长江商报消息 湖北正加快建设“世界光谷”。
近日，湖北省政府发布《加快“世界光谷”建设行动计划》（下称《计划》），提出到2025年，“中国光谷”世界影响力初步显现，力争实现“五个一”目标，即打造1个国家实验室、开展100项关键核心技术攻关、诞生1家千亿级科技领军企业、培育1万家高新技术企业、形成1个万亿产业集群。到2035年，建成具有全球影响力的“世界光谷”。
湖北将打造世界级原始创新策源地
《计划》要求强化战略科技力量，打造世界级原始创新策源地，突出“四个面向”，加快建设世界一流东湖科学城，推进国家实验室、国家科研机构、高水平研究型大学、科技领军企业等战略科技力量建制化布局，加强原创性引领性技术攻关，鼓励未知领域的原始创新和破壁性探索，推动科教深入融汇、产教深度融合，做强科技创新策源引擎。聚焦“光”领域，巩固和发挥光通信、激光等光电子核心领域领先优势，以芯片为重点突破口，以点带面完善细分产业链条、形成产业板块，着力提升产业链供应链安全性、稳定性和竞争力，前瞻谋划、加快布局硅光一体化、光电一体化等前沿领域和未来产业新赛道。
湖北将通过构建高水平实验室体系、打造重大科技基础设施集群、建设高能级产业创新平台来建设世界级原始创新承载区；通过加强关键核心技术攻关、支持前沿引领技术创新、支持颠覆性技术创新、鼓励未知领域创新探索来加强原创性引领性技术攻关。聚焦高端芯片、关键设备、基础原材料、基础软件等领域，突破存储芯片、超高速光收发模块专用芯片、功率半导体芯片、传感芯片、光纤传感网络用特种光芯片与器件、OLED有机发光材料、超快激光器种子源、工业基础软件等一批产业关键核心技术。聚焦新一代通信、高端装备、生物科技、智能科技等前沿领域，加强6G、量子通信、超高速光传输、化合物半导体、微机电系统（MEMS）、三维异质异构集成、忆阻器、量子点OLED、激光跨尺度极端制造、三维多轴装备集成、3D生物打印、医疗人工智能、人机交互及人机共驾、复杂环境感知等技术攻关，形成一批重大原始创新成果。支持可见光通信、碳基集成电路、脑机接口、万物智能互联等下一代信息技术研发；支持脑科学与类脑研究、基因编辑、干细胞与再生医学、单细胞多组学、合成生物科技、组织工程治疗、造血干细胞移植等生命科学技术研究；支持氢能、新型储能等未来能源技术，以及新一代半导体材料、超导材料等未来材料技术研究。
在科技领军企业培育力度方面，支持“专精特新”“单项冠军”企业强化行业技术引领，增强产业关键环节控制力，发展成为全球细分行业领军企业。支持领军企业组建高能级产学研创新体系化平台，共建任务型联合体承担国家科技专项等重大任务，开展底层技术、关键材料、核心部件等研发攻关。支持领军企业建立垂直整合一体化业务模式，通过设立产业投资基金、组建产业创新联合体，推动大中小企业融通发展，带动产业链上下游实现技术进步，增强竞争力和抗风险能力。鼓励领军企业开展国际专利布局和国际标准创制，打造一批享誉全球的知名品牌。到2025年，培育百亿级以上科技领军企业20家，新增省级以上产业创新联合体5个。
十大举措推动“世界光谷”建设
《计划》提出，未来3到8年，湖北将坚持科技创新、产业创新和体制机制创新一体化推进，加快实施十大关键举措，力争在重点领域取得突破性进展，推动“世界光谷”建设全面起势、加力提速。
十大举措分别是创建光电子信息领域国家实验室、实施顶尖科学家引进培养工程、实施“尖刀”技术攻关工程、培育千亿级科技领军企业、建设世界一流光谷科学岛、搭建国际领先的硅光芯片创新平台、打造全球化合物半导体创新中心、举办具有全球影响力的东湖科学论坛、打造承载国际产业交流合作功能的“光博会”以及推进一套体制机制改革措施。
《计划》提出，到2025年，力争获批光电子信息领域国家实验室；引进培养全球顶尖科学家90名；力争培育1家千亿级科技领军企业；光谷科学岛基础设施全面建成，一批创新平台投入使用；将东湖科学论坛打造成为国家级创新论坛；将“光博会”打造成为我国最具影响力的光电子信息开放平台。到2030年，依托光电子信息国家实验室诞生一批前沿和颠覆性原创技术成果；成为全球顶尖科技人才聚集地；培育2家千亿级科技领军企业；光谷科学岛全面建成，成为国际一流的创新集聚区；东湖科学论坛成为具有全球影响力的高水平、前沿性的创新论坛；“光博会”国际影响力进一步彰显，成为“世界光谷”的闪亮名片。
“世界光谷”建设将聚焦存储器、车规级芯片、三维集成技术、EDA、激光跨尺度极端制造、新一代人工智能等领域，到2025年，推动100项关键核心技术攻关。到2030年，攻克一批“卡脖子”技术，产业链、供应链安全性和竞争力大幅提升。支持武汉新芯、国家信息光电子创新中心、九峰山实验室、江城实验室等单位建设国内首个12英寸商用硅光芯片创新平台，2024年底前完成硅光工艺平台通线和工艺设计套件（PDK）开发；到2025年，完成12英寸基础硅光流片工艺开发，形成国际领先的硅光晶圆代工和生产制造能力；到2030年，打造12英寸硅基光电融合工艺线，建成全球前三的硅光芯片特色工艺线，器件性能达到国际领先，形成广泛的光电子芯片加工能力。在化合物半导体领域，到2025年，实现4条化合物半导体试验线完全国产替代，完成基础领域研究、新材料、新工艺的集成验证，“生长”出从光芯片、光模块到光器件的产业链条；到2030年，建成化合物半导体领域面向全球开放共享的集成创新研究中心，覆盖基础技术前沿研究、产业链集成验证、产业孵化等环节，引领全球化合物半导体技术进步。
●长江商报记者 徐靓丽
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