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9月9日，工信部旗下微信公众号“工信微报”推送了工信部于9月2日签发的关于印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》的通知文件。
通知文件中的“电子专用装备”的第一项即“集成电路生产装备”，明确提到氟化氪（KrF）光刻机和氟化氩（ArF）光刻机的技术指标。氟化氪（KrF）光刻机和氟化氩（ArF）光刻机是集成电路生产装备中的关键设备。其中晶圆直径为300mm、照明波长: 193nm、分辨率: ≤65nm，套刻: ≤8nm。这些指标意味着氟化氩光刻机能够在300mm直径的晶圆上，使用193nm波长的光刻出分辨率高达65nm的图案，并且这些图案之间的对准精度（套刻精度）可以达到8nm以内。这对于制造高性能、高密度的集成电路至关重要。
机构解析
中国在光刻机领域取得重大突破，其参数与ASML 1460K 和 Nikon S322F 接近。65nm ArF 光刻机参数对标国际先进水平，标志着中国光刻机技术迈向自主可控的重要xi一步，中国在DUV光刻机领域也取得了重大突破。
1. 65nm工艺优势
65nm工艺成熟先进，良率高，产量大，设计平台成熟可靠，广泛应用于射频器件生产。
相比90nm工艺，65nm工艺元件密度更高，整合性更好，性能更强。
2. 套刻精度的重要性
套刻精度是衡量光刻机性能的关键指标，决定了芯片的良率和性能。
随着工艺节点减小，套刻精度要求更高，对设备和技术的要求也更高。
3. 不同型号光刻机的关键参数
65nm ArF 光刻机： 分辨率≤65nm,套刻≤8nm
ASML 1460K ArF 光刻机：波长 193nm,分辨率≤65nm,套刻精度 3.5/5.0nm,产量≥205wph
Nikon S322F ArF 光刻机：波长 193nm(134nm),分辨率≤65nm，套刻精度 2.0/5.0nm，产量≥230wph
ASML NXT 1980Di 光刻机：OPO≤3.5nm,DCO≤1.6nm.MMO≤2.5nm
A证券: 光刻机是集成电路制造的核心环节，其发展受到光源波长、数值孔径、工艺系数和机台四轮驱动的影响。目前，ASML、尼康和佳能占据全球光刻机市场的主导地位，其中ASML为EUV光刻机的独家供应商。2023年全球光刻机出货量达到681台，同比增长21.82%，预计2024年全球半导体制造设备销售额将恢复增长，达到1240亿美元。中国市场是全球最大的半导体设备市场，2023年设备支出同比增长29%，达到366亿美元。中国晶圆厂数量位居全球第一，预计到2024年底将新建50座大型晶圆厂，这将进一步推动光刻机需求的增长。此外，人工智能等新兴技术的发展也将为半导体行业带来新的增长动力，预计到2030年全球半导体市场规模将达到万亿美元。
B证券: 国产DUV光刻机取得重大突破，ArF光刻机实现分辨率≤65nm和套刻≤8nm，标志着我国半导体设备技术取得重大进步。华为和苹果分别发布了Mate XT非凡大师和iPhone 16系列等新品，有望带动消费电子行业景气度上行。电子行业当前供需处于底部平衡回暖阶段，行业估值处于历史低位，建议关注AIOT、AI驱动、设备材料、消费电子周期筑底板块四大投资主线。
机构评价
1. 光刻机产业现状：
市场格局：ASML 独家供应 EUV 光刻机，KrF 和 i-line 光刻机为主要需求类型。
需求增长：新建晶圆厂、产线扩产和下游需求推动光刻机需求增长，中国预计至 2024 年底建立 50 座大型晶圆厂。
技术革新：产学研合作推动技术革新，ASML 与上下游龙头公司紧密合作，Nikon 和 Canon 也积极发展新技术。
2. 光刻机技术发展：
核心因素： 分辨率取决于光源波长、数值孔径和光刻工艺因子。
光源：EUV 光源为未来趋势，LLP光源稳定且碎屑量低，适用于大规模量产。高功率和转换效率是关键，液滴Sn靶和预脉冲技术提高转换效率。Cymer和Gigaphoton垄断市场，科益虹源弥补技术空白，SSMB技术有望实现弯道超车。
数值孔径： 数值孔径越大，分辨率越高。从“双腰”到“单腰”，引入非球面镜片和折反式结构，浸没式光刻提供更大焦深。
光刻工艺：OPC 和 SMO 技术补偿光学邻近效应误差，MPT 技术实现图形密度加倍，ILT 技术反推调整参数。
双工作台系统： 精确对准和产能提升的关键。
3. 机遇和挑战：
机遇：美国制裁凸显自主可控重要性，中国光刻机产业快速发展，部分厂商在核心技术领域取得突破。
挑战：核心技术仍被国际巨头垄断，高端光学元件制造技术是短板。
4. 风险提示：
技术研发风险：光刻机技术难度极高，研发周期长，存在技术突破失败的风险。
宏观经济和行业波动风险：半导体行业周期性波动较大，宏观经济环境变化可能影响行业发展。
国际贸易摩擦风险：国际贸易摩擦可能导致技术封锁和供应链中断，影响中国光刻机产业发展。
相关企业公告摘要
1. 赛微电子：公司拥有境内外多个中试平台和量产工厂，业务遍及全球，服务领域涵盖通讯、生物医疗、工业汽车、消费电子等多个应用领域。公司MEMS业务实现稳健增长，主要受益于境内外产线产能扩充和市场需求提升。瑞典8英寸产线订单、生产与销售状况良好，持续推动产能爬坡和产能利用率提升。北京8英寸产线处于产能爬坡阶段，晶圆制造业务实现倍数增长，但产能利用率较低，持续亏损。公司持续加大研发投入，上半年研发费用18,147.35万元，占营业收入32.91%。公司境内外同时拥有不同定位的合格产能，不同产线在产能、市场等方面的协同互补将有力保证公司继续保持纯MEMS代工的全球领先地位。公司 MEMS 业务收入实现增长，并持续进行技术创新和市场拓展，致力于成为立足本土、国际化发展的知名半导体科技企业集团。
2. 芯碁微装：2024年上半年业绩表现出色，实现营业收入4.49亿元，同比增长41.04%；归属于上市公司股东的净利润1.01亿元，同比增长38.56%。公司聚焦PCB及泛半导体领域，持续推进产品升级和国际化战略，在AI浪潮中助力国产化率提升，并积极拓展东南亚市场。同时，公司加大研发投入，推动前沿技术研发和新品开发，如键合制程解决方案和IC载板解决方案，打造新的增长极。此外，公司实施股份回购计划，维护投资者利益，并推动数智化转型，提升运营管理能力。
3. 富创精密：作为国内半导体设备零部件龙头企业，专注于金属材料零部件精密制造技术，产品涵盖工艺零部件、结构零部件、模组产品、气体管路四大类，应用于半导体光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备等。公司已实现 7nm 工艺制程半导体零部件的量产，工艺完备性处于全球领先水平。预2023-2025年公司实现营收分别为21.22/29.31/40.98亿元，归母净利润分别为2.10/3.55/4.90亿元，EPS分别为1.00/1.70/2.34元，当前股价对应 PE 分别为 49/29/21 倍。考虑到半导体零部件国产替代带来的高增长性，以及公司扩产后盈利空间将得到进一步释放，首次覆盖给予“增持”评级。考虑到半导体零部件国产替代带来的高增长性，以及公司扩产后盈利空间将得到进一步释放，首次覆盖给予“增持”评级。公司产能利用率高，在手订单充足，未来随着南通、北京新厂房逐步投产，产能将进一步释放，盈利能力有望提升。公司核心技术领先，主要产品打破美日垄断，获得国际客户认可。首次覆盖给予“增持”评级。
4. 炬光科技：作为国内高功率半导体激光产业的先驱，主要业务涵盖上游的半导体激光元器件和原材料，以及激光光学元器件，并向中游的光子应用模块、模组和子系统拓展。公司产品应用于先进制造、医疗健康、科学研究、汽车应用、消费电子等领域，为医疗美容设备、工业制造设备、光刻机核心部件生产商，激光雷达整机企业，半导体和平板显示设备制造商等提供核心元器件及应用解决方案。近年来，炬光科技业绩短期承压，主要受下游光纤激光器等产品需求疲软影响，加之公司采取降价措施导致。但公司积极布局汽车激光雷达、半导体设备和光电类医美项目等高景气度领域，未来发展潜力巨大。预2023-2025年归母净利润分别为0.82/1.35/2.31亿元，同比增长-35.9%/65.2%/71.7%，对应EPS为0.90/1.49/2.56元，PE为137.6/79.6/46.7倍，首次覆盖给予“增持-A”评级。
5. 波长光电：一家专注于激光和红外光学领域的国家级“小巨人”企业，主要产品包括激光光学和红外光学元件、组件以及光学设计与检测系列。公司拥有多项自主研发的核心技术，例如光学薄膜的设计与制备、高功率激光镜头制造技术、红外分级变焦和连续变焦光学系统的设计技术等，并在光学设计、晶体生长、抛光、镀膜及装配等关键工艺方面拥有丰富的经验。公司产品广泛应用于激光焊接、激光切割、激光打标、激光清洗、激光打孔、动力电池加工、激光 3D 打印、红外热成像设备等领域，并与大族激光、华工科技、高德红外、久之洋等国内外知名企业建立了稳定的合作关系。根据华泰证券的研究报告，波长光电 2023-2025 年归母净利润预计分别为 6,753/7,229/8,007 万元，同比增长 11.1/7.0/10.8%。公司计划通过募投项目扩充产能，并积极拓展消费级、半导体、生命科学等新市场，未来发展前景广阔。
（转自：Gangtise投研）
