（来源：SEMI）
据日媒报道，铠侠（Kioxia）将在2026年开始生产332层的第10代NAND Flash，抢占AI数据中心需求。
报道称，铠侠将在2026年利用岩手北上工厂的第二晶圆厂（K2）开始生产新一代NAND Flash产品，目标抢攻AI数据中心需求。铠侠将生产的产品为被称为BiCS10 3D NAND 闪存，其存储单元（Memory Cell）的堆叠数从目前第8代的218层将增加至332层，每单位面积的储存容量提升59%、数据传输速度改善33%、能耗也有所降低。
新浪科技
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据日媒报道，铠侠（Kioxia）将在2026年开始生产332层的第10代NAND Flash，抢占AI数据中心需求。
报道称，铠侠将在2026年利用岩手北上工厂的第二晶圆厂（K2）开始生产新一代NAND Flash产品，目标抢攻AI数据中心需求。铠侠将生产的产品为被称为BiCS10 3D NAND 闪存，其存储单元（Memory Cell）的堆叠数从目前第8代的218层将增加至332层，每单位面积的储存容量提升59%、数据传输速度改善33%、能耗也有所降低。
