尽管受到美国出口管制的打压，但长鑫存储的芯片制造技术仍然取得了进展。
加拿大咨询机构TechInsights的数据显示，长鑫存储的第五代双倍数据速率内存(DDR5)采用了之前在中国市场未曾出现过的先进制造技术。
TechInsights的一位代表告诉彭博新闻社，“这意味着他们找到了在商业规模上设计和制造这种芯片的独特方法”。TechInsights本来预计此类内存技术要到2025年底或2026年初才会出现。
这一发现凸显出中国企业面对美国出口管制的强大抗压能力。新规阻止美国公司在未经华府批准情况下提供能够制造晶体管间距为18纳米或更小的DRAM芯片技术或设备。长鑫存储的最新芯片采用16纳米半间距。更小纳米间距意味着半导体性能更佳，且功率密度更高。
DDR5在2020年首次商业化，是当前DRAM产品的主流，行业领头羊包括SK海力士和三星电子。它可用于制造英伟达等公司开发的人工智能加速器所需的高带宽存储芯片。
不过TechInsights研究显示，长鑫存储的最新技术比上述两家韩国公司和美国的美光科技大约落后三年。在研究中，TechInsights还发现长江存储与行业龙头相比更具竞争力。编辑/陈佳靖
