瀚天天成冲刺科创板 募资35亿元扩产碳化硅外延晶片
中国经营报
本报记者 秦枭 北京报道
近年,第三代半导体在多个领域崭露头角。以碳化硅、氮化镓为主的第三代化合物半导体已然成为产业端、投资界的宠儿。在这条赛道上,企业融资并购、厂商增资扩产、新玩家跑步入场、新项目不断涌现。与半导体市场整体“低迷”的现状不同,第三代半导体市场则焕发着别样生机。
近日,上海证券交易所科创板股票审核显示,瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司(以下简称“瀚天天成”)递交的招股书获受理。招股书显示,瀚天天成为宽禁带(指一个带隙宽度,亦即信号在传输时能够被压缩到最小长度的位数)半导体外延晶片提供商,主要从事碳化硅外延晶片的研发、生产及销售,产品用于制备碳化硅功率器件。该公司此次拟募资金额约为35亿元,主要用于年产80万片6—8英寸SiC外延晶片产业化项目、技术中心建设项目以及补充流动资金。
宽禁带半导体属于第三代半导体,多位业内人士在接受《中国经营报》记者采访时表示,目前国内的第三代半导体产业在衬底材料、外延、设计制造等各个环节,均有对标海外巨头的企业。而成本的下降,主要依托制造工艺的效率提升,对于最擅长在已经证实可行的领域中降本增效的中国企业来说,该赛道已经进入了最有利于中国企业的阶段。
净利润增长6倍
第三代半导体材料与前两代半导体材料相比,其最大的优势是较宽的禁带宽度,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率的电子器件。
而碳化硅外延片作为碳化硅器件成型的必备环节,具有不可或缺的重要作用,是推动碳化硅行业高质量发展的基石。从价值角度来看,碳化硅产业链附加值向上游集中,外延(含衬底)在碳化硅产业链中价值量较高。
根据 CASA 整理的数据,衬底和外延作为碳化硅产业链的上游环节,分别占碳化硅功率器件成本结构的 47%、23%。碳化硅外延市场分为对内供应的自行配套(Captive)市场和对外销售的外销(Open)两大市场,国际碳化硅器件头部企业如Wolfspeed、意法半导体、安森美等,其同时具备碳化硅材料生产和功率器件制造能力,生产的碳化硅外延片可以直接用于自身器件的制造,由此形成自行配套市场(Captive),但与其他器件厂商同属于竞争对手,故其所生产的外延片将大部分甚至全部供内部使用,因此未来规模将远小于纯外延厂商。
此外,即便碳化硅功率器件头部企业具备自行配套外延片的能力,半导体产业的性质也使得这些企业需要第二供应商。这也给以瀚天天成为代表的碳化硅外延片厂商快速成长提供了机会。
据招股书显示,瀚天天成2020—2022年营收分别为6312万元、1.75亿元、4.4亿元;净利分别为-630万元、2042.8万元、1.4亿元;扣非后净利分别为-1803万元、456万元、1.19亿元。报告期内(2020 年度、2021 年度、2022 年度及 2023 年 1—6 月),瀚天天成剔除股份支付影响后的毛利率分别为12.75%、20.77%、45.23%和 47.90%。外界在惊叹瀚天天成成长速度的同时,迅速攀升的毛利率也引起格外的关注。
瀚天天成方面对记者表示,2020年,公司规模较小,单位产品分摊的固定成本较高,导致毛利率低于平均水平;2021年公司外延片产能逐步爬坡,随之毛利率上升,但仍低于同行业平均值;自2022年起,公司产销量大幅增长,产能趋于饱和,同时主要原材料价格下降,公司单位产品成本同步下降,因此毛利率超过可比公司平均水平,与上海合晶、立昂微毛利率较为接近。
瀚天天成进一步向记者分析,境外财务可比公司Wolfspeed、Coherent和Resonac业务范围覆盖较广,仅部分业务涉及碳化硅外延片,因此毛利率和公司差异较大。境内可比公司沪硅产业由于其12英寸硅片处于产能爬坡期,部分产能转产,固定成本较高,因此12英寸硅片毛利率较低,拉低了其半导体硅片产品综合毛利率;2022年天岳先进因新建产线产能暂未释放,且由于加大导电型衬底产能产量,从而调整现有产线、设备导致毛利率下降。此外,财务可比公司生产或加工产品主要基于硅片,碳化硅作为第三代半导体以其优异的物理特性在特定应用领域需求较大,在高功率应用领域对硅片替代的确定性强,因此碳化硅外延片附加值较高,工艺成熟条件下毛利率水平较财务可比公司更高。
不过,需要注意的是,受制于境内上游碳化硅衬底和设备的发展进程,报告期内瀚天天成境外销售金额及占比较高。此外,其境外设备采购额分别为 840.70 万元、8456.87 万元、2.96亿元和4.96亿元,占设备采购总额的比例分别为 95.89%、88.17%、71.24%和81.76%。
郭涛认为,这可能意味着公司在一定程度上受到地缘政治因素的影响。地缘政治因素可能导致设备供应不稳定或价格上涨,进而影响公司的生产成本和业务发展。随着时间的推移,这种不确定性可能会增加。因此,公司需要密切关注国际形势的变化,并采取相应的风险管理措施,以降低地缘政治风险对公司的影响。
“早年公司主要选择向境外头部碳化硅厂商购买原材料,”瀚天天成表示,“随着境内碳化硅衬底产业技术逐步成熟,在产品尺寸、生产良率、产能方面提升迅速,碳化硅衬底品质提高,2022年起公司对国产衬底采购量加大。随着公司与多家外延炉及衬底企业开展紧密合作,目前公司主要原材料供应商以多家国内头部衬底厂商为主。”
瀚天天成强调,公司始终严格遵守中国和他国法律,截至目前,公司设备采购及产品交付正常。公司将持续关注相关政策,在合法合规的前提下积极应对。
扩充产能
瀚天天成此次募集资金中的27亿元将用于年产80万片6—8英寸SiC外延晶片产业化项目,约3亿元用于技术中心建设项目,5亿元作为补充流动资金。加上公司对80万片6—8英寸SiC外延晶片产业化项目投资的8亿元,该项目总投资额约为35亿元,以上三项目合计资金约43亿元。
据瀚天天成介绍,年产80万片6—8英寸SiC外延晶片产业化项目以及技术中心建设项目已取得厦门火炬高技术产业开发区管理委员会出具的备案证明。两个项目预计建设期约为36个月,项目正在建设中,募集资金是项目后续稳步推进的重要保障。
实际上,不仅是瀚天天成,据集微网统计,2023年以来,国内已经有超过40个SiC相关项目取得了新进展,包括签约落地、新建产线、产能爬坡等,可见国内SiC产业链建设正在加速。其中,扬杰科技日前公告称,公司新一代车用大功率芯片制造项目厂房建设完成,设备进入调试阶段,预计2024年投产使用;湖南8英寸芯片生产线二期建设有序开展,预计明2024年新增产能继续释放;越南工厂封测生产基地也将在2024年正式建设。
半导体分析师王志伟认为,目前,第三代半导体在全部半导体应用市场中的渗透率并不高,只有5%左右;全球半导体元器件市场规模约5000亿美元,但其中半导体材料只有700亿美元,而其中5%使用了第三代半导体材料,也就是第三代半导体材料的市场规模只有35亿美元左右。而行业预测到2025年,全球第三代半导体材料市场规模能突破52亿美元。第三代半导体目前渗透率低的原因,在于制作工艺复杂导致的成本高企,5年前碳化硅、氮化镓相比硅基器件价格贵了接近8倍,现在技术进步成本逐步降低,让两者价差缩小到了4倍以内,但依旧昂贵。因此,成本也是目前国内外第三代半导体行业的最大短板。
除传统龙头企业外,众多新手玩家也纷纷涌入第三代半导体赛道,天眼查数据显示,新成立的碳化硅相关公司达到514家,氮化镓相关公司有32家。
郭涛表示,近几年来,第三代半导体赛道确实吸引了众多新手玩家,但市场的竞争格局和未来的发展趋势仍存在不确定性。随着新进入者的增加,市场竞争可能会加剧,行业洗牌也是不可避免的。只有具备技术优势、规模优势和市场竞争力的公司才能在激烈的竞争中生存和发展。
(编辑:张靖超 校对:翟军)