瑞
36整平剂及铜电镀液发明专利公布CN202511570239.72025-10-30CN121718941A2026-03-24郭岚峰、贺兆波、叶瑞、杨着、汪泳
37一种电子级包装桶插管配件的横向自动组装装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511551087.62025-10-28CN121447400A2026-02-03贺兆波、王洪杨、邹磊、周小龙、杨着
38基于氨基酸-呋喃羧酸双络合体系的无氰化学镀金液及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511542427.92025-10-27CN121496514A2026-02-10贺兆波、王蝶、秦祥、陈小超
39一种利用次磷酸钠副产尾气生产电子级磷化氢的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511515480.X2025-10-22CN121470442A2026-02-06曾靖淞、贺兆波、夏致远、万富强、李淳
40长寿命铜钼铌蚀刻液及蚀刻方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511482245.72025-10-16CN121272414A2026-01-06贺兆波、张宗萍、欧阳克银、钟昌东
41一种电子级醋酸的静态熔融结晶制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511473959.12025-10-15CN121202687A2025-12-26叶瑞、彭俊杰、欧阳克银、吴昊、崔俊博
42一种包装桶检测系统及检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511473972.72025-10-15CN121577258A2026-02-27邹磊、贺兆波、杨着、王洪杨、周小龙
43一种可兼容蚀刻Al/Mo与Mo/Al/Mo结构的铝蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511466255.12025-10-14CN121295185A2026-01-09雷康乐、贺兆波、张演哲、钟昌东、黄锣锣
44一种可控低选择比低粗糙度Si/SiGe蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511459174.92025-10-13CN121574731A2026-02-27贺兆波、臧洋、尹印、余迪
45一种氮化钼比钼的选择性蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511443453.62025-10-10CN121249368A2026-01-02贺兆波、严凡、樊澌、冯凯
46酸性剥离液及其在硅基表面复合膜剥离中的应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511425078.22025-09-30CN121500698A2026-02-10贺兆波、李素云、冯凯、班昌胜、李飞
47一种内标法测量金属基前驱体纯度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511401692.52025-09-28CN121453833A2026-02-03李锐峰、万富强、崔会东、龚浩擂、李文飞
48一种柠檬酸系银蚀刻液及其制备方法与应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511391286.52025-09-26CN121087492A2025-12-09叶瑞、张玥、贺兆波、欧阳克银、钟昌东
49用于抑制金属铝蚀刻的蚀刻液及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511390982.42025-09-26CN121427527A2026-01-30叶瑞、蒲帅、张庭、贺兆波、董攀飞
50一种高纯氟氮混合气的生产方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511380686.62025-09-25CN121317642A2026-01-13贺兆波、刘悦、夏致远、杨着、蔡俊霄

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