转自：前瞻产业研究院
行业主要上市公司：宏微科技（688711）；斯达半导（603290）；华润微（688396）；时代电气（688187）；士兰微（600460）；比亚迪（002594）等
本文核心数据：全球IGBT单管厂商市场占有率
全球IGBT芯片行业发展历程
总体而言，IGBT芯片行业发展历程根据工艺技术的发展史大致可以分为三个阶段：
全球IGBT芯片行业区域发展格局
根据头部IGBT厂商市场份额分析，欧洲地区约占IGBT芯片市场的35%，主要参与者有英飞凌、安森美、意法半导体等；亚太地区占比约为30%-35%，主要竞争者有三菱电机、富士电机、日立等；北美市场份额约为15%，主要竞争者有安森美、德州仪器等。
全球IGBT芯片重点区域市场分析
IGBT是由BJT(双极结型晶体三极管) 和MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，而美国功率器件处于世界领先地位，拥有一批具有全球影响力的厂商，例如TI、Fairchild、NS、Linear、IR、Maxim、ADI、ONSemiconductor、AOS和Vishay等厂商。
欧洲拥有Infineon、ST和NXP三家全球半导体大厂，产品线齐全，无论是功率IC还是功率分离器件都具有领先实力。
根据Omdia数据，2021年，全球功率半导体芯片十强中有一半为日本企业，包括三菱电机（第4）、富士电机（第5）、东芝（第6）、瑞萨（第9）、ROHM（第10）。五家企业的营收在过去三年内大体保持在榜单总营收的三分之一左右。在IGBT芯片领域，日本领先厂商众多，包括三菱电机、富士电机、日立等，中国的士兰微等企业也凭借在IGBT芯片领域长期的投入和钻研，在国际竞争格局中逐渐占有一席之地。
全球IGBT芯片厂商竞争格局
根据Omdia数据，在全球IGBT单管领域，市占率长期排名前二的为英飞凌和富士；2020年全球前五大厂商市占率合计达67.4%。
以上数据来源于前瞻产业研究院《中国IGBT芯片行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》，同时前瞻产业研究院还提供产业大数据、产业研究、产业规划、园区规划、产业招商、产业图谱、产业链咨询、技术咨询、IPO募投可研、IPO业务与技术撰写、IPO工作底稿咨询等解决方案。
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