英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。
充电头网最近在整理以往的拆解案例时，发现英诺赛科旗下InnoGaN开关管进入安克、华硕、联想、努比亚、vivo、小米等诸多品牌产品PFC电路应用，实际出货量非常可观，下文小编将为您详细介绍。
英诺赛科InnoGaN开关管
英诺赛科INN700D140C
英诺赛科INN700D140C是一颗耐压700V的增强型氮化镓单管，器件在原有650V耐压基础上升级至700V，瞬态耐压为800V。器件导阻为106mΩ，支持更高功率应用。
英诺赛科INN700D240B
英诺赛科INN700D240B是一颗耐压700V的增强型氮化镓开关管，瞬态耐压为800V，导阻为240mΩ，符合JEDEC标准的工业应用需求，内置ESD保护，采用DFN8*8封装。
英诺赛科INN700DA140C
英诺赛科INN700DA140C是一颗耐压700V的增强型氮化镓开关管，导阻140mΩ，采用DFN5*6封装。
英诺赛科INN700DA240A
英诺赛科INN700DA240A是一颗耐压700V的增强型氮化镓开关管，额定耐压为700V，导阻240mΩ，具备开尔文源极，采用DFN5*6封装。
英诺赛科INN700TK190B
英诺赛科INN700TK190B，是一颗耐压700V的增强型氮化镓开关管，导阻190mΩ，采用TO252封装。
英诺赛科INN700TK350B
英诺赛科INN700TK350B是一颗耐压700V的增强型氮化镓开关管，导阻350mΩ，采用TO252封装。
英诺赛科INN650D02
英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片额定耐压为650V，峰值耐压750V，导阻0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求，采用DFN8*8封装。
英诺赛科INN650DA04
英诺赛科INN650DA04这颗氮化镓功率芯片耐压650V，导阻480mΩ，具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点，同时采用DFN5*6进行封装，实现小体积、高效率。
英诺赛科INN650D150A
英诺赛科INN650D150A是一颗耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，导阻150mΩ，采用DFN8*8封装。
英诺赛科INN650DA260A
英诺赛科INN650DA260A是一颗高性价比、耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，得益于工艺改进，性能有明显的提升，适用于65-120W的反激架构，120-200W的LLC架构。
英诺赛科INN650D260A
英诺赛科INN650D260A是一颗导阻为260mΩ的氮化镓开关管，支持650V耐压，峰值耐压750V。
英诺赛科INN650DAL01A
英诺赛科INN650DAL01A为定制型号，是一颗耐压650V的增强型氮化镓高压单管。
英诺赛科INN650D190A
英诺赛科INN650D190A是一颗耐压为650V的增强型氮化镓高压单管，导阻为190mΩ，采用DFN8*8封装。
英诺赛科INN650TA070AH
英诺赛科INN650TA070AH耐压650V，导阻70mΩ，采用TOLL封装。
充电头网总结
充电头网了解到，英诺赛科InnoGaN开关管基于业界领先的8英寸生产加工工艺，具备高频特性好，且导通电阻小的特性，适合高频高效的开关电源应用。InnoGaN开关管也是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件，这项技术的大规模商用推动了氮化镓快充、光伏与储能、激光雷达等设备快速普及，同时打破了长期海外氮化镓器件厂商垄断功率器件市场的情况，加速功率器件国产化进程，让国内市场不再受制于人。
展会预告
英诺赛科参加充电头网主办的2025（春季）亚洲充电展，展位位于C区C13-14，3月28日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
